Отправить статью по E-mail Эволюция мод магнитного туннельного перехода при изменении направления внешнего магнитного поля
- Авторы: Шканакина М.Д.1,2, Кичин Г.А.1, Скирдков П.Н.1,3, Путря М.Г.2, Звездин К.А.1,3
-
Учреждения:
- Общество с ограниченной ответственностью “Новые спинтронные технологии”, Российский квантовый центр
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр “Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук”
- Выпуск: Том 87, № 1 (2023)
- Страницы: 109-114
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135257
- DOI: https://doi.org/10.31857/S036767652270020X
- EDN: https://elibrary.ru/JTZPNY
- ID: 135257
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Выполнено экспериментальное исследование влияния величины и направления внешнего магнитного поля на динамику намагниченности свободного слоя в магнитных туннельных переходах диаметром 100, 150 и 250 нм. В образцах малого диаметра (100 нм) обнаружены две моды свободного слоя. Первая мода является менее чувствительной к величине и направлению внешнего магнитного поля по отношению ко второй моде, которая смещается в частотной области. С увеличением геометрических размеров магнитных туннельных переходов наблюдалась неоднородность намагниченности свободного слоя в малых полях, а также идентифицирована мода, не чувствительная к направлению внешнего магнитного поля. Проведено макроспиновое моделирование поведения однородной моды свободного слоя формы: диска и эллипса, при фиксированной величине и различных направлениях внешнего магнитного поля.
Об авторах
М. Д. Шканакина
Общество с ограниченной ответственностью“Новые спинтронные технологии”, Российский квантовый центр; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”
Автор, ответственный за переписку.
Email: m.shkanakina@nst.tech
Россия, Сколково; Россия, Москва
Г. А. Кичин
Общество с ограниченной ответственностью“Новые спинтронные технологии”, Российский квантовый центр
Email: m.shkanakina@nst.tech
Россия, Сколково
П. Н. Скирдков
Общество с ограниченной ответственностью“Новые спинтронные технологии”, Российский квантовый центр; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр
“Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук”
Email: m.shkanakina@nst.tech
Россия, Сколково; Россия, Москва
М. Г. Путря
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”
Email: m.shkanakina@nst.tech
Россия, Москва
К. А. Звездин
Общество с ограниченной ответственностью“Новые спинтронные технологии”, Российский квантовый центр; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр
“Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук”
Email: m.shkanakina@nst.tech
Россия, Сколково; Россия, Москва
Список литературы
- Lenz J., Edelstein A.S. // IEEE Sens. J. 2006. No. 6. P. 631.
- Kiselev S.I., Sankey J.C., Krivorotov I.N. et al. // Nature. 2003. V. 425. P. 380.
- Katine J.A., Albert F.J., Buhrman R.A. et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 84. No. 14. P. 3149.
- Hosomi M., Yamagishi H., Yamamoto T. et al. // Proc. IEDM’06 Tech. Dig. (San Francisco, 2006) P. 473.
- Houssameddine D., Ebels U., Delaȅt B. et al. // Nature Mater. 2007. V. 6. P. 447.
- Skirdkov P.N., Zvezdin K.A. // Annu. Phys. 2020. V. 532. No. 6. Art. No. 1900460.
- Kawahara T., Takemura R., Miura K. et al. // Proc. ISSCC 2007 Tech. Dig. (San Francisco, 2007) P. 480.
- Fang B., Carpentieri M., Louis S. et al. // Phys. Rev. Appl. 2019. No. 11. Art. No. 014022.
- Sankey J.C., Cui J.-T., Sun J.Z. et al. // Nature Phys. 2008. V. 4. P. 67.
- Zeng Z., Cheung K.H., Jiang H.W. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. No. 10. Art. No. 100410(R).
- Helmer A., Cornelissen S., Devolder T. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. No. 9. Art. No. 094416.
Дополнительные файлы
