Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus
- Авторлар: Zikrillaev N.1, Koveshnikov S.1, Turekeev X.1, Ismailov B.1
-
Мекемелер:
- Tashkent State Technical University
- Шығарылым: № 1 (2024)
- Беттер: 84–89
- Бөлім: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/257063
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024010128
- EDN: https://elibrary.ru/DHIPJU
- ID: 257063
Дәйексөз келтіру
Аннотация
In this work, the morphology and composition of the silicon surface are experimentally studied using a scanning electron microscope, X-ray phase analysis, and various peaks in the Raman spectra. The spectral characteristics of silicon doped with impurity atoms of phosphorus and gallium have been studied. It was shown, that in the silicon lattice simultaneously doped with gallium and phosphorus atoms impurity atoms created binary complexes. Experimental determination of the concentration of gallium and phosphorus atoms made it possible to reveal a significant increase in the concentration of gallium, in comparison with its fundamental solubility in silicon. It is shown that a sufficiently large concentration of such elementary cells can lead to a significant change in the electrophysical parameters of silicon, i.e. the possibility of obtaining a new silicon-based material.
Негізгі сөздер
Авторлар туралы
N. Zikrillaev
Tashkent State Technical University
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: zikrillaev@mail.ru
Өзбекстан, 100095, Tashkent
S. Koveshnikov
Tashkent State Technical University
Email: zikrillaev@mail.ru
Өзбекстан, 100095, Tashkent
X. Turekeev
Tashkent State Technical University
Email: axmet-8686@mail.ru
Өзбекстан, 100095, Tashkent
B. Ismailov
Tashkent State Technical University
Email: zikrillaev@mail.ru
Өзбекстан, 100095, Tashkent
Әдебиет тізімі
- Adachi S. Properties of Semiconductor Alloys Group−IV, III−V and II−VI semiconductors. John Wiley & Sons, Ltd, 2009. 400 p.
- Saidov A.S., Saparov D.V., Usmonov Sh.N., Kutlimura- tov A., Abdiev J.M., Kalanov M., Razzakov A.Sh., Akhmedov A.M. // Adv. Condensed Matter Phys. 2021. https://doi.org/10.1155/2021/3472487
- Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. // ФТП. 2015. Т. 49. № 4. С. 569.
- Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B., Kenzhaev Z.T. // Euroasian J. Semicond. Sci. Engineering. 2020. V. 2. № 5. P. 9.
- Бахадирханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Валиев С.А. // ФТП. 2022. Т. 56. № 2. С. 199. https://doi.org/10.21883/0000000000/
- Исмайлов К.А., Зикриллаев Н.Ф., Ковешников С.В., Косбергенов Е.Ж. // ФТП. 2022. Т. 56. № 4. С. 438. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.04.52200.9768/
- Абрамкин Д.С., Петрушков М.О., Путято М.А., Семягин Б.Р., Емельянов Е.А., Преображенский В.В., Гутаковский А.К., Шамирзаев Т.С. // ФТП. 2019. Т. 53. № 9. С. 1167. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48118.01/
- Уваров А.В., Баранов А.И., Вячеславова Е.А., Каложный Н.А., Кудряшов Д.А., Максимова А.А., Морозов И.А., Минтаиров С.А., Салий Р.А., Гудовских А.С. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. № 14. С. 51. https://doi.org/ 10.21883/PJTF.2021.14.51189.18781
- Зайнабиддинов C.З., Саидов А.С., Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. // Поверхность. Рентген., синхротр, и нейтрон. исслед. 2021. № 1. С. 107. https://doi.org/10.31857/S1028096022120342
- Schneider K., Welter P., Baungarther Y., Hahn H., Czornomaz L., Seidler P. // J. Light Wave Technol. 2018. V. 36. № 14. P. 2994.
- Feifel M., Rachow Th., Banick J., Ohlmann J., Janz S., Hermle M., Dimroth F., Lackner D. // IEEE Journal of Photovoltaics. 2015. V. 6. № 1. P. 384. https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2015.2478062
- Zhou A. Analyse structurales de pseudo-substrats GaP/Si et d’hétérostructures CIGS/GaP/Si pour des applications photovoltaïques: Doctoral dissertation. INSA de Rennes, Français, 2019. 128 p.
- Xiong Q., Gupta R., Adu K.W., Dickey E.C., Lian G.D., Tham D., Fischer J.E., Eklund P.C. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2003. V. 3. № 4. P. 335.
- Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. // ФТП. 1998. Т. 32. № 2. С. 235.
- Cano P., Ruiz C.M., Navarro A., Galiana B., Garsia I., Rey-Stolle I. // Coatings. 2021. V. 11. P. 398.
- Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Назаров Н., Никитина И.П., Полетаев Н.К., Сергеев Д.В., Травников В.В., Федоров Л.М. // ФТП. 1990. Т. 24. № 7. С. 1303.
- Хожиев Ш.Т., Ганиев А.А., Ротштейн В.М., Косимов И.О., Муродкобилов Д.М. // Международный научно-исследовательский журнал. 2020. Т. 98. № 8. С. 54. https://doi.org/10.23670/IRJ.2020.98.8.007
- Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Сысо- ев И.А. // ФТП. 2017. № 51. Т. 3. 403 с. https://doi.org/ 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299
- Абрамкин Д.С., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Ненашев А.В., Есин М.Ю., Васев А.В., Путято М.А., Богомолов Д.Б., Гутаковский А.К., Преображенский В.В. // ФТП. 2021. Т. 55. № 2. С. 139. https://doi.org/ 10.21883/FTP.2021.02.50500.9529
- Уваров А.В., Шаров В.А., Кудряшов Д.А., Гудовских А.С. ФТП. 2022. Т. 56. № 2. С. 213. https://doi.org/ 10.21883/FTP.2022.02.51964.9748
- Бахадирханов М.К., Исамов С.Б. // ЖТФ. 2021. Т. 91. № 11. С. 1678. https://doi.org/ 10.21883/JTF.2021.11.51528.60-21
- Bakhadyrkhanov M.K., Kenzhaev Z.T., Koveshni- kov S.V., Usmonov A.A., Mavlonov G.Kh. // Neorgani-cheskie Materialy. 2022. V. 58. № 1. P. 3. https://doi.org/10.1134/S0020168522010034
- Зикриллаев Х.Ф., Аюпов К.С., Мавлонов Г.Х., Усмонов А.А., Шоабдурахимова М.М. // ФТП. 2022. Т. 56. № 6. С. 528. https://doi.org/ 10.21883/FTP.2022.06.52582.9829
- Зикриллаев Н.Ф., Ковешников С.В., Исамов С.Б., Абдурахманов Б.А., Кушиев Г.А. // ФТП. 2022. Т. 56. № 5. С. 495. https://doi.org/ 10.21883/FTP.2022.05.52352.9788