Мақаланы E-mail арқылы жіберу Planar Magnetotransistor with Compensation of Collector Current
- Авторлар: Tikhonov R.D.1
-
Мекемелер:
- Technological Center, National Research University of Electronic Technology (MIET)
- Шығарылым: Том 60, № 8 (2017)
- Беттер: 831-838
- Бөлім: Article
- URL: https://journals.rcsi.science/0543-1972/article/view/246257
- DOI: https://doi.org/10.1007/s11018-017-1278-0
- ID: 246257
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
The design of a magnetotransistor with two contacts to the base for the purpose of increasing the sensitivity of a planar magnetotransistor is investigated. The possibility of creating a magnetotransistor with compensation of collector currents based on the use of the technology of heterojunction bipolar transistors is considered.
Авторлар туралы
R. Tikhonov
Technological Center, National Research University of Electronic Technology (MIET)
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: R.Tikhonov@tcen.ru
Ресей, Moscow
Қосымша файлдар
