Modelirovanie protsessa formirovaniya nanoprovodov Ir na poverkhnosti Ge(001)

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Впервые формирование нанопроводов иридия на поверхности Ge(001) было исследовано с использованием теории функционала плотности и кинетического метода Монте-Карло. Выявлено, что адатомы иридия погружаются в поверхностный слой, в котором и происходит их диффузия. Были выявлены основные диффузионные события, определяющие формирование атомных проводов и их форму. Обнаружена анизотропия диффузии атома иридия в поверхностном слое Ge(001). Выявлено, что отталкивание между атомом иридия и димером иридия приводит к формированию нанопроводов, состоящих из димеров, расположенных через один атомный ряд. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.

Bibliografia

  1. A. L. Klavsyuk and A.M. Saletsky, Usp. Fiz. Nauk 185, 1009 (2015).
  2. A.G. Syromyatnikov, S.V. Kolesnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Usp. Fiz. Nauk 191, 705 (2021).
  3. D.E. P. Vanpoucke, J. Phys.: Condens. Matter 26, 133001 (2014).
  4. J.N. Crain and D.T. Pierce, Science 307, 703 (2005).
  5. S.C. Erwin and F. Himpsel, Nat. Commun. 1, 58 (2010)
  6. J. Park, S.W. Jung, M.-C. Jung, H. Yamane, N. Kosugi, and H.W. Yeom, Phys. Rev. Lett. 110, 036801 (2013).
  7. S. F¨olsch, P. Hyldgaard, R. Koch, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 92, 056803 (2004).
  8. P. Ferstl, L. Hammer, C. Sobel, M. Gubo, K. Heinz, M.A. Schneider, F. Mittendorfer, and J. Redinger, Phys. Rev. Lett. 117, 046101 (2016).
  9. N. Kabanov, R. Heimbuch, H. Zandvliet, A. Saletsky, and A. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
  10. T. F. Mocking, P. Bampoulis, N. Oncel, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Nat. Commun. 4, 2387 (2013).
  11. W. Ernst, K.-L. Jonas, V. von Oeynhausen, C. Tegenkamp, and H. Pfn¨ur, Phys. Rev. B 68, 205303 (2003).
  12. J. Wang, M. Li, and E. I. Altman, Phys. Rev. B 70, 233312 (2004).
  13. J. Tonh¨auser, E. Atiawotse, U. K¨urpick, and R. Matzdorf, Surf. Sci. 720, 122053 (2022).
  14. O. Gurlu, O.A.O. Adam, H. J.W. Zandvliet, and B. Poelsema, Appl. Phys. Lett. 83, 4610 (2003).
  15. A. van Houselt, T. Gnielka, J.M. Aan de Brugh, N. Oncel, D. Kockmann, R. Heid, K.-P. Bohnen, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Surf. Sci. 602, 1731 (2008).
  16. N. S. Kabanov, R. Heimbuch, H. J.W. Zandvliet, A.M. Saletsky, and A.L. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
  17. H. J.W. Zandvliet, Phys. Rep. 388, 1 (2003).
  18. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993).
  19. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994).
  20. G. Kresse and J. Furthm¨uller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  21. G. Kresse and J. Furthm?ller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996).
  22. G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999).
  23. J.P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  24. H. Monkhorst and J. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
  25. M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, H. J. Zandvliet, A. L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Appl. Surf. Sci. 594, 153364 (2022).
  26. ¨Ozlem Kap, N. Kabanov, M. Tsvetanova, C. Varlikli, A. L. Klavsyuk, H. J.W. Zandvliet, and K. Sotthewes, J. Phys. Chem. C 124, 11977 (2020).
  27. M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, T. van der Meer, A. van Houselt, H. J.W. Zandvliet, A.L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Langmuir 38, 10202 (2022).
  28. K.A. Fichthorn and W.H. Weinberg, J. Chem. Phys. 95, 1090 (1991).
  29. K. Bromann, H. Brune, H. R¨oder, and K. Kern, Phys. Rev. Lett. 75, 677 (1995).
  30. A. Chatterjee and A.F. Voter, J. Chem. Phys. 132, 194101 (2010).
  31. Д. Френкель, Б. Смит, Принципы компьютерного моделирования молекулярных систем, Научный мир, М. (2013).
  32. A.G. Syromyatnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Surf. Sci. 693, 121528 (2020).
  33. А. Г. Сыромятников, А.М. Салецкий, А.Л. Клавсюк, Письма в ЖЭТФ 110, 331 (2019).

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024

Este site utiliza cookies

Ao continuar usando nosso site, você concorda com o procedimento de cookies que mantêm o site funcionando normalmente.

Informação sobre cookies