Two-dimensional graphene superlattice conductivity control by transverse electric fields

S. Yu. Glazov; Глазов С. Ю.; N. E. Mescheryakova; Мещерякова Н. Е.; I. A. Podgornaya; Подгорная И. А.

doi:10.31857/S0367676522700065

Two-dimensional graphene superlattice conductivity control by transverse electric fields

Авторлар: Glazov S.¹^,2, Mescheryakova N.², Podgornaya I.¹^,2
Мекемелер:
1. Volgograd State Socio-Pedagogical University
2. Volgograd State Medical University
Шығарылым: Том 87, № 1 (2023)
Беттер: 34-37
Бөлім: Articles
URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135243
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522700065
EDN: https://elibrary.ru/JINJLB
ID: 135243

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The possibility of controlling the conductivity of a graphene superlattice by transverse constant and alternating electric fields due to the nonadditivity of its energy spectrum is investigated. A technique is proposed for identifying the parameter areas of the applied fields in which conductivity control is most effective.

Авторлар туралы

S. Glazov

Volgograd State Socio-Pedagogical University; Volgograd State Medical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ser-glazov@yandex.ru
Russia, 400005, Volgograd; Russia, 400131, Volgograd

N. Mescheryakova

Volgograd State Medical University

Email: ser-glazov@yandex.ru
Russia, 400131, Volgograd

I. Podgornaya

Volgograd State Socio-Pedagogical University; Volgograd State Medical University

Email: ser-glazov@yandex.ru
Russia, 400005, Volgograd; Russia, 400131, Volgograd

Әдебиет тізімі

Завьялов Д.В., Конченков В.И., Крючков С.В. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 10. С. 2033; Zav’yalov D.V., Konchenkov V.I., Kryuchkov S.V. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. P. 2157.
Завьялов Д.В., Конченков В.И., Крючков С.В. // ФТП. 2012. Т. 46. № 1. С. 113; Zav’yalov D.V., Konchenkov V.I., Kryuchkov S.V. // Semiconductors. 2012. V. 46. P. 109.
Крючков С.В., Кухарь Е.И. // ФТП. 2016. Т. 50. № 2. С. 218; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 217.
Глазов С.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 1. С. 19; Glazov S.Yu. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 1. P. 12.
Крючков С.В., Кухарь Е.И., Яковенко В.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74. № 12. С. 1759; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I., Yakovenko V.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2010. V. 74. No. 12. P. 1679.
Крючков С.В., Кухарь Е.И. // ФТП. 2012. Т. 46. № 5. С. 684; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 5. P. 666.
Кухарь Е.И., Крючков, С.В., Ионкина Е.С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 218; Kukhar E.I., Kryuchkov S.V., Ionkina E.S. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 1. P. 47.
Forsythe C., Zhou X., Watanabe K. et al. // Nature Nanotechnol. 2018. V. 13. P. 566.
Zhang Y., Kim Y., Gilbert M.J. et al. // NPJ 2D Mat. Appl. 2018. V. 2. P. 31.
Kryuchkov S.V., Popov C.A. // J. Nano-Electron. Phys. 2017. V. 9. No. 2. P. 02013.
Kryuchkov S.V., Popov C.A. // Proc. 2017 IEEE 7th Int. Conf. Nanomat. Appl. Prop. (Odessa, 2017). Art. No. 03CBN09.
Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // ФТП. 2019. Т. 53. № 7. С. 927; Badikova P.V., Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 7. P. 911.
Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 1. С. 128; Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 1. P. 98.
Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 1. С. 38; Badikova P.V., Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 1. P. 30.
Басс Ф.Г., Булгаков А.А., Тетервов А.П. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. М.: Наука, 1989.