A Tunnel Hamiltonian for Impure  M–I–M  Junctions

V. Ya. Kirpichenkov; N. V. Kirpichenkova; O. I. Lozin; A. A. Pukhlova

doi:10.3103/S1062873818070262

A Tunnel Hamiltonian for Impure M–I–M Junctions

Авторлар: Kirpichenkov V.Y.¹, Kirpichenkova N.V.¹, Lozin O.I.¹, Pukhlova A.A.¹
Мекемелер:
1. Platov South Russian State Polytechnic University
Шығарылым: Том 82, № 7 (2018)
Беттер: 853-855
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/185455
DOI: https://doi.org/10.3103/S1062873818070262
ID: 185455

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

It is established that in impure (low concentrations of identical nonmagnetic impurities in the I-layer) M–I–M junctions (M = N, S; N is a normal metal, S is a superconductor, and I is an insulator), the matrix elements of a tunnel Hamiltonian differ radically from those in pure (without impurities in the I-layer) M–I–M junctions in the energy range of tunnel resonances associated with random quantum shortcuts in a disordered I-layer.