Modelirovanie protsessa formirovaniya nanoprovodov Ir na poverkhnosti Ge(001)
- Autores: Syromyatnikov A.1, Saletskiy A.1, Klavsyuk A.1
-
Afiliações:
- Edição: Volume 120, Nº 3-4 (2024)
- Páginas: 273–278
- Seção: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0370-274X/article/view/262262
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24080192
- EDN: https://elibrary.ru/AJJZVF
- ID: 262262
Citar
Resumo
Впервые формирование нанопроводов иридия на поверхности Ge(001) было исследовано с использованием теории функционала плотности и кинетического метода Монте-Карло. Выявлено, что адатомы иридия погружаются в поверхностный слой, в котором и происходит их диффузия. Были выявлены основные диффузионные события, определяющие формирование атомных проводов и их форму. Обнаружена анизотропия диффузии атома иридия в поверхностном слое Ge(001). Выявлено, что отталкивание между атомом иридия и димером иридия приводит к формированию нанопроводов, состоящих из димеров, расположенных через один атомный ряд. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.
Bibliografia
- A. L. Klavsyuk and A.M. Saletsky, Usp. Fiz. Nauk 185, 1009 (2015).
- A.G. Syromyatnikov, S.V. Kolesnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Usp. Fiz. Nauk 191, 705 (2021).
- D.E. P. Vanpoucke, J. Phys.: Condens. Matter 26, 133001 (2014).
- J.N. Crain and D.T. Pierce, Science 307, 703 (2005).
- S.C. Erwin and F. Himpsel, Nat. Commun. 1, 58 (2010)
- J. Park, S.W. Jung, M.-C. Jung, H. Yamane, N. Kosugi, and H.W. Yeom, Phys. Rev. Lett. 110, 036801 (2013).
- S. F¨olsch, P. Hyldgaard, R. Koch, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 92, 056803 (2004).
- P. Ferstl, L. Hammer, C. Sobel, M. Gubo, K. Heinz, M.A. Schneider, F. Mittendorfer, and J. Redinger, Phys. Rev. Lett. 117, 046101 (2016).
- N. Kabanov, R. Heimbuch, H. Zandvliet, A. Saletsky, and A. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
- T. F. Mocking, P. Bampoulis, N. Oncel, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Nat. Commun. 4, 2387 (2013).
- W. Ernst, K.-L. Jonas, V. von Oeynhausen, C. Tegenkamp, and H. Pfn¨ur, Phys. Rev. B 68, 205303 (2003).
- J. Wang, M. Li, and E. I. Altman, Phys. Rev. B 70, 233312 (2004).
- J. Tonh¨auser, E. Atiawotse, U. K¨urpick, and R. Matzdorf, Surf. Sci. 720, 122053 (2022).
- O. Gurlu, O.A.O. Adam, H. J.W. Zandvliet, and B. Poelsema, Appl. Phys. Lett. 83, 4610 (2003).
- A. van Houselt, T. Gnielka, J.M. Aan de Brugh, N. Oncel, D. Kockmann, R. Heid, K.-P. Bohnen, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Surf. Sci. 602, 1731 (2008).
- N. S. Kabanov, R. Heimbuch, H. J.W. Zandvliet, A.M. Saletsky, and A.L. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
- H. J.W. Zandvliet, Phys. Rep. 388, 1 (2003).
- G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993).
- G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994).
- G. Kresse and J. Furthm¨uller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
- G. Kresse and J. Furthm?ller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996).
- G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999).
- J.P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
- H. Monkhorst and J. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
- M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, H. J. Zandvliet, A. L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Appl. Surf. Sci. 594, 153364 (2022).
- ¨Ozlem Kap, N. Kabanov, M. Tsvetanova, C. Varlikli, A. L. Klavsyuk, H. J.W. Zandvliet, and K. Sotthewes, J. Phys. Chem. C 124, 11977 (2020).
- M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, T. van der Meer, A. van Houselt, H. J.W. Zandvliet, A.L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Langmuir 38, 10202 (2022).
- K.A. Fichthorn and W.H. Weinberg, J. Chem. Phys. 95, 1090 (1991).
- K. Bromann, H. Brune, H. R¨oder, and K. Kern, Phys. Rev. Lett. 75, 677 (1995).
- A. Chatterjee and A.F. Voter, J. Chem. Phys. 132, 194101 (2010).
- Д. Френкель, Б. Смит, Принципы компьютерного моделирования молекулярных систем, Научный мир, М. (2013).
- A.G. Syromyatnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Surf. Sci. 693, 121528 (2020).
- А. Г. Сыромятников, А.М. Салецкий, А.Л. Клавсюк, Письма в ЖЭТФ 110, 331 (2019).