Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

A standard way of determining the type of energy structure in heterostructures, based on analyzing the spectral shift of the band of steady-state photoluminescence (PL) as a function of the excitation power density, is developed with allowance for the effect of the fluctuation tails of the density of energy states. The technique is validated for InAs/AlAs, GaAs/AlAs, and AlSbyAs1–y/AlAs heterostructures with quantum wells.

Авторлар туралы

D. Abramkin

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: demid@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

A. Bakarov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics

Email: demid@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090

D. Kolotovkina

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: demid@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

A. Gutakovskii

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: demid@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

T. Shamirzaev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University; Ural Federal University

Email: demid@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090; Yekaterinburg, 620002

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2017