Temperature quenching of the luminescence of SiV centers in CVD diamond films

A. S. Emelyanova; A. L. Rakevich; E. F. Martynovich; V. P. Mironov; A. P. Bolshakov; V. S. Sedov; V. G. Ralchenko; V. I. Konov

doi:10.3103/S106287381709009X

Temperature quenching of the luminescence of SiV centers in CVD diamond films

Авторы: Emelyanova A.S.¹, Rakevich A.L.¹, Martynovich E.F.¹, Mironov V.P.¹, Bolshakov A.P.², Sedov V.S.², Ralchenko V.G.²^,3, Konov V.I.²
Учреждения:
1. Institute of Laser Physics (Irkutsk Branch), Siberian Branch
2. Prokhorov General Physics Institute
3. Harbin Institute of Technology
Выпуск: Том 81, № 9 (2017)
Страницы: 1154-1158
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/185193
DOI: https://doi.org/10.3103/S106287381709009X
ID: 185193

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The kinetic characteristics and temperature quenching of the luminescence of optical centers of silicon vacancies (SiVs) in diamond films grown in microwave plasma on substrates of aluminum nitride and synthetic diamond are investigated via laser excitation at a wavelength of 640 nm.