Влияние нейтронного облучения на спектральные характеристики InxGa1 – xN-светодиодов

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния нейтронного излучения на спектральные характеристики светодиодов InxGa1 – xN. Определен механизм, ответственный за изменение спектра излучения светодиодов при воздействии нейтронов. Показана связь между радиационной чувствительностью спектральных характеристик активных областей образцов и составом твердого раствора InxGa1 – xN. Проведен аналитический расчет для оценки возможного максимального смещения спектра свечения светодиодов InxGa1 – xN после нейтронного воздействия.

Об авторах

О. В. Ткачев

Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. академика Е.И. Забабахина

Email: dep5@vniitf.ru
Россия, 456770, Челябинская область, Снежинск

С. М. Дубровских

Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. академика Е.И. Забабахина

Автор, ответственный за переписку.
Email: dep5@vniitf.ru
Россия, 456770, Челябинская область, Снежинск

К. Д. Кокшарова

Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. академика Е.И. Забабахина

Email: dep5@vniitf.ru
Россия, 456770, Челябинская область, Снежинск

А. В. Федорец

Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. академика Е.И. Забабахина

Email: dep5@vniitf.ru
Россия, 456770, Челябинская область, Снежинск

Список литературы

  1. Compton D.M.J., Cesena R.A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1967. V. 14. № 6. P. 55. https://doi.org/10.1109/TNS.1967.4324775
  2. Polimadei R.A., Share S., Epstein A.S., Lynch R.J., Sullivan D. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1974. V. 21. P. 96. https://doi.org/10.1109/TNS.1974.6498911
  3. Hava S., Lam R. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. № 6. P. 2229. https://doi.org/10.1063/1.336364
  4. Comparo J.C., Delcamp S.B., Frueholz R.P. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 11. P. 5323. https://doi.org/10.1063/1.350548
  5. Hava. S. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. № 1. P. 8. https://doi.org/10.1063/1.1419266
  6. Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Труфанов А.Н. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 3. С. 370.
  7. Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. Вып. 12. С. 1336. https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50234.9484
  8. Шукайло В.П., Ткачев О.В., Дубровских С.М., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В. // ВАНТ. Сер. Физика радиационного воздействия на РЭА. 2012. Вып. 4. С. 41.
  9. Оболенский С.В., Шукайло В.П., Ткачев О.В., Дубровских С.М., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В. // Вестн. ННГУ. 2012. № 6(1). С. 51.
  10. Шуберт Ф. Светодиоды / Ред. Юнович А.Э. М.: Физматлит, 2008. 495 с.
  11. Brudnyi V.N., Boiko V.M., Kolin N.G., Kosobutsky A.V., Korulin A.V., Brudnyi P.A., Ermakov V.S. // Semiconductor Sci. Technol. 2018. V. 33. № 9. P. 095011. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad53b
  12. Johnston A.N. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50. № 3. P. 689. https://doi.org/10.1109/TNS.2003.812926
  13. Рыжиков В.И. Контроль радиационной стойкости мощных светодиодов на основе широкозонных полупроводников: Дис. … канд. тех. наук: 05.11.13. М.: МИРЭА, 2004. 100 с.
  14. Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С., Калмыкова И.П., Леденцов Н.Н., Rosenauer A., Neubauer B., Gerthsen D. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. Вып. 6. С. 647.
  15. Gerthsen D., Hahn E., Neubauer B., Potin V., Rosenauer A., Schowalter M. // Phys. Stat. Sol. C. 2003. V. 0. № 6. P. 1668. https://doi.org/10.1002/pssc.200303129
  16. Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 861.
  17. Ершов Е.В., Иванов А.Ф., Найдин А.А., Рогачков О.А., Пермяков В.О., Фомина Е.В. // Ядерная физика и инжиниринг. 2013. Т. 4. № 1. Р. 17. https://doi.org/10.1134/S207956291301003X
  18. Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Синицын М.А., Черкашин Н.А., Карпов С.Ю. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 11. С. 1563. https://doi.org/10.1134/S1063782615110238
  19. Бочкарева Н.И., Шретер Ю.Г. // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. Вып. 7. С. 796. https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46055.8790
  20. Зиновьев Р.А. Исследование дефектов в GaN светодиодах: Дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. М.: МИСиС, 2020. 147 с.

Дополнительные файлы


© О.В. Ткачев, С.М. Дубровских, К.Д. Кокшарова, А.В. Федорец, 2023

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».