Влияние толщины инкапсулирующих слоев на качество гетероструктур на основе MoSe2
- Авторы: Бричкин А.С1, Голышков Г.М1, Черненко А.В1
-
Учреждения:
- Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна Российской академии наук
- Выпуск: Том 163, № 6 (2023)
- Страницы: 852-857
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0044-4510/article/view/145423
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451023060111
- EDN: https://elibrary.ru/DHDYOE
- ID: 145423
Цитировать
Аннотация
Исследована зависимость ширины линий фотолюминесценции экситонов и трионов в монослоях MoSe2 от толщины инкапсулирующих слоев гексагонального нитрида бора. Проверена возможность вариации ширины линии фотолюминесценции экситонов за счет их взаимодействия с модами резонаторов, образованных кремниевой подложкой и верхним слоем нитрида бора. Это взаимодействие может приводить к существенным изменениям ширины линий фотолюминесценции за счет эффекта Парселла. Измерения, выполненные на серии образцов с разной толщиной верхнего и нижнего слоев нитрида бора, не выявили влияния эффекта Парселла на ширину линии. Тем не менее оказалось, что ширина линий уменьшается в несколько раз при увеличении толщины нижнего слоя нитрида бора с 10 до 100 нм и при толщине 100 нм достигает порядка 2 мэВ. Такое сужение линий фотолюминесценции предположительно связано с уменьшением плотности пузырей субмикронного размера из-за релаксации продольного напряжения в толстом слое нитрида бора.
Об авторах
А. С Бричкин
Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна Российской академии наук
Email: chernen@issp.ac.ru
142432, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia
Г. М Голышков
Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна Российской академии наук
Email: chernen@issp.ac.ru
142432, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia
А. В Черненко
Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна Российской академии наук
Автор, ответственный за переписку.
Email: chernen@issp.ac.ru
142432, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia
Список литературы
- G. Wang, A. Chernikov, M. Glazov et al., Rev. Mod. Phys. 90, 021001 (2018).
- Arash Rahimi-Iman, Semiconductor Photonics of Nanomaterials and Quantum Structures Applications in Optoelectronics and Quantum Technologies, Springer Series in Solid-State Sciences, Springer Science and Business Media Deutschland GmbH (2021).
- G. Moody, D. C. Kavir, K. Hao et al., Nat.Commun. 6, 8315 (2015).
- T. Jakubczyk, V. Delmonte, M. Koperski et al., Nano Lett. 16, 5333 (2016).
- F. Cadiz, E. Courtade, C. Robert et al., Phys. Rev. X 7, 021026 (2017).
- А. В. Черненко, А. С. Бричкин, Изв. РАН, сер. физ. 85, 245 (2021).
- J. Wierzbowski, J. Klein, F. Sigger et al., Sci. Rep. 7, 12383 (2017).
- H. H. Fang, B. Han, C. Robert et al., Phys. Rev. Lett. 123, 067401 (2019).
- G. D. Shepard, A. A. Obafunso, Li Xiangzhi et al., 2D Mater. 4, 021019 (2017).
- M. Selig, G. Berghaeuser, A. Raja et al., Nat.Commun. 7, 13279 (2016).
- J. C. G. Henriques, N. A. Mortensen, and N. M. R. Peres, Phys. Rev. B 103, 235402 (2021).
- T. Schmidt, K. Lischka, and W. Zulehne, Phys. Rev. B 45, 8989 (1992).
- S. Lippert, L. M. Schneider, D. Renaud et al., 2D Mater. 4, 025045 (2017).
- D. Kaplan, Y. Gong, K. Mills et al., 2D Mater. 3, 015005 (2016).
- E. Khestanova, F. Guinea, L. Fumagalli et al., Nat.Commun. 7, 12587 (2016).
- A. V. Tyurnina, D. A. Bandurin, E. Khestanova et al., ACS Photonics 6, 516 (2019).
- L. Schneider, S. Esdaille, D. Rhodes et al., Opt. Express 23, 37131 (2019).
- S. Du erwiel, S. Schwarz, F. Withers, et al., Nat.Commun. 6, 8579 (2015).
- T. LaMountain, J. Nelson, E. J. Lenferink et al., Nat.Commun. 12, 4530 (2021).