电邮这篇文章 Field Frequency Variation during Plasma-Chemical Deposition of Silicon-Carbon Films as a Method for Their Structural Modification
- 作者: Popov A.1,2, Barinov A.1,2, Yemets V.1, Presnyakov M.3, Chukanova T.1
-
隶属关系:
- National Research University “Moscow Power Engineering Institute”
- Institute of Nanotechnology of Microelectronics RAS
- National Research Center “Kurchatov Institute”
- 期: 编号 10 (2023)
- 页面: 22-26
- 栏目: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/141022
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023100175
- EDN: https://elibrary.ru/GVECJN
- ID: 141022
如何引用文章
开放存取
##reader.subscriptionAccessGranted##
订阅存取
详细
The influence of the electric field frequency in the range from 0.1 to 2.0 MHz during plasma-chemical deposition of diamond-like silicon-carbon films on their chemical composition, structure, and electrical properties has been studied. It is shown that the films obtained in the entire studied frequency range have an amorphous structure with a constant, within the measurement precision, chemical composition. At the same time, the morphology of the surface of the films and their electrophysical properties significantly depend on the frequency of the electric field during plasma-chemical deposition. This makes it possible to use the change in the field frequency in the preparation of films as a method of controlling their properties. The frequency range providing the most effective modification of electrophysical properties is determined.
作者简介
A. Popov
National Research University “Moscow Power Engineering Institute”; Institute of Nanotechnology of Microelectronics RAS
编辑信件的主要联系方式.
Email: popovai2009@gmail.com
Russia, 111250, Moscow; Russia, 119991, Moscow
A. Barinov
National Research University “Moscow Power Engineering Institute”; Institute of Nanotechnology of Microelectronics RAS
编辑信件的主要联系方式.
Email: barinovad@mpei.ru
Russia, 111250, Moscow; Russia, 119991, Moscow
V. Yemets
National Research University “Moscow Power Engineering Institute”
Email: barinovad@mpei.ru
Russia, 111250, Moscow
M. Presnyakov
National Research Center “Kurchatov Institute”
Email: barinovad@mpei.ru
Russia, 123182, Moscow
T. Chukanova
National Research University “Moscow Power Engineering Institute”
Email: barinovad@mpei.ru
Russia, 111250, Moscow
参考
- Meskinis S., Tamuleciene A. // Mater. Sci. (Medžiagotyra). 2011. V. 17. № 4. P. 358. https://doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.770
- Шупегин М.Л. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2013. Т. 79. № 2. С. 28.
- Popov A. Disordered Semiconductors: Physics and Applications (2nd Edition). Pan Stanford Publishing, 2018. 330 p. https://doi.org/10.1201/b22346
- Пресняков М.Ю., Попов А.И., Усольцева Д.С., Шупегин М.Л., Васильев А.Л. // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7–8. С. 59. https://doi.org/10.1134/S1995078014050139
- Vencatraman C., Goel A., Lei R., Kester D., Outten C. // Thin Solid Films. 1997. V. 308–309. P. 173. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(97)00384-2
- Pimenov S.M., Zavedeev E.V., Arutyunyan N.R., Zilova O.S., Barinov A.D., Presniakov M.Yu., Shupegin M.L. // Surf. Coat. Technol. 2020. V. 402. P. 126300. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.126300
- Баринов А.Д., Попов А.И., Пресняков М.Ю. // Неорг. материалы. 2017. Т. 53. № 7. С. 706. https://doi.org/10.1134/S0020168517070019
- Попов А.И., Афанасьев В.П., Баринов А.Д., Бодиско Ю.Н., Грязев А.С., Мирошникова И.Н., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2019. № 9. С. 49. https://doi.org/10.1134/S0207352819090129
- Попов А.И., Баринов А.Д., Емец В.М., Кастро Арта Р.А., Колобов А.В., Кононов А.А., Овчаров А.В., Чуканова Т.С. // Физика твердого тела. 2021. Т. 63. № 11. С. 1844.
- Barinov A.D., Popov A.I., Makarov A.A. // Proc. Eur. Modeling and Simulation Symposium, 2019. ISBN 978-88-85741-25-6; Affenzeller, Bruzzone, Longo and Pereira Eds. P. 42.
- Yang W.J., Choa Y.-H., Sekino T. // Mater. Lett. 2003. V. 57. № 21. P. 3305 https://doi.org/10.1016/S0167-577X(03)00053-3
- Попов А.И., Баринов А.Д., Емец В.М., Чуканова Т.С., Шупегин М.Л. // Физика твердого тела. 2020. Т. 62. № 10. С. 1612. https://doi.org/10.1134/S1063783420100261
- Баринов А.Д., Гуринович Т.Д., Попов А.И., Чуканова Т.С., Шапетина М.А., Шупегин М.Л. // Неорган. материалы. 2020. Т. 56. № 8. С. 844. https://doi.org/10.1134/S0020168520080026
- Zavedeev E.V., Zilova O.S., Barinov A.D. // Diamond Related Mater. 2017. V. 74. P. 45. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2017.02.003
- Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Бердников А.Е., Черномордик В.Д. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. Вып. 6. С. 442.
- Шерченков А.А. // Материалы электронной техники. 2003. Т. 1. С. 48.
- Yamaguchi T., Sakamoto N., Tagashira H. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 554. https://doi.org/10.1063/1.366722
- Shimozuma M., Kitamori K., Ohno H., Hasegawa H., Tagashira H.J. // Electron. Mater. 1985. V. 14. P. 573.
- Одномерные параметры шероховатости [Электронный ресурс] / Руководство пользователя Gwyddion. Режим доступа: http://gwyddion.net/ documentation/user-guide-ru/roughness-iso.html.
- Лакеев С.Г., Мисуркин П.И., Поляков Ю.С., Тимашев С.Ф. и др. // Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): сб. науч. тр. М.: МЭИ, 2011. С. 5.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 658 с.
补充文件
