Modification of the implanted silicon surface by a powerful light pulse

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

We studied the possibility of modifying the near-surface silicon layer before and after ion implantation, followed by pulsed light annealing, in order to structure the surface of the substrates in order to increase the efficiency of their use in solar energy. The results were compared with the data obtained on monocrystalline and implanted germanium.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

B. Farrakhov

Federal Research Center Kazan Scientific Center of Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: bulat_f@mail.ru

Zavoisky Physical-Technical Institute

Ресей, Kazan

Ya. Fattakhov

Federal Research Center Kazan Scientific Center of Russian Academy of Sciences

Email: bulat_f@mail.ru

Zavoisky Physical-Technical Institute

Ресей, Kazan

A. Stepanov

Federal Research Center Kazan Scientific Center of Russian Academy of Sciences

Email: bulat_f@mail.ru

Zavoisky Physical-Technical Institute

Ресей, Kazan

Әдебиет тізімі

  1. Королева Д.А., Целищев В.А., Шайдаков В.В. Солнечная энергетика. М.: Инфа-Инженирия, 2023. 140 с.
  2. Смердов Р.С. // Физ. образ. в вузах. 2019. Т. 25. № 2. С. 276.
  3. Codrin A., Elena L., Stephen C. // PLoS ONE. 2014. V. 9. No. 10. Art. No. e109836.
  4. Аржанов А.И., Савостьянов А.О., Магарян К.А. и др. // Фотоника. 2022. Т. 16. № 2. С. 96; Arzhanov A.I., Savostianov A.O., Magaryan K.A. et al. // Photonics Russ. 2022. V. 16. No. 2. P. 96.
  5. Lima Monteiro D., Honorato F., Oliveira Costa R., Salles L. // Int. J. Photoener. 2012. V. 2012. Art. No. ID743608.
  6. Macdonald D., Cuevas A., Kerr M. et al. // Proc. Solar World Congress (Adelaide, 2001). P. 1.
  7. Томаев В.В., Полищук В.А., Леонов Н.Б., Вартанян Т.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 10. С. 1446; Tomaev V.V., Polishchuk V.A., Leonov N.B., Vartanyan T.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 10. P. 1478.
  8. Lima Monteiro D.W., Akhzar-Mehr O., Sarro P.M., Vdovin G. // Opt. Express. 2003. V. 11. No. 18. P. 2244.
  9. Rebecca S. // Progr. Photovolt. Res. Appl. 2021. V. 29. P. 1125.
  10. Hyeon-Seung L., Jaekwon S., Hyeyeon K. et al. // Sci. Reports. 2018. V. 8. Art. No. 3504.
  11. Гончар К.А., Божьев И.В., Шалыгина О.А., Осминкина Л.А. // Письма в ЖЭТФ. 2023. Т. 117. № 2. С. 115; Gonchar K.A, Bozh’ev I.V., Shalygina O.A., Osminkina L.A. // JETP Lett. 2023. V. 117. No. 2. P. 111.
  12. Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.В., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. // Опт. и спектроск. 2000. Т. 89. № 1. С. 182; Galyautdinov M.F., Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V., Zakharov M.V. // Opt. Spectrosc. 2009. V. 107. No. 1. P. 640.
  13. Фаррахов Б.Ф., Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф. // ПТЭ. 2019. № 2. С. 93; Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V., Galyautdinov M.F. // Instrum. Exp. Tech. 2019. V. 62. P. 226.
  14. Stepanov A.L., Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V. et al. // Vacuum. 2021. V. 186. Art. No. 110060.
  15. Гаврилова Т.П., Фаррахов Б.Ф., Фаттахов Я.В. и др. // ЖТФ. 2022. Т. 96. № 12. С. 1827; Gavrilova T.P., Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V. et al. // Tech. Phys. 2022. V. 67. No. 12. P. 1586.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Photographs of the surface of KDB-1 (111) silicon implanted with 50 keV P+ phosphorus ions at a dose of 3.12⋅1015 cm−2 through a 40 μm metal grid after pulsed light annealing on UOL.P-1 with power densities of 60 (a), 240 (b), 900 W⋅cm−2 (c) and durations of 3.5 (a), 750 (b), and 120 ms (c), respectively. Photographs of unimplanted KDB-1 (100) silicon after pulsed light annealing on UOL.P-1 with a power density of 1200 W⋅cm−2 and durations of 70 (d) and 90 ms (d) (the surface was polished before annealing).

Жүктеу (351KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Photographs of the surface of non-implanted silicon KDB-1 (100) (a), (111) (b, c) after pulsed light annealing on the Impulse-6 setup with a power density of 20 W⋅cm−2 and durations of 5 (a), 10 (b) and 15 s (c), respectively. Photographs of germanium implanted with Ag+ ions with an energy of 30 keV and a dose of 1.5⋅1017 cm−2, annealed with light pulses with a power density of 10 W⋅cm−2 and durations of 6 (d) and 4.5 s (d).

Жүктеу (350KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».