Noncontact Detection of the Photosensitivity Inhomogeneities of HIT Heterostructures Based on α-Si:H/ c -Si

O. G. Koshelev; N. G. Vasilev; M. A. Reginevich; I. V. Schnaidschtein

doi:10.3103/S1062873818110138

Noncontact Detection of the Photosensitivity Inhomogeneities of HIT Heterostructures Based on α-Si:H/c-Si

Autores: Koshelev O.G.¹, Vasilev N.G.¹, Reginevich M.A.², Schnaidschtein I.V.¹
Afiliações:
1. Faculty of Physics, Moscow State University
2. OOO ITR
Edição: Volume 82, Nº 11 (2018)
Páginas: 1421-1424
Seção: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/186694
DOI: https://doi.org/10.3103/S1062873818110138
ID: 186694

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A setup for photosensitivity investigations of contactless silicon solar cell slabs with p–n junctions is considered. The results from photosensitivity contrast measurements for silicon solar cell slabs made of HIT heterostructures are analyzed.

Sobre autores

O. Koshelev

Faculty of Physics, Moscow State University

Autor responsável pela correspondência
Email: scon282@phys.msu.ru
Rússia, Moscow, 119991

N. Vasilev

Faculty of Physics, Moscow State University

Email: scon282@phys.msu.ru
Rússia, Moscow, 119991

M. Reginevich

OOO ITR

Email: scon282@phys.msu.ru
Rússia, Zelenograd, 124365

I. Schnaidschtein

Faculty of Physics, Moscow State University

Email: scon282@phys.msu.ru
Rússia, Moscow, 119991

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Ação

1. JATS XML

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