Email this article Two-dimensional graphene superlattice conductivity control by transverse electric fields
- Authors: Glazov S.Y.1,2, Mescheryakova N.E.2, Podgornaya I.A.1,2
-
Affiliations:
- Volgograd State Socio-Pedagogical University
- Volgograd State Medical University
- Issue: Vol 87, No 1 (2023)
- Pages: 34-37
- Section: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135243
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522700065
- EDN: https://elibrary.ru/JINJLB
- ID: 135243
Cite item
Open Access
Access granted
Subscription Access
Abstract
The possibility of controlling the conductivity of a graphene superlattice by transverse constant and alternating electric fields due to the nonadditivity of its energy spectrum is investigated. A technique is proposed for identifying the parameter areas of the applied fields in which conductivity control is most effective.
About the authors
S. Yu. Glazov
Volgograd State Socio-Pedagogical University; Volgograd State Medical University
Author for correspondence.
Email: ser-glazov@yandex.ru
Russia, 400005, Volgograd; Russia, 400131, Volgograd
N. E. Mescheryakova
Volgograd State Medical University
Email: ser-glazov@yandex.ru
Russia, 400131, Volgograd
I. A. Podgornaya
Volgograd State Socio-Pedagogical University; Volgograd State Medical University
Email: ser-glazov@yandex.ru
Russia, 400005, Volgograd; Russia, 400131, Volgograd
References
- Завьялов Д.В., Конченков В.И., Крючков С.В. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 10. С. 2033; Zav’yalov D.V., Konchenkov V.I., Kryuchkov S.V. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. P. 2157.
- Завьялов Д.В., Конченков В.И., Крючков С.В. // ФТП. 2012. Т. 46. № 1. С. 113; Zav’yalov D.V., Konchenkov V.I., Kryuchkov S.V. // Semiconductors. 2012. V. 46. P. 109.
- Крючков С.В., Кухарь Е.И. // ФТП. 2016. Т. 50. № 2. С. 218; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 217.
- Глазов С.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 1. С. 19; Glazov S.Yu. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 1. P. 12.
- Крючков С.В., Кухарь Е.И., Яковенко В.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74. № 12. С. 1759; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I., Yakovenko V.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2010. V. 74. No. 12. P. 1679.
- Крючков С.В., Кухарь Е.И. // ФТП. 2012. Т. 46. № 5. С. 684; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 5. P. 666.
- Кухарь Е.И., Крючков, С.В., Ионкина Е.С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 218; Kukhar E.I., Kryuchkov S.V., Ionkina E.S. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 1. P. 47.
- Forsythe C., Zhou X., Watanabe K. et al. // Nature Nanotechnol. 2018. V. 13. P. 566.
- Zhang Y., Kim Y., Gilbert M.J. et al. // NPJ 2D Mat. Appl. 2018. V. 2. P. 31.
- Kryuchkov S.V., Popov C.A. // J. Nano-Electron. Phys. 2017. V. 9. No. 2. P. 02013.
- Kryuchkov S.V., Popov C.A. // Proc. 2017 IEEE 7th Int. Conf. Nanomat. Appl. Prop. (Odessa, 2017). Art. No. 03CBN09.
- Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // ФТП. 2019. Т. 53. № 7. С. 927; Badikova P.V., Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 7. P. 911.
- Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 1. С. 128; Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 1. P. 98.
- Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 1. С. 38; Badikova P.V., Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 1. P. 30.
- Басс Ф.Г., Булгаков А.А., Тетервов А.П. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. М.: Наука, 1989.
Supplementary files
