Spin-Dependent Phenomena in Semiconductors and Semiconductor/Ferromagnetic Heterostructures


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The present paper considers spin-dependent phenomena in semiconductors and semiconductor/ferromagnet hybrids. The methods of spin generation, spin detection, and spin control are discussed. A close relation of these methods with spin-related phenomena, such as electrical spin injection, spin Hall effect, and tunneling magnetoresistance, is shown. The advantages and disadvantages of spintronic materials (ferromagnetic semiconductors, hybrids semiconductor/ferromagnet, materials with paramagnetic centers, etc.) from the point of view of their utilization in devices are treated.

Об авторах

Yu Kusrayev

Ioffe Institute

Автор, ответственный за переписку.
Email: kusrayev@orient.ioffe.ru
Россия, Politehnicheskaja 26, St. Petersburg, 194021

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Springer-Verlag Wien, 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).