TESTING SEMICONDUCTOR PRODUCTS USING LOW-FREQUENCY NOISE PARAMETERS

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

This article is a continuation and addition of the article with the same title published in the journal «Defectoscopiya» No. 1 for 2022, which provides six ways to assess the quality and reliability of semiconductor products (SCP) using low-frequency (LF) noise parameters. This article presents a generalization of the results previously obtained by the authors and describes four more methods for diagnosing and evaluating the reliability of SCP by changing the parameters of low-frequency noise under additional external influences such as electrostatic discharge and (or) thermal annealing. It is shown that additional impacts make it possible to increase the reliability of the assessment of the reliability of the SCP.

作者简介

M. Gorlov

Voronezh State Technical University

Email: m-gorlov@inbox.ru
Voronezh, Russia

V. Sergeev

Ulyanovsk Branch, Kotel’nikov Institute of Radio-Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences; Ulyanovsk State Technical University

Email: sva@ulstu.ru
Ulyanovsk, Russia

参考

  1. Горлов М.И., Сергеев В.А. Диагностика полупроводниковых изделий по параметрам низкочастотного изделия // Дефектоскопия. 2022. № 1. С. 13—25.
  2. Жигальский Г.П. Неразрушающий контроль качества и предсказание надежности интегральных микросхем по электрическим шумам и параметрам надежности // Радиотехника и электроника. 2005. № 5. С. 1—35.
  3. Claeys C., Simoenl E., Agopian P.G.D., Martino J.A., Aoulaiche M., Cretus B., Fang W., Rooyackers R., Vandooren A., Veloso A., Jurczak M., Collaertl N., Thean A. The Smaller the Noisier? Low Frequency Noise Diagnostics of Advanced Semiconductor Devices / August Conference: 2015 30-th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). doi: 10.1109/SBMicro.2015.7298104
  4. Романцов В.П., Долганов М.В. Прогнозирование надежности интегральных микросхем по параметрам низкочастотных шумов. Киев: ИПМЭ, 1990. 58 с.
  5. Васильев В.А., Пиганов М.Н., Зайцев В.Ю. Контроль качества полупроводниковых диодов по напряжению шума / Актуальные проблемы радиоэлектроники. Самар. гос. аэрокосм. ун-т. Под общ. ред. Ю.Ф. Широкова. Самара: СГАУ, 1999. Вып. 2. С. 63—65.
  6. Разуменко Д. Низкочастотные шумы электронных компонентов как инструмент для диагностики внутренних дефектов // Компоненты и технологии. 2008. № 9 (86). С. 168—174.
  7. Бордюжа О.Л. Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем / Дисс. ... канд. техн. наук. Воронеж: ВГТУ, 1998. 163 с.
  8. Антонова Е.А. Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий / Дисс. . канд. техн. наук. Воронеж: ВГТУ, 2013. 107 с.
  9. Yang X., Chen Y.Q., Hou B., X. Xu , Wang J., Huang Y., Chen Q., Zhou C. Degradation Behavior and Defect Analysis for SiC Power MOSFETs Based on Low-Frequency Noise Under Repetitive PowerCycling Stress // IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. V. 68. No. 2. P. 666—671. DOI: 10.1109/ TED.2020.3044018
  10. Yang F., Liao M., Zeng B., Yang P., Chen Y. Investigation on the Degradation Mechanism of A1GaN/ GaN HEMTs Under the Effect of Microwave Pulses at Different Powers / 2023 Global Reliability and Prognostics and Health Management Conference (PHM-Hangzhou), Hangzhou, China. 2023. P. 1—5. doi: 10.1109/PHM-Hangzhou58797.2023.10482775
  11. Якубович Б.И. Влияние проникающих излучений на электрический низкочастотный шум полупроводников // Успехи прикладной физики. 2021. № 3. С. 181—186.
  12. Горлов М.И., Жарких А.Н. Способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых изделий / Пат. № 2230335 РФ. Опубл. 10.06.2004. Бюл. № 16.
  13. Горлов М.И., Жарких А.Н., Емельянов В.А. Способ определения потенциально ненадежных транзисторов / Пат. № 2234163 РФ. Опубл. 10.08.2004. Бюл. № 22.
  14. Горлов М.И., Емельянов В.А., Жарких А.Н. Способ разбраковки полупроводниковых приборов / Пат. № 2253168 РФ. Опубл. 27.05.2005. Бюл. № 15.
  15. Горлов М.И., Смирнов Д.Ю., Ануфриев Д.Л. Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности. Пат. № 2298052 РФ. Опубл. 20.01.2007. Бюл. № 2
  16. Булгаков О.М., Таравков М.В. Статистический критерий оценки надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе характеристик низкочастотного шума // Вестник Воронежского института МВД России. 2012. № 3. С. 147—155.
  17. Gorlov M.I., Sergeev V.A. Testing Semiconductor Products Using Low-Frequency Noise Parameters // Defectoscopiya. 2022. No. 1. P. 13—25.
  18. Zhigalsky G.P. Non-destructive quality control and prediction of reliability of integrated circuits by electrical noise and reliability parameters // Radio Engineering and Electronics. 2005. No. 5. P. 1—35.
  19. Claeys C., Simoenl E., Agopian P.G.D., Martino J.A., Aoulaiche M., Cretus B., Fang W., Rooyackers R., Vandooren A., Veloso A., Jurczak M., Collaertl N., Thean A. The Smaller the Noisier? Low Frequency Noise Diagnostics of Advanced Semiconductor Devices / August Conference: 2015 30-th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). doi: 10.1109/SBMicro.2015.7298104
  20. Romantsov V.P., Dolganov M.V. Prognozirovanie nadezhnosti integralnyh microsgem po parametram nizkochastotnogo shuma (Forecasting the reliability of integrated circuits based on low-frequency noise parameters). Kiev: IPME, 1990. 58 p.
  21. Vasiliev V.A., Zaitsev V.Yu. Quality control of semiconductor diodes by noise voltage // Actual problems of radioelectronics. 1999. Is. 2. P. 63—65.
  22. Razumenko D. Low-frequency noise of electronic components as a tool for diagnosing internal defects // Components and technologies. 2008. No. 9 (86). P. 168—174.
  23. Bordyuzha O.L. Diagnostic quality control and reliability of silicon bipolar integrated circuits / Diss.... Candidate of Technical Sciences. Voronezh: VSTU, 1998. 163 p.
  24. Antonova E.A. The effect of X-ray radiation on the parameters of semiconductor products / Diss.... Candidate of Technical Sciences. Voronezh: VSTU, 2013. 107 p.
  25. Yang X., Chen Y.Q., Hou B., X. Xu , Wang J., Huang Y., Chen Q., Zhou C. Degradation Behavior and Defect Analysis for SiC Power MOSFETs Based on Low-Frequency Noise Under Repetitive PowerCycling Stress // IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. V. 68. No. 2. P. 666—671. DOI: 10.1109/ TED.2020.3044018
  26. Yang F., Liao M., Zeng B., Yang P., Chen Y. Investigation on the Degradation Mechanism of A1GaN/ GaN HEMTs Under the Effect of Microwave Pulses at Different Powers / 2023 Global Reliability and Prognostics and Health Management Conference (PHM-Hangzhou), Hangzhou, China. 2023. P. 1—5. doi: 10.1109/PHM-Hangzhou58797.2023.10482775
  27. Yakubovich B.I. Influence of penetrating radiation on electrical low-frequency noise of semiconductors // Uspehi prikladnoy fiziki Successes of applied Physics. 2021. No. 3. P. 181—186.
  28. Gorlov M.I., Zharkikh A.N. A method for determining potentially unreliable semiconductor products / RF Patent No. 2230335. Byull. Izobret. 2004. No. 16.
  29. Gorlov M.I., Zharkikh A.N., Yemelyanov V.A. A method for determining potentially unreliable transistors / RF Patent No. 2234163. Byull. Izobret. 2004. No. 22.
  30. Gorlov M.I., Yemelyanov V.A., Zharkikh A.N. Method of disassembly of semiconductor devices / RF Patrnt No. 2253168. Byull. Izobret. 2005. No. 15.
  31. Gorlov M.I., Smirnov D.Y., Anufriev D.L. Method of separation of semiconductor products by reliability / RF Patent No. 2298052. Byull. Izobret. 2007. No. 2.
  32. Bulgakov O.M., Taravkov M.V. Statistical criterion for assessing the reliability of semiconductor devices and integrated circuits based on low-frequency noise characteristics // Bulletin of the Voronezh Institute of the Ministry of Internal Affairs of Russia. 2012. No. 3. P. 147—155.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».