УДЕЛЬНОЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ НАНОПОРОШКА КАРБИДА КРЕМНИЯ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты экспериментального исследования удельного электрического сопротивления нанопорошка карбида кремния чистотой 93% β-SiC и 6.8% α-SiC. Средние размеры частиц нанопорошка изменяются в диапазоне 30–87.4 нм в зависимости от способа измерения. Реализована двух-зондовая схема измерения электрических параметров при постоянном токе. Для этого нанопорошок засыпался в цилиндрическую стеклянную трубку (экспериментальный участок) и уплотнялся, результирующая плотность равна 1.23 г см–3. Вольт-амперные характеристики получены при температурах 291.3, 300.1, 302.4 К. Показано, что вольт-амперные характеристики представляют собой линейные функции, которые не зависят от направления тока. Удельное электрическое сопротивление варьируется в диапазоне значений 84.5 ± 10 Ом м.

Об авторах

А. В Костановский

Объединенный институт высоких температур РАН

Email: kostanovskiy@gmail.com
Москва, Россия

М. Г Зеодинов

Объединенный институт высоких температур РАН

Email: mz_64@mail.ru
Москва, Россия

М. Е Костановская

Объединенный институт высоких температур РАН

Москва, Россия

А. А Пронкин

Объединенный институт высоких температур РАН

Email: pronkin.a.a@gmail.com
Москва, Россия

Г. Е Вальяно

Объединенный институт высоких температур РАН

Москва, Россия

Список литературы

  1. Bouanga C.V., Saloie S., Fŕchette M.F., Couderc H., David E. Elecrrical Resistivity Characterization of Silicon Carbide by Various Methods // Int. Symp. Electrical Insulation, 10–13 June 2012, San Juan, PR, USA. P. 43.
  2. Беленков В.А., Агалямова Э.Н., Грешняков В.А. Классификация и структура фаз карбида кремния // ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 2. С. 404.
  3. Racette J.H. Intrinsic Electrical Conductivity in Silicon Carbide // Phys. Rev. 1957. V. 107. № 6. P. 1542.
  4. Horowitz P., Hill W. The Art of Electronics. London, N.Y.: Cambridge Univ. Press, 1981. 600 p.
  5. Лыков А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. 599 с.
  6. Чиркин В.С. Теплофизические свойства материалов ядерной техники. Спр. М.: Атомиздат, 1968. 484 с.
  7. Костановский А.В., Зеодинов М.Г., Хищенко К.В., Костановская М.Е., Пронкин А.А. Контактное сопротивление, нормальная монохроматическая излучательная способность и удельное электрическое сопротивление карбида кремния при температурах 800–1400 К // ТВТ. 2025. Т. 63. № 5. С. .
  8. Taki Y., Kitiwan M., Katsui H., Goto T. Electrical and Thermal Properties of off-Stoichiometric SiC Prepared by Spark Plasma Sintering // J. Asian Ceramic Soc. 2018. № 6(1). P. 95.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).