UDEL'NOE ELEKTRIChESKOE SOPROTIVLENIE NANOPOROShKA KARBIDA KREMNIYa

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

Представлены результаты экспериментального исследования удельного электрического сопротивления нанопорошка карбида кремния чистотой 93% β-SiC и 6.8% α-SiC. Средние размеры частиц нанопорошка изменяются в диапазоне 30–87.4 нм в зависимости от способа измерения. Реализована двух-зондовая схема измерения электрических параметров при постоянном токе. Для этого нанопорошок засыпался в цилиндрическую стеклянную трубку (экспериментальный участок) и уплотнялся, результирующая плотность равна 1.23 г см–3. Вольт-амперные характеристики получены при температурах 291.3, 300.1, 302.4 К. Показано, что вольт-амперные характеристики представляют собой линейные функции, которые не зависят от направления тока. Удельное электрическое сопротивление варьируется в диапазоне значений 84.5 ± 10 Ом м.

References

  1. Bouanga C.V., Saloie S., Fŕchette M.F., Couderc H., David E. Elecrrical Resistivity Characterization of Silicon Carbide by Various Methods // Int. Symp. Electrical Insulation, 10–13 June 2012, San Juan, PR, USA. P. 43.
  2. Беленков В.А., Агалямова Э.Н., Грешняков В.А. Классификация и структура фаз карбида кремния // ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 2. С. 404.
  3. Racette J.H. Intrinsic Electrical Conductivity in Silicon Carbide // Phys. Rev. 1957. V. 107. № 6. P. 1542.
  4. Horowitz P., Hill W. The Art of Electronics. London, N.Y.: Cambridge Univ. Press, 1981. 600 p.
  5. Лыков А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. 599 с.
  6. Чиркин В.С. Теплофизические свойства материалов ядерной техники. Спр. М.: Атомиздат, 1968. 484 с.
  7. Костановский А.В., Зеодинов М.Г., Хищенко К.В., Костановская М.Е., Пронкин А.А. Контактное сопротивление, нормальная монохроматическая излучательная способность и удельное электрическое сопротивление карбида кремния при температурах 800–1400 К // ТВТ. 2025. Т. 63. № 5. С. .
  8. Taki Y., Kitiwan M., Katsui H., Goto T. Electrical and Thermal Properties of off-Stoichiometric SiC Prepared by Spark Plasma Sintering // J. Asian Ceramic Soc. 2018. № 6(1). P. 95.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2025 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).