Atomic layer deposition of zinc sulfide nanolayers on monocrystalline silicon substrates


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The formation of zinc sulfide thin films via the atomic laminating of components from a gas phase on single-crystal silicon substrates with (100), (110), and (111) orientations is examined. The characteristic temperatures of changes in the mechanism of layer formation and structural perfection are determined. The conditions for using the mechanism of layer growth are determined.

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

Yu. Ezhovskii

St. Petersburg State Technological Institute (Technical University)

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: office@technolog.edu.ru
Ресей, St. Petersburg, 190013

N. Zakharova

St. Petersburg State Technological Institute (Technical University)

Email: office@technolog.edu.ru
Ресей, St. Petersburg, 190013


© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>