Магнитотранспортные исследования (Cd1 – xZnx)3As2 при высоких давлениях
- Авторы: Сайпулаева Л.А.1, Захвалинский В.С.2, Алибеков А.Г.1, Пирмагомедов З.Ш.1, Гаджиалиев М.М.1, Маренкин С.Ф.3, Риль А.И.3, Кочура А.В.4
-
Учреждения:
- Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН
- Белгородский государственный национальный исследовательский университет
- Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
- Юго-Западный государственный университет
- Выпуск: № 10 (2023)
- Страницы: 76-82
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/141030
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023100187
- EDN: https://elibrary.ru/NPPJSG
- ID: 141030
Цитировать
Аннотация
Измерены удельное сопротивление ρ, магнитосопротивление Δρxx/ρ0(P) и коэффициент Холла RH в образце (Cd1 – xZnx)3As2 с х = 0.31 при воздействии всестороннего давления и при различных температурах в интервале 80–400 K. Данные образцы были получены модифицированным методом Бриджмена. Состав образцов и их однородность контролировали с помощью рентгенофазового анализа и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Результаты показали, что распределение элементов в образце равномерное. Обнаружено, что удельное сопротивление с ростом температуры растет, изменение ρ(T) происходит, как в металлах. Коэффициент Холла RH в поле с ростом температуры незначительно уменьшается и сохраняет во всем исследованном интервале отрицательный знак. С ростом давления обнаружены аномалии на барических зависимостях удельного электросопротивления ρ(Р), магнитосопротивления Δρxx/ρ0(Р) и коэффициента Холла RH(Р). Увеличение всестороннего давления приводит к уменьшению положительного магнитосопротивления. В области фазового перехода отрицательное магнитосопротивление при давлении Р(2.5–3.0) ГПа в поле 5 кЭ достигает значения 1.7.
Об авторах
Л. А. Сайпулаева
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Россия, 367015, Махачкала
В. С. Захвалинский
Белгородский государственный национальный исследовательский университет
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Россия, 308015, Белгород
А. Г. Алибеков
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Россия, 367015, Махачкала
З. Ш. Пирмагомедов
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Россия, 367015, Махачкала
М. М. Гаджиалиев
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Россия, 367015, Махачкала
С. Ф. Маренкин
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Россия, 119991, Москва
А. И. Риль
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Россия, 119991, Москва
А. В. Кочура
Юго-Западный государственный университет
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Россия, 305040, Курск
Список литературы
- Crassee I., Sankar R., Lee W.-L., Akrap A., Orlita M. // Phys. Rev. Materials. 2018. V. 2. P. 120302. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.120302
- Wang Z., Weng H., Wu Q., Dai X., Fang Z. // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. P. 125427. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.88.125427
- Wang Z., Sun Y., Chen X.-Q., Franchini C., Xu G., Weng H., Dai X., Fang Z. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 195320. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.85.195320
- Liu Z.K., Jiang J., Zhou B., Wang Z.J., Zhang Y., Weng H.M., Prabhakaran D., Mo S.-K., Peng H., Dudin P., Kim T., Hoesch M., Fang Z., Dai X., Shen Z.X., Feng D.L., Hussain Z., Chen Y.L. // Nature Materials. 2014. V. 13. № 7. P. 677. https://www.doi.org/10.1038/nmat3990
- Borisenko S., Gibson Q., Evtushinsky D., Zabolotnyy V., Buchner B., Cava R.J. // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 113. P. 027603. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevLett.113.027603
- Jeon S., Zhou B.B., Gyenis A., Feldman B.E., Kimchi I., Potter A.C., Gibson Q.D., Cava R.J., Vishwanath A., Yazdani A. // Nature Materials. 2014. V. 13. № 9. P. 851. https://www.doi.org/10.1038/nmat4023.82
- Li H., Wang H.-W., He H., Wang J., Shen S.-Q. // Phys. Rev. B. 2018. V. 97. P. 201110. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.97.201110
- Wu M., Zheng G., Chu W., Liu Y., Gao W., Zhang H., Lu J., Han Y., Zhou J., Ning W., Tian M. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. P. 161110. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.98.161110
- Liang T., Gibson Q., Ali M.N., Liu M., Cava R.J., Ong N.P. // Nature Materials. 2015. V. 14. № 3. P. 280. https://www.doi.org/10.1038/nmat4143
- Turner W.J., Fischler A.S., Reese W.E. // Phys. Rev. 1961. V. 121. P. 759. https://www.doi.org/10.1103/PhysRev.121.759
- Zheng G., Wu M., Zhang H., Chu W., Gao W., Lu J., Han Y., Yang J., Du H., Ning W., Zhang Y., Tian M. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. P. 121407. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.96.121407
- Hasan M.Z., Kane C.L. // Rev. Mod. Phys. 2010. V. 82. P. 3045. https://www.doi.org/10.1103/RevModPhys.82.3045
- Burkov A.A., Balents L. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 107. P. 127205. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevLett.107.127205
- Wan X., Turner A.M., Vishwanath A., Savrasov S.Y. // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. P. 205101. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.205101
- Qi X.-L., Zhang S.-C. // Rev. Mod. Phys. 2011. V. 83. P. 1057. https://www.doi.org/10.1103/RevModPhys.83.1057
- Fu L., Kane C.L. // Phys. Rev. Lett. 2008. V. 100. P. 096407. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevLett.100.096407.83
- He L., Jia Y., Zhang S., Hong X., Jin C., Li S. // Npj Quantum Materials. 2016. V. 1. № 1. P. 16014. https://www.doi.org/10.1038/npjquantmats.2016.14
- Arushanov E.K. // Prog. Cryst. Growth Characterization Mater. 1992. V. 25. № 3. P. 131.
- Weglowski S., Lukaszewicz K. // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chim. 1968. V. 16. № 4. P. 177.
- Wagner R.J., Palik E.D., Swiggard E.M. // J. Phys. Chem. Solids Suppl. 1971. V. 1. P. 471.
- Lu H., Zhang X., Bian Y., Jia S. // Sci. Rep. 2017. V. 7. № 1. P. 3148. https://www.doi.org/10.1038/s41598−017−03559−2
- Żdanowicz L., Żdanowicz W. // Phys. Stat. Sol. 1964. V. 6. P. 227.
- Żdanowicz W., Lukaszewicz K., Trzebiatowski W. // Bull. Acad, Pol. Sci., Ser. Chim. 1964. V. 12. P. 169.
- Рубцов В.А., Трухан В.М., Якимович В.Н. // Доклады АН БССР. 1990. Т. 54. № 5. С. 407.
- Rogers L.M., Jenkins R.M., Crocker A.J. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1971. V. 4. P. 793.
- Galeeva A.V., Krylov I.V., Drozdov K.A., Knjazev A.F., Kochura A.V., Kuzmenko A.P., Zakhvalinskii V.S., Danilov S.N., Ryabova L.I., Khokhlov D.R. // Belstein J. Nanotechnology. 2017. V. 8. № 1. P. 167. https://www.doi.org/10.3762/bjnano.8.17
- Mollaev A.Yu., Saypulaeva L.A., Arslanov R.K., Gabibov S.F., Marenkin S.F. High Press. Res. 2002. V. 22. 1. 181. https://www.doi.org/10.1080/08957950211335
- Cisowski J., Zdanowicz W. // Phys. Stat. Sol. 1973. V. 19. P. 741. https://www.doi.org/10.1002/PSSA.2210190241
- Khvostantsev L.G., Slesarev V.N., Brazhkin V.V. // High Pressure Res. 2004. V. 24. P. 371. https://www.doi.org/10.1080/08957950412331298761
- Ivanov O., Zakhvalinskii V., Nikulicheva T., Yaprintsev M., Ivanichikhin S. // Phys. Status Solidi Rapid Res. Lett. 2018. V. 12. №. 12. P. 1800386. https://www.doi.org/10.1002/pssr.201800386