Noncontact Detection of the Photosensitivity Inhomogeneities of HIT Heterostructures Based on α-Si:H/c-Si


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

A setup for photosensitivity investigations of contactless silicon solar cell slabs with p–n junctions is considered. The results from photosensitivity contrast measurements for silicon solar cell slabs made of HIT heterostructures are analyzed.

Об авторах

O. Koshelev

Faculty of Physics, Moscow State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: scon282@phys.msu.ru
Россия, Moscow, 119991

N. Vasilev

Faculty of Physics, Moscow State University

Email: scon282@phys.msu.ru
Россия, Moscow, 119991

M. Reginevich

OOO ITR

Email: scon282@phys.msu.ru
Россия, Zelenograd, 124365

I. Schnaidschtein

Faculty of Physics, Moscow State University

Email: scon282@phys.msu.ru
Россия, Moscow, 119991

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).