Влияние беспорядка на магнитотранспорт в полупроводниковом искусственном графене

В рамках формализма Ландауэра-Бьюттикера промоделирован магнитотранспорт в мезоскопических образцах с полупроводниковым искусственным графеном. Модельные четырехтерминальные системы в высокоподвижном двумерном электронном газе имеют форму квадрата размером 3 ÷ 5мкм, который заполнен короткопериодной (120 нм) слабо разупорядоченной треугольной решеткой антиточек при амплитуде модуляции электростатического потенциала, сравнимой с энергией Ферми. Обнаружено, что при концентрациях носителей в решетке ниже точки Дирака n < n1D в холловском сопротивлении Rxy(B) в диапазоне магнитных полей B = 10 ÷ 50мТл возникает плато дырочного типа Rxy = -R0, а при n > n1D плато электронного типа Rxy = R0, где R0 = h/2e2 = 12.9 кОм. С усилением беспорядка плато разрушаются, но тип носителей (электроны или дырки) сохраняется. При низких магнитных полях длинноволновой беспорядок подавляет плато квантованных сопротивлений гораздо эффективнее, чем коротковолновый.