Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN
- Авторы: Иванов А.А.1, Чалдышев В.В.1, Заварин Е.Е.1, Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Цацульников А.Ф.2
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук”
- Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
- Страницы: 892-895
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135415
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701545
- EDN: https://elibrary.ru/VNGBLG
- ID: 135415
Цитировать
Аннотация
Измерены спектры отражения от резонансной брэгговской структуры с 30 квантовыми ямами GaN/AlGaN при комнатной температуре. Численное моделирование с использованием метода матриц переноса дало количественную точную подгонку экспериментальных результатов. Определены параметры излучательного и безызлучательного уширения экситона в квантовых ямах GaN/AlGaN.
Об авторах
А. А. Иванов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
В. В. Чалдышев
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Автор, ответственный за переписку.
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
Е. Е. Заварин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
А. В. Сахаров
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
В. В. Лундин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
А. Ф. Цацульников
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук”
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
Список литературы
- Ивченко Е.Л., Несвижский А.И., Йорда С. // ФТТ. 1994. Т. 36. № 7. С. 2118.
- Kochereshko V.P., Pozina G.R., Ivchenko E.L. et al. // Superlattices Microstruct. 1994. V. 15. No. 4. P. 471.
- Ивченко Е.Л., Кочерешко В.П., Платонов А.В. и др. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 11. С. 2072; Ivchenko E.L., Kochereshko V.P., Platonov A.V. et al. // Phys. Solid State. 1997. V. 39. No. 11. P. 1852.
- d’Aubigné Y.M., Wasiela A., Mariette H., Dietl T. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 19. P. 14003.
- Sadowski J., Mariette H., Wasiela A. et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. No. 4. Art. No. R1664.
- Hayes G.R., Staehli J.L., Oesterle U. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. No. 14. P. 2837.
- Hübner M., Prineas J.P., Ell C. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. No. 14. P. 2841.
- Prineas J.P., Ell C., Lee E.S. et al. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. No. 20. P. 13863.
- Goldberg D., Deych L.I., Lisyansky A.A. et al. // Nature. Photon. 2009. V. 3. P. 662.
- Chaldyshev V.V., Chen Y., Poddubny A.N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. No. 7. Art. No. 073112.
- Чалдышев В.В., Кунделев Е.В., Никитина Е.В. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 8. С. 1039. Chaldyshev V.V., Kundelev E.V., Nikitina E.V. et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 8. P. 1016.
- Chaldyshev V.V., Bolshakov A.S., Zavarin E.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. No. 25. Art. No. 251103.
- Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2020. V. 1697. Art. No. 012153.
- Иванов А.А., Чалдышев В.В., Заварин Е.Е. и др. // ФТП. 2021. Т. 55. № 9. С. 733; Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // Semiconductors. 2021. V. 55. No. 1. P. S49.
- Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Ushanov V.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2022. V. 121. No. 4. Art. No. 041101.
- Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 10. С. 1357; Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Zavarin E.E. et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 10. P. 1281.
- Sakharov A.V., Lundin W.V., Usikov A.S. et al. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1998. V. 3. No. 1. Art. No. 28.
- Dadgar A., Veit P., Schulze F. et al. // Thin Solid Films. 2007. V. 515. No. 10. P. 4356.
- Tisch U., Meyler B., Katz O. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 5. P. 2676.
- Ивченко Е.Л. // ФТП. 1991. Т. 33. № 8. С. 2388.
- Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. No. 13. Art. No. 133101.
Дополнительные файлы
![](/img/style/loading.gif)