Modelirovanie protsessa formirovaniya nanoprovodov Ir na poverkhnosti Ge(001)

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Впервые формирование нанопроводов иридия на поверхности Ge(001) было исследовано с использованием теории функционала плотности и кинетического метода Монте-Карло. Выявлено, что адатомы иридия погружаются в поверхностный слой, в котором и происходит их диффузия. Были выявлены основные диффузионные события, определяющие формирование атомных проводов и их форму. Обнаружена анизотропия диффузии атома иридия в поверхностном слое Ge(001). Выявлено, что отталкивание между атомом иридия и димером иридия приводит к формированию нанопроводов, состоящих из димеров, расположенных через один атомный ряд. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.

Авторлар туралы

A. Syromyatnikov

A. Saletskiy

A. Klavsyuk

Әдебиет тізімі

  1. A. L. Klavsyuk and A.M. Saletsky, Usp. Fiz. Nauk 185, 1009 (2015).
  2. A.G. Syromyatnikov, S.V. Kolesnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Usp. Fiz. Nauk 191, 705 (2021).
  3. D.E. P. Vanpoucke, J. Phys.: Condens. Matter 26, 133001 (2014).
  4. J.N. Crain and D.T. Pierce, Science 307, 703 (2005).
  5. S.C. Erwin and F. Himpsel, Nat. Commun. 1, 58 (2010)
  6. J. Park, S.W. Jung, M.-C. Jung, H. Yamane, N. Kosugi, and H.W. Yeom, Phys. Rev. Lett. 110, 036801 (2013).
  7. S. F¨olsch, P. Hyldgaard, R. Koch, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 92, 056803 (2004).
  8. P. Ferstl, L. Hammer, C. Sobel, M. Gubo, K. Heinz, M.A. Schneider, F. Mittendorfer, and J. Redinger, Phys. Rev. Lett. 117, 046101 (2016).
  9. N. Kabanov, R. Heimbuch, H. Zandvliet, A. Saletsky, and A. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
  10. T. F. Mocking, P. Bampoulis, N. Oncel, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Nat. Commun. 4, 2387 (2013).
  11. W. Ernst, K.-L. Jonas, V. von Oeynhausen, C. Tegenkamp, and H. Pfn¨ur, Phys. Rev. B 68, 205303 (2003).
  12. J. Wang, M. Li, and E. I. Altman, Phys. Rev. B 70, 233312 (2004).
  13. J. Tonh¨auser, E. Atiawotse, U. K¨urpick, and R. Matzdorf, Surf. Sci. 720, 122053 (2022).
  14. O. Gurlu, O.A.O. Adam, H. J.W. Zandvliet, and B. Poelsema, Appl. Phys. Lett. 83, 4610 (2003).
  15. A. van Houselt, T. Gnielka, J.M. Aan de Brugh, N. Oncel, D. Kockmann, R. Heid, K.-P. Bohnen, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Surf. Sci. 602, 1731 (2008).
  16. N. S. Kabanov, R. Heimbuch, H. J.W. Zandvliet, A.M. Saletsky, and A.L. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
  17. H. J.W. Zandvliet, Phys. Rep. 388, 1 (2003).
  18. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993).
  19. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994).
  20. G. Kresse and J. Furthm¨uller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  21. G. Kresse and J. Furthm?ller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996).
  22. G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999).
  23. J.P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  24. H. Monkhorst and J. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
  25. M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, H. J. Zandvliet, A. L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Appl. Surf. Sci. 594, 153364 (2022).
  26. ¨Ozlem Kap, N. Kabanov, M. Tsvetanova, C. Varlikli, A. L. Klavsyuk, H. J.W. Zandvliet, and K. Sotthewes, J. Phys. Chem. C 124, 11977 (2020).
  27. M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, T. van der Meer, A. van Houselt, H. J.W. Zandvliet, A.L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Langmuir 38, 10202 (2022).
  28. K.A. Fichthorn and W.H. Weinberg, J. Chem. Phys. 95, 1090 (1991).
  29. K. Bromann, H. Brune, H. R¨oder, and K. Kern, Phys. Rev. Lett. 75, 677 (1995).
  30. A. Chatterjee and A.F. Voter, J. Chem. Phys. 132, 194101 (2010).
  31. Д. Френкель, Б. Смит, Принципы компьютерного моделирования молекулярных систем, Научный мир, М. (2013).
  32. A.G. Syromyatnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Surf. Sci. 693, 121528 (2020).
  33. А. Г. Сыромятников, А.М. Салецкий, А.Л. Клавсюк, Письма в ЖЭТФ 110, 331 (2019).

© Российская академия наук, 2024

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>