Кластерная самоорганизация интерметаллических систем: кластеры-прекурсоры K3, K4, K6 для самосборки кристаллических структур семейства Ce4Pt14Si8-oP52 И Ce6Pd8Sn12-oP52

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур семейства Ce4Pt14Si8-oP52 (a = 19.633 Å, b = 4.036 Å, c = 11.224 Å, V = 889.4 Å3), Ce6Pd8Sn12-oP52 (a = 27.701 Å, b = 4.614 Å, c = 9.371 Å, V = 1198.02 Å3). Для кристаллической структуры Ce4Pt14Si8-oP52 установлен 21 вариант выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (6 вариантов) и 3 (9 вариантов) и 3 (6 вариантов). Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6 = 0@ 6 (Ce2Pt2Si2) с симметрией g = -1, тетраэдров K4 = 0@ 4 (CePt2Si), колец K3 = 0@3(Pt2Si). Для кристаллической структуры Ce6Pd8Sn12-oP52 установлены 27 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (6 вариантов), 3 (11 вариантов) и 4 (10 вариантов). Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6 = 0@ 6 (Ce2Pd2Sn2) с симметрией g = -1, колец K3 = 0@3(CePdSn), колец K3 = 0@3(PdSn2) и атомов-спейсеров Sn. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур Ce4Pt14Si8-oP52 и Ce6Pd8Sn12-oP52 из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.

Полный текст

Введение

В базах данных кристаллических структур неорганических соединений [1–3] наибольшее число структурных типов характеризуются пространственной группой Pnma. Рентгеноструктурные данные для выделенного семейства AnBnCn c 52 атомами в элементарной ячейке, занимающими частные с-позиции в плоскости m, приведены в табл. 1. В выделенном семействе кристаллические структуры Ce3Pt4Al6-oP52 [4] и Ba3Ga4Sb5-oP52 [5] не имеют кристаллохимических аналогов. Интерметаллиды Eu3Mg5Si5 и Eu3Mg5Ge5 [6], Sr12Mg17.8Li2.2 Si20 [7] и Sr12 Mg17.9 Li2.1 Ge20 [8] образуют кристаллохимическое семейство. Тип каркас-образующих кластеров-прекурсоров, образующих упаковки для этих соединений не известен.

 

Таблица 1. Рентгеноструктурные данные соединений c Pnma-oP52 и c13 [1–3]

Соединение

Группа симметрии

Параметры ячейки, Å

V, Å 3

Ce2 Pt7 Si4

P n m a

19.633, 4.036, 11.224

889.4

Ce2 Pt7 Ge4

P n m a

19.866, 4.089, 11.439

929.2

Dy3Pt4Ge6

P n m a

26.079, 4.311, 8.729

981.4

Sm3Pt4Ge6

P n m a

25.974, 4.356, 8.748

989.8

Pr3Pt4 Ge6

P n m a

26.131, 4.399, 8.820

1013.9

Pr3 Pt4 Sn6

P n m a

27.623, 4.596, 9.350

1187.0

Ce3 Pt4 Sn6

P n m a

27.702, 4.615, 9.371

1198.0

La3 Pt4 Sn6

P n m a

27.787, 4.638, 9.399

1211.4

Ce3 Pt4 Al6

P n m a

13.659, 4.333, 17.474

1034.2

La3 Pd4 Sn6

P n m a

16.855, 4.624, 15.626

1217.8

Sm3 Ni4 Sn6

P n m a

16.263, 4.430, 14.955

1077.5

Pr3 Pt4 Sn6

P n m a

7.286, 4.491, 35.114

1149.0

Pr3 Pd4 Sn6

P n m a

16.738, 4.573, 15.541

1189.6

Ce3 Pd4 Sn6

P n m a

16.782, 4.589, 15.561

1198.4

Eu3Mg5Si5

P n m a

14.243, 4.505, 18.214

1168.7

Sr12Mg17.8Li2.2Si20

P n m a

14.352, 4.464, 18.431

1180.8

Eu3Mg5Ge5

P n m a

14.458, 4.529, 18.450

1208.1

Sr12Mg17.9Li2.1Ge20

P n m a

14.607, 4.518, 18.634

1229.7

Ba3 Ga4 Sb5

P n m a

13.248, 4.509, 24.374

1455.8

 

Тройные соединения Ce2Pt7Ge4-oP52 [9] и Ce2Pt7Si4-oP52 [10] образуют кристаллохимическое семейство. Последовательность Вайкоффа имеет вид c13, соответственно, по 26 атомов в элементарной ячейке находятся в плоскостях m. Тип каркас-образующих кластеров-прекурсоров, образующих упаковки для Ce2Pt7Si4-oP52 и Ce2Pt7Ge4-oP52, не известен.

Наиболее многочисленное кристаллохимическое семейство тройных интерметаллидов A6B8C12-oP52 (табл. 1) включает в себя шесть германидов Ln3Pt4Ge6 (Ln = Pr-Dy) [11] и четырех станнидов Ln3Pd4Sn6-oP52 (Ln = La, Ce, Pr, Sm) [12, 13]. Тип каркас-образующих кластеров-прекурсоров, образующих упаковки, для этой группы соединений не известен.

В настоящей работе проведен геометрический и топологический анализ кристаллических структур семейства Ce4Pt14Si8-oP52 и Ce6Pd8Sn12-oP52. Установлены кластеры-прекурсоры K3, K4, и K6, участвующие в образовании супракластеров и самосборке кристаллических структур. Реконструирован симметричный и топологический код процессов самосборки 3D структур Ce4Pt14Si8-oP52 и Ce6Pd8Sn12-oP52 из супракластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → → каркас.

Работа продолжает исследования [14–17] в области моделирования процессов самоорганизации систем на супраполиэдрическом уровне и геометрического и топологического анализа кристаллических структур с применением компьютерных методов [3].

Методики, использованные при компьютерном анализе

Геометрический и топологический анализ осуществляли с помощью комплекса программ ToposPro [3], позволяющего проводить многоцелевое исследование кристаллической структуры в автоматическом режиме, используя представление структур в виде фактор-графов.

Данные о функциональной роли атомов при образовании кристаллической структуры получены расчетом координационных последовательностей, т.е. наборов чисел {Nk}, где Nk – число атомов в k-ой координационной сфере данного атома. В табл. 2 и 3 приведено локальное окружение атомов и значения координационных последовательностей атомов для Ce4Pt14Si8-oP52 и Ce6Pd8Sn12-oP52.

 

Таблица 2. Ce4Pt14Si8-oP52. Координационные последовательности и локальное окружение атомов в кристаллической структуре

Атом

Локальное

окружение атома

Координационные последовательности

N1 N2 N3 N4 N5

Si1

3Ce + 7Pt

10 47 107 199 307

Si2

4Ce + 5Pt

9 47 102 201 313

Si3

2Ce + 7Pt

9 43 98 184 310

Si4

2Ce + 7Pt

9 39 97 187 302

Ce1

5Si + 11Pt

16 49 124 208 336

Ce2

6Si + 10Pt

16 45 111 198 335

Pt1

3Si + 3Ce + 6Pt

12 49 112 205 326

Pt2

4Si + 2Ce + 5Pt

11 41 93 178 286

Pt3

3Si + 3Ce + 6Pt

12 49 112 205 330

Pt4

4Si + 2Ce + 7Pt

13 44 104 198 314

Pt5

4Si + 4Ce + 4Pt

12 49 108 206 325

Pt6

4Si + 3Ce + 5Pt

12 45 110 201 311

Pt7

4Si + 4Ce + 3Pt

11 49 104 206 319

 

Таблица 3. Ce6Pd8Sn12-oP52. Координационные последовательности и локальное окружение атомов в кристаллической структуре

Атом

Локальное

окружение

Координационные последовательности

N1 N2 N3 N4 N5

Pd1

5Sn + 4Ce

9 48 110 193 309

Pd2

5Sn + 5Ce

10 53 103 193 309

Pd3

5Sn + 5Ce

10 52 104 196 328

Pd4

5Sn + 5Ce

10 51 103 194 317

Sn1

3Pd + 5Sn + 4Ce

12 49 115 201 314

Sn2

4Pd + 4Sn + 4Ce

12 49 109 200 315

Sn3

3Pd + 5Sn + 4Ce

12 49 117 191 327

Sn4

3Pd + 6Ce

9 53 100 204 306

Sn5

3Pd + 4Sn + 5Ce

12 56 111 201 340

Sn6

4Pd + 4Sn + 4Ce

12 49 109 190 321

Ce1

6Pd + 9Sn + 1Ce

16 46 113 200 303

Ce2

6Pd + 9Sn + 2Ce

17 47 114 201 315

Ce3

7Pd + 9Sn + 1Ce

17 46 116 212 310

 

Алгоритм разложения в автоматическом режиме структуры любого интерметаллида, представленного в виде свернутого графа, на кластерные единицы основывается на следующих принципах: структура образуется в результате самосборки из кластеров-прекурсоров, образующих каркас структуры, пустоты в котором заполняют спейсеры; кластеры-прекурсоры занимают высокосимметричные позиции; набор нанокластеров-прекурсоров и спейсеров включает в себя все атомы структуры.

Симметрийный и топологический код (программа) самосборки кристаллических структур

Использованный нами метод моделирования кристаллической структуры основан на определении иерархической последовательности ее самосборки в кристаллографическом пространстве. На первом уровне самоорганизации системы определяется механизм формирования первичной цепи структуры из нанокластеров 0-уровня, сформированных на темплатной стадии эволюции системы, далее – механизм самосборки из цепи слоя (2-ой уровень) и затем из слоя – трехмерного каркаса структуры (3-й уровень).

Кристаллическая структура Ce4Pt14Si8-oP52 = (Ce2Pt2Si2)2 (CePt2Si)4(Pt2Si)8-oP52

Значения координационных чисел атомов Si = 9 (три атома) и 10 (1 атом), Ce = 16 (2 атома), Pt = 11 (2 атома), 12 (4 атома), 13 (1 атом).

Установлен 21 вариант выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (6 вариантов) и 3 (9 вариантов) и 3 (6 вариантов) (табл. 4).

 

Таблица 4. Ce4Pt14Si8-oP52. Варианты кластерного представления кристаллической структуры с 2, 3, и 4 структурными единицами. Указан центральный атом полиэдрического кластера, число его оболочек (в первой скобке) и количество атомов в оболочке (во второй скобке)

Две структурные единицы

2: Ce1(1)(1@16) Ce2(1)(1@17)

2: Ce2(1)(1@17) Pt1(1)(1@12)

2: Pt3(1)(1@12) Pt6(1)(1@12)

2: Si1(1)(1@9) Ce2(1)(1@17)

2: Si3(1)(1@9) Pt6(1)(1@12)

2: Si4(1)(1@9) Pt7(1)(1@11)

Три структурные единицы

3: Si1(0)(1) Si2(1)(1@9) Pt4(1)(1@12)

3: Si1(1)(1@9) Si2(1)(1@9) Pt4(1)(1@12)

3: Si2(0)(1) Si4(1)(1@9) Pt3(1)(1@12)

3: Si2(1)(1@9) Si3(1)(1@9) Pt1(1)(1@12)

3: Si2(1)(1@9) Si4(0)(1) Pt3(1)(1@12)

3: Si2(1)(1@9) Si4(1)(1@9) Pt3(1)(1@12)

3: Si3(0)(1) Si4(1)(1@9) Ce1(1)(1@16)

3: Si3(1)(1@9) Si4(0)(1) Ce1(1)(1@16)

3: Si3(1)(1@9) Si4(1)(1@9) Ce1(1)(1@16)

Четыре структурные единицы

4: Si1(0)(1) Si2(1)(1@9) Si3(1)(1@9) Si4(1)(1@9)

4: Si1(1)(1@9) Si2(0)(1) Si3(0)(1) Si4(1)(1@9)

4: Si1(1)(1@9) Si2(0)(1) Si3(1)(1@9) Si4(1)(1@9)

4: Si1(1)(1@9) Si2(1)(1@9) Si3(0)(1) Si4(1)(1@9)

4: Si1(1)(1@9) Si2(1)(1@9) Si3(1)(1@9) Si4(0)(1)

4: Si1(1)(1@9) Si2(1)(1@9) Si3(1)(1@9) Si4(1)(1@9)

 

Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки трех типов кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6 = 0@6 (Ce2Pt2Si2) с симметрией g = -1, тетраэдров K4 = 0@ 4(CePt2Si), колец K3 = 0@3(Pt2Si).

Ниже рассмотрен наиболее быстрый вариант самосборки с участием гептамеров в виде димеров K4+K4, связанных c пентамерами 2K3+1K6 + 2K3 (рис. 1). Центр димера K4+K4 находится в позиции 4b (0, ½, ½) c симметрией g = -1. Центр пентамера 2K3+1K6 + 2K3 находится в позиции 4a (0, ½, 0) c симметрией g = -1.

 

Рис. 1. Ce4Pt14Si8-oP52. Гептамер в виде димера K4+K4, связанного c пентамером 2K3+1K6 +2K3.

 

Первичная цепь S31. Образование первичной цепи происходит при связывании гептамеров в направлении оси Z в плоскости XZ (рис. 2). Расстояние между центрами гептамеров в первичной цепи соответствует значению вектора трансляции c = 11.224 Å.

 

Рис. 2. Ce4Pt14Si8-oP52. Слой из двух связанных гептамеров (2 проекции).

 

Самосборка слоя S32. Образование слоя S32 происходит при связывании первичных цепей S31+ S31в направлении оси X в плоскости XZ (рис. 3). Удвоенное расстояние между осями соседних цепей S31 в направлении оси X соответствует значению вектора трансляции a = 18.725 Å.

Самосборка каркаса S33. Каркас структуры S33 формируется при связывании двух микрослоев в направлении оси X. Расстояние между двухслойными пакетами определяет длину вектора трансляции b = 4.036 Å.

 

Рис. 3. Ce6Pd8Sn12-oP52. Октамер в виде димера K6+K6, связанного c тетрамером 2K3+2K3.

 

Кристаллическая структура Ce6Pd8Sn12-oP52 = (Ce2Pd2Sn2)4 (CePdSn)2 (PdSn2)2-oP52

Значения координационных атомов Pd – 9 и 10 (3 атома), атомов Sn – 9 (1 атом) и 12 (5 атомов), Ce – 16 и 17 (2 атома) (табл. 3).

Установлены 27 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (6 вариантов), 3 (11 вариантов) и 4 (10 вариантов) (табл. 5).

 

Таблица 5. Ce6Pd8Sn12-oP52. Варианты кластерного представления кристаллической структуры с 2, 3, и 4 структурными единицами. Указан центральный атом полиэдрического кластера, число его оболочек (в первой скобке) и количество атомов в оболочке (во второй скобке).

Две структурные единицы

2: Pd1(1)(1@9) Ce2(1)(1@15)

2: Pd2(1)(1@10) Ce1(1)(1@15)

2: Pd2(1)(1@10) Sn2(1)(1@12)

2: Pd4(1)(1@9) Ce3(1)(1@15)

2: Pd4(1)(1@9) Sn5(1)(1@12)

2: Sn1(1)(1@10) Ce1(1)(1@15)

Три структурные единицы

3: Ce1(0)(1) Ce2(1)(1@15) Ce3(1)(1@15)

3: Ce1(1)(1@15) Ce2(0)(1) Ce3(1)(1@15)

3: Ce1(1)(1@15) Ce2(1)(1@15) Ce3(0)(1)

3: Ce1(1)(1@15) Ce2(1)(1@15) Ce3(1)(1@15)

3: Pd1(1)(1@9) Pd2(1)(1@10) Sn3(1)(1@12)

3: Pd1(1)(1@9) Sn1(1)(1@10) Sn4(1)(1@9)

3: Pd1(1)(1@9) Sn3(1)(1@12) Sn4(1)(1@9)

3: Sn1(1)(1@10) Sn2(1)(1@12) Sn4(0)(1)

3: Sn1(1)(1@10) Sn2(1)(1@12) Sn4(1)(1@9)

3: Sn2(1)(1@12) Sn4(0)(1) Sn5(1)(1@12)

3: Sn2(1)(1@12) Sn4(1)(1@9) Sn5(1)(1@12)

Четыре структурные единицы

4: Pd1(0)(1) Pd2(1)(1@10) Pd3(0)(1) Pd4(1)(1@9)

4: Pd1(0)(1) Pd2(1)(1@10) Pd3(1)(1@10) Pd4(1)(1@9)

4: Pd1(0)(1) Pd3(0)(1) Pd4(1)(1@9) Sn1(1)(1@10)

4: Pd1(0)(1) Pd3(1)(1@10) Pd4(1)(1@9) Sn1(1)(1@10)

4: Pd1(1)(1@9) Pd2(1)(1@10) Pd3(0)(1) Pd4(1)(1@9)

4: Pd1(1)(1@9) Pd2(1)(1@10) Pd3(1)(1@10) Pd4(0)(1)

4: Pd1(1)(1@9) Pd2(1)(1@10) Pd3(1)(1@10) Pd4(1)(1@9)

4: Pd1(1)(1@9) Pd3(0)(1) Pd4(1)(1@9) Sn1(1)(1@10)

4: Pd1(1)(1@9) Pd3(1)(1@10) Pd4(0)(1) Sn1(1)(1@10)

4: Pd1(1)(1@9) Pd3(1)(1@10) Pd4(1)(1@9) Sn1(1)(1@10)

 

Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки двух типов кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6(Ce2Pd2Sn2) с симметрией g = -1, сдвоенных тетраэдров K6(4b) = 0@6 (Ce2Pd2Sn2) с симметрией g = -1, колец K3 = 0@3(CePdSn), колец K3 = 0@3(PdSn2).

Первичная цеппь S31 (A). Образование первичной цепи происходит при связывании кластеров K6 = 0@ 6(Ce2Pd2Sn2) в направлении оси Z в плоскости XZ (рис. 4). Расстояние между центрами кластеров соответствует половине значения вектора трансляции c = 11.224 Å/2.

 

Рис. 4. Ce6Pd8Sn12-oP52. Слой из двух связанных октамеров (2 проекции).

 

Первичная цеппь S31 (B). Образование первичной цепи происходит при связывании кластеров K3 = 0@3(CePdSn) и K3 = 0@3(PdSn2) в направлении оси Z в плоскости XZ (рис. 4). При этом происходит локализация атомов-спейсеров Sn между кластерами K3. Расстояние между центрами кластеров соответствует половине значения вектора трансляции c = 11.224 Å/2.

Самосборка октамера S32. Образование октамера из происходит при связывании димеров 2Ce2Pd2Sn2 с тетрамерами 2PdSn2+2CePdSn в направлении оси X в плоскости XZ (рис. 4). Удвоенное расстояние между осями соседних цепей S31 (A) в направлении оси X соответствует значению вектора трансляции a = 18.7250 Å.

Самосборка каркаса S33. Образование каркаса происходит при связывании двух микрослоев S32 в направлении оси X. Расстояние между двухслойными пакетами определяет длину вектора трансляции b = 4.614 Å.

Заключение

Используя метод разложения 3D атомной сетке на кластерные структуры (пакет программ ToposPro) получены данные о комбинаторно возможных типах кластеров участвующих в образовании кристаллических структур Ce4Pt14Si8-oP52 и Ce6Pd8Sn12-oP52.

Для кристаллической структуры Ce4Pt14Si8-oP52 рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: тетраэдров K4 = 0@4 (CePt2Si), сдвоенных тетраэдров K6 = 0@6 (Ce2Pt2Si2) с симметрией g = -1, колец K3 = 0@3(Pt2Si).

Для кристаллической структуры Ce6Pd8Sn12-oP52 рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6 = 0@6 (Ce2Pd2Sn2) с симметрией g = -1, колец K3 = 0@3(CePdSn), и колец K3 = 0@3(PdSn2).

Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур Ce4Pt14Si8-oP52 и Ce6Pd8Sn12-oP52 из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.

Финансирование

Моделирование самосборки кристаллических структур выполнено при поддержке Минобрнауки РФ в рамках выполнения работ по государственному заданию НИЦ «Курчатовский институт», кластерный анализ выполнен при поддержке Российского научного фонда (РНФ №21-73-30019).

Конфликт интересов

Авторы данной работы заявляют, что у них нет конфликта интересов.

×

Об авторах

В. Я. Шевченко

Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: shevchenko@isc.nw.ru
Россия, Санкт-Петербург

Г. Д. Илюшин

Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники (КККиФ) НИЦ «Курчатовский институт»

Email: gdilyushin@gmail.com
Россия, Москва

Список литературы

  1. Inorganic crystal structure database (ICSD). Fachinformationszentrum Karlsruhe (FIZ), Germany and US National Institute of Standard and Technology (NIST), USA.
  2. Pearson’s Crystal Data: Crystal Structure Database for Inorganic Compounds. ASM International, Materials Park, Ohio, USA.
  3. Blatov V. A., Shevchenko A.P., Proserpio D.M. Applied Topological Analysis of Crystal Structures with the Program Package ToposPro // Cryst. Growth Des. 2014. V. 14. N 7. P. 3576–3585. https://topospro.com/.
  4. Tursina A.I., Gribanov A.V., Bukhanko N. G., Rogl P., Seropegin Y.D. Crystal structure of the novel compound Ce3Pt4Al6. // Chemistry of Metals and Alloys. 2008. V. 1. P. 62–66.
  5. Park S.-M., Kim S.-J., Kanatzidis M.G. Ga-Ga bonding and tunnel framework in the new Zintl phase Ba3Ga4Sb5. // Journal of Solid State Chemistry 2003. V. 175. P. 310–315.
  6. Schellenberg I., Eul M., Schwickert C., Kubata C.M., Reyes E.C., Nesper R., Rodewald U.C., Poettgen R. The Zintl phases Eu3Mg5Si5 and Eu3Mg5Ge5. // Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie. 2012. V. 638. P. 1976–1985.
  7. Nesper R.,Wengert S. Sr12Mg17.8Li2.2Si20, die erste Zintl-Phase mit einer Si3-Kette. // Monatshefte fuer Chemie und verwandte Teile anderer Wissenschaften. 1999. V. 130. P. 197–202.
  8. Zuercher F.,Nesper R. Crystal structure of dodecastrontium octadecamagnesium dilithiumeicosagermanide, Sr12Mg17.9Li2.1Ge20. // Zeitschrift fuer Kristallographie - New Crystal Structures 1999. V. 214. P. 411–412.
  9. Gribanov A.V., Sologub O.L., Salamakha P.S., Bodak O.I., Seropegin Yu.D., Pavlyuk V.V., Pecharskii V.K. Crystal structure of the compound Ce2Pt7Ge4. // Journal of Alloys Compd. 1992. V. 189. P. 11–13.
  10. Gribanov A., Grytsiv A., Royanian E., Rogl P., Bauer E., Giester G., Seropegin Y. On the system cerium-platinum-silicon. //Journal of Solid State Chemistry. 2008. V. 181. P. 2964–2975.
  11. Imre A., Hellmann A., Mewis A. Neue Germanide mit geordneter Ce3 Pt4 Ge6 - Struktur - Die Verbindungen Ln3Pt4 Ge6 (Ln: Pr-Dy). // Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie. 2006. V. 632. P. 1145–1149.
  12. Dirk Niepmann, Rainer Poettgen, Bernd Kuennen, Gunter Kotzyba, Bernd D. Mosel. The Stannides La3Pd4Sn6, Ce3Pd4Sn6, and Pr3Pd4Sn6: A New Structure Type with a Complex Three-Dimensional [Pd4Sn6] Polyanion. // Chem. Mater. 2000. V. 12, P. 533–539.
  13. Rhodehouse Melissa L., Smetana Volodymyr, Celania Chris, Mudring Anja-Verena, Meyer Gerd H. Ternary polar intermetallics within the Pt/Sn/R systems (R = La, Ce, Sm). Stannides or platinides?. // Inorganic Chemistry. 2020. V. 59. P. 7352–7359.
  14. Shevchenko V.Ya., Ilyushin G.D. Cluster Self-Organization of Intermetallic Systems: Clusters-Precursors K3, K4, K6 for the Self-Assembly of RbNa8Ga3As6-aP72, Sr2Ca4In3Ge6-oP56, and Sr8Li4In4Ge8-oP24 Crystal Structures. // Glass Physics and Chemistry. 2024. V. 50 P. 87–100.
  15. Shevchenko V.Ya., Ilyushin G.D. Cluster Self-Organization of Intermetallic Systems: Cluster-Precursors K13, K11, K4, and K3 for the Self-Assembly of Crystal Structures Ce56Ni24Si44-mS124 and Ba10La2Si12-oP48. // Glass Physics and Chemistry. 2024. V. 50. P. 1–9.
  16. Shevchenko V.Ya., Ilyushin GD. Cluster Self-Organization of Intermetallic Systems: New Clusters-Precursors K6 and K3 for the Crystal Structures of the Sr12Mg20Ge20-oP52, Sr2LiInGe2-oP24, and Sr2Mg2Ge2-oP12 Family. // Glass Phys Chem. 2023. V. 49 (Suppl 1). P. S17–S27.
  17. Shevchenko V.Ya., Medrish I.V., Ilyushin G.D., Blatov V.A. From clusters to crystals: Scale chemistry of intermetallics. // Structural Chemistry. 2019. V. 30. P. 2015–2027.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Ce4Pt14Si8-oP52. Гептамер в виде димера K4+K4, связанного c пентамером 2K3+1K6 +2K3.

Скачать (247KB)
3. Рис. 2. Ce4Pt14Si8-oP52. Слой из двух связанных гептамеров (2 проекции).

Скачать (342KB)
4. Рис. 3. Ce6Pd8Sn12-oP52. Октамер в виде димера K6+K6, связанного c тетрамером 2K3+2K3.

Скачать (444KB)
5. Рис. 4. Ce6Pd8Sn12-oP52. Слой из двух связанных октамеров (2 проекции).

Скачать (228KB)

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».