Neutron Irradiation Effect on the Spectral Characteristics of In  x  Ga 1 –    x  N LEDs

O. V. Tkachev; Ткачев О. В.; S. M. Dubrovskikh; Дубровских С. М.; K. D. Koksharova; Кокшарова К. Д.; A. V. Fedorets; Федорец А. В.

doi:10.31857/S1028096023040192

Влияние нейтронного облучения на спектральные характеристики In_xGa_{1 –} _xN-светодиодов

Авторы: Ткачев О.В.¹, Дубровских С.М.¹, Кокшарова К.Д.¹, Федорец А.В.¹
Учреждения:
1. Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина
Выпуск: № 9 (2023)
Страницы: 103-109
Раздел: Статьи
URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/137819
DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023040192
EDN: https://elibrary.ru/JMXNSY
ID: 137819

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния нейтронного излучения на спектральные характеристики светодиодов In_xGa_{1 –} _xN. Определен механизм, ответственный за изменение спектра излучения светодиодов при воздействии нейтронов. Показана связь между радиационной чувствительностью спектральных характеристик активных областей образцов и составом твердого раствора In_xGa_{1 –} _xN. Проведен аналитический расчет для оценки возможного максимального смещения спектра свечения светодиодов In_xGa_{1 –} _xN после нейтронного воздействия.

Ключевые слова

светодиод In_xGa_{1 –} _xN, спектр свечения, пиковая длина волны, квантовая яма, флуктуация индия, ширина запрещенной зоны, флуенс нейтронов.

Список литературы

Compton D.M.J., Cesena R.A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1967. V. 14. № 6. P. 55. https://doi.org/10.1109/TNS.1967.4324775
Polimadei R.A., Share S., Epstein A.S., Lynch R.J., Sullivan D. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1974. V. 21. P. 96. https://doi.org/10.1109/TNS.1974.6498911
Hava S., Lam R. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. № 6. P. 2229. https://doi.org/10.1063/1.336364
Comparo J.C., Delcamp S.B., Frueholz R.P. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 11. P. 5323. https://doi.org/10.1063/1.350548
Hava. S. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. № 1. P. 8. https://doi.org/10.1063/1.1419266
Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Труфанов А.Н. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 3. С. 370.
Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. Вып. 12. С. 1336. https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50234.9484
Шукайло В.П., Ткачев О.В., Дубровских С.М., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В. // ВАНТ. Сер. Физика радиационного воздействия на РЭА. 2012. Вып. 4. С. 41.
Оболенский С.В., Шукайло В.П., Ткачев О.В., Дубровских С.М., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В. // Вестн. ННГУ. 2012. № 6(1). С. 51.
Шуберт Ф. Светодиоды / Ред. Юнович А.Э. М.: Физматлит, 2008. 495 с.
Brudnyi V.N., Boiko V.M., Kolin N.G., Kosobutsky A.V., Korulin A.V., Brudnyi P.A., Ermakov V.S. // Semiconductor Sci. Technol. 2018. V. 33. № 9. P. 095011. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad53b
Johnston A.N. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50. № 3. P. 689. https://doi.org/10.1109/TNS.2003.812926
Рыжиков В.И. Контроль радиационной стойкости мощных светодиодов на основе широкозонных полупроводников: Дис. … канд. тех. наук: 05.11.13. М.: МИРЭА, 2004. 100 с.
Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С., Калмыкова И.П., Леденцов Н.Н., Rosenauer A., Neubauer B., Gerthsen D. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. Вып. 6. С. 647.
Gerthsen D., Hahn E., Neubauer B., Potin V., Rosenauer A., Schowalter M. // Phys. Stat. Sol. C. 2003. V. 0. № 6. P. 1668. https://doi.org/10.1002/pssc.200303129
Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 861.
Ершов Е.В., Иванов А.Ф., Найдин А.А., Рогачков О.А., Пермяков В.О., Фомина Е.В. // Ядерная физика и инжиниринг. 2013. Т. 4. № 1. Р. 17. https://doi.org/10.1134/S207956291301003X
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Синицын М.А., Черкашин Н.А., Карпов С.Ю. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 11. С. 1563. https://doi.org/10.1134/S1063782615110238
Бочкарева Н.И., Шретер Ю.Г. // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. Вып. 7. С. 796. https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46055.8790
Зиновьев Р.А. Исследование дефектов в GaN светодиодах: Дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. М.: МИСиС, 2020. 147 с.