Identifikatsiya opticheski aktivnykh kvartetnykh spinovykh tsentrov na osnove vakansii kremniya v SiC, perspektivnykh dlya kvantovykh tekhnologiy

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Optically active (bright) and optically inactive (dark) quartet S = 3/2 spin color centers including a negatively charged Si vacancy have been identified in silicon carbide using high-frequency electron nuclear double resonance on the nuclei of the 13C isotope, enhanced by a tenfold increase in its content. The alignment of populations of spin levels is optically induced in a bright center promising for quantum technologies, whereas the populations of spin levels in a dark center, which is an isolated negatively charged Si vacancy V-Si, correspond to a Boltzmann distribution and do not change under optical excitation.

Авторлар туралы

R. Babunts

Ioffe Institute

Email: yulia.uspenskaya@mail.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

Yu. Uspenskaya

Ioffe Institute

Email: yulia.uspenskaya@mail.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

A. Bundakova

Ioffe Institute

Email: yulia.uspenskaya@mail.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

G. Mamin

Kazan Federal University

Email: yulia.uspenskaya@mail.ioffe.ru
420008, Kazan, Russia

E. Mokhov

Ioffe Institute

Email: yulia.uspenskaya@mail.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

P. Baranov

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: yulia.uspenskaya@mail.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

Әдебиет тізімі

  1. P.G. Baranov, I.V. Il'in, E.N. Mokhov, M.V. Muzafarova, S.B. Orlinskii, and J. Schmidt, JETP Lett. 82, 441 (2005).
  2. P.G. Baranov, A.P. Bundakova, I.V. Borovykh, S.B. Orlinskii, R. Zondervan, and J. Schmidt, JETP Lett. 86, 202 (2007).
  3. P.G. Baranov, A.P. Bundakova, A.A. Soltamova, S.B. Orlinskii, I.V. Borovykh, R. Zondervan, R. Verberk, and J. Schmidt, Phys. Rev. B 83, 125203 (2011).
  4. W. F. Koehl, B. B. Buckley, F. J. Heremans, G. Calusine, and D.D. Awschalom, Nature 479, 84 (2011).
  5. V.A. Soltamov, A.A. Soltamova, P.G. Baranov, and I. I. Proskuryakov, Phys. Rev. Lett. 108, 226402 (2012).
  6. D. Riedel, F. Fuchs, H. Kraus, S. V¨ath, A. Sperlich, V. Dyakonov, A.A. Soltamova, P.G. Baranov, V.A. Ilyin, and G.V. Astakhov, Phys. Rev. Lett. 109, 226402 (2012).
  7. H. Kraus, V.A. Soltamov, D. Riedel, S. V¨ath, F. Fuchs, A. Sperlich, P.G. Baranov, V. Dyakonov, and G.V. Astakhov, Nat. Phys. 10, 157 (2014).
  8. V.A. Soltamov, B.V. Yavkin, D.O. Tolmachev, R.A. Babunts, A.G. Badalyan, V.Yu. Davydov, E.N. Mokhov, I. I. Proskuryakov, S.B. Orlinskii, and P.G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 115, 247602 (2015).
  9. M. Widmann, S.-Y. Lee, T. Rendler, N.T. Son, H. Fedder, S. Paik, L.-P. Yang, N. Zhao, S. Yang, I. Booker, A. Denisenko, M. Jamali, S.A. Momenzadeh, I. Gerhardt, T. Ohshima, A. Gali, E. Janzıen, and J. Wrachtrup, Nat. Mater. 14, 164 (2015).
  10. C. J. Cochrane, J. Blacksberg, M.A. Anders, and P.M. Lenahan, Sci. Rep. 6, 37077 (2016).
  11. P.G. Baranov, H.-J. von Bardeleben, F. Jelezko, and J. Wrachtrup, Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures: Basic and Advanced Applications, Springer Series in Materials Science, Springer-Verlag GmbH Austria (2017), v. 253, ch. 6.
  12. S.A. Tarasenko, A.V. Poshakinskiy, D. Simin, V.A. Soltamov, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, V. Dyakonov, and G.V. Astakhov, Phys. Status Solidi B 255, 1700258 (2018).
  13. V.A. Soltamov, C. Kasper, A.V. Poshakinskiy, A.N. Anisimov, E.N. Mokhov, A. Sperlich, S.A. Tarasenko, P.G. Baranov, G.V. Astakhov, and V. Dyakonov, Nat. Commun. 10, 678 (2019).
  14. Р.А. Бабунц, Ю.А. Успенская, А.С. Гурин, А.П. Бундакова, Г.В. Мамин, А.Н. Анисимов, Е.Н. Мохов, П. Г. Баранов, Письма в ЖЭТФ 116(7), 481 (2022)
  15. JETP Lett. 116(7), 485 (2022).
  16. Р.А. Бабунц, Ю.А. Успенская, А.П. Бундакова, Г.В. Мамин, А.Н. Анисимов, П.Г. Баранов, Письма в ЖЭТФ 11(11), 763 (2022)
  17. JETP Lett. 116(11), 785 (2022).
  18. V.A. Soltamov, B.V. Yavkin, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, I.D. Breev, A.P. Bundakova, R.A. Babunts, A.N. Anisimov, and P.G. Baranov, Phys. Rev. B 104, 125205 (2021).
  19. V. Ivady, J. Davidsson, N.T. Son, T. Ohshima, I. Abrikosov, and A. Gali, Phys. Rev. B 96, 161114(R) (2017).
  20. T. Wimbauer, B.K. Meyer, A. Hofstaetter, A. Scharmann, and H. Overhof, Phys. Rev. B 56, 7384 (1997).
  21. S.B. Orlinski, J. Schmidt, E.N. Mokhov, and P.G. Baranov, Phys. Rev. B 67, 125207 (2003).
  22. A. Csore, N.T. Son, and A. Gali, Phys. Rev. B 104, 035207 (2021).
  23. П. Г. Баранов, Р.А. Бабунц, А.А. Солтамова, В.А. Солтамов, А.П. Бундакова, Активный материал для мазера с оптической накачкой и мазер с оптической накачкой, Патент РФ #2523744, тип: Изобретение, Приоритет изобретения 24.08.2012, Зарегистрировано в Госреестре 28.05.2014.
  24. A. Gruber, A. Dr¨abenstedt, C. Tietz, L. Fleury, J. Wrachtrup, and C. von Borczyskowski, Science 276, 2012 (1997).
  25. A. Drabenstedt, L. Fleury, C. Tietz, F. Jelezko, S. Kilin, A. Nizovtzev, and J.Wrachtrup, Phys. Rev. B 60, 11503 (1999).

© Российская академия наук, 2023

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>