Temperature quenching of the luminescence of SiV centers in CVD diamond films

A. S. Emelyanova; A. L. Rakevich; E. F. Martynovich; V. P. Mironov; A. P. Bolshakov; V. S. Sedov; V. G. Ralchenko; V. I. Konov

doi:10.3103/S106287381709009X

Temperature quenching of the luminescence of SiV centers in CVD diamond films

Авторлар: Emelyanova A.S.¹, Rakevich A.L.¹, Martynovich E.F.¹, Mironov V.P.¹, Bolshakov A.P.², Sedov V.S.², Ralchenko V.G.²^,3, Konov V.I.²
Мекемелер:
1. Institute of Laser Physics (Irkutsk Branch), Siberian Branch
2. Prokhorov General Physics Institute
3. Harbin Institute of Technology
Шығарылым: Том 81, № 9 (2017)
Беттер: 1154-1158
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/185193
DOI: https://doi.org/10.3103/S106287381709009X
ID: 185193

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The kinetic characteristics and temperature quenching of the luminescence of optical centers of silicon vacancies (SiVs) in diamond films grown in microwave plasma on substrates of aluminum nitride and synthetic diamond are investigated via laser excitation at a wavelength of 640 nm.