Оптомагнитные эффекты в центроантисимметричных и нецентросимметричных магнитоупорядоченных средах

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Для реально существующих магнитоупорядоченных монокристаллов с различной магнитной симметрией определены условия существования определенных однородных и неоднородных оптомагнитных эффектов, обусловленных светоиндуцированными изменениями основного состояния.

Полный текст

ВВЕДЕНИЕ

Прохождение света через магнитоупорядоченную среду следует рассматривать как самосогласованный процесс, когда возникающее из-за наличия намагниченности изменение параметров световой волны в свою очередь влияет на модуль и (или) направление вектора намагниченности. При малой интенсивности света его влиянием на намагниченность можно пренебречь, но при большой длине пробега света будут наблюдаться так называемые магнитооптические (МО) эффекты, заключающиеся в изменении поляризации и амплитуды световой волны (см., например, [1–6]). Такие эффекты, обнаруженные более 170 лет тому назад, в настоящее время изучены достаточно подробно. При большой интенсивности света и малой длине пробега, когда параметры световой волны можно считать практически постоянными, могут наблюдаться обратные магнитооптические эффекты, называемые также оптомагнитные (ОМ) эффектами, при которых имеют место изменения модулей и (или) направлений векторов намагниченности подрешеток и магнитных состояний (статических и динамических) (см., например, [7–15]). Экспериментальное исследование ОМ-эффектов началось 60 лет назад [7, 8], когда появились источники мощного когерентного оптического излучения. При промежуточных параметрах возникают продольные и поперечные неустойчивости световой волны. Развития этих неустойчивостей приводят к МО солитонам и МО каналам [11]. К настоящему времени, несмотря на многие работы и обзоры, сведения об ОМ-эффектах нельзя считать исчерпывающими.

Цель данной работы – изучить ОМ-эффекты в средах разной магнитной симметрии.

  1. ОСНОВНЫЕ УРАВНЕНИЯ

Для определения условий существования однородных и неоднородных ОМ-эффектов в реально существующих монокристаллических магнитоупорядоченных кристаллах с различной магнитной симметрией, обусловленных светоиндуцированными (СИ) изменениями основного состояния, воспользуемся известным выражением для средней по времени плотности энергии кристалла в световом поле (СП) при слабом поглощении

wl=(1/16π)εωijEiEj*, (1)

где εωij=ωεij/ωij – диэлектрическая проницаемость), Ei – компоненты комплексного электрического поля световой волны [1, 7]. Выделяя симметричную и антисимметричную части в (1) при слабой временной дисперсии (εij>>ωωij/ω), это выражение можно представить в виде

wl=εijsTijsg,G, (2)

где Tijs=(1/32π)(EiEj*+Ei*Ej) и εijs – симметричные части тензора «светового напряжения» и диэлектрической проницаемости соответственно, g – вектор гирации, G=(i/16π)[E*,E] – эффективная «напряженность магнитного поля» [14]. В общем случае εijs и g зависят от таких параметров (и их производных), как напряженность постоянного электрического поля E0 и поляризация P, напряженность постоянного магнитного поля H0 и вектор ферромагнетизма (намагниченность) M и вектор антиферромагнетизма L, упругие напряжения σij и деформации uij. Следует отметить, что εijs и g являются четной и нечетной функциями магнитных параметров, соответственно.

Выражения для СИ электрической индукции, магнитной индукции и упругих деформаций представим соответственно в следующем виде:

Dl=(δwl/δE0), Bl=(δwl/δH0), uijl=(δwl/δσij), (3)

а для эффективных напряженностей полей электрических, «ферромагнитных и антиферромагнитных» магнитных и для упругих напряжений соответственно в виде

El=(δwl/δP), HlM=(δwl/δM), HlL=(δwl/δL), σijl=(δwl/δuij). (4)

Эффективные поля содержат СИ-слагаемые и, следовательно, оптические поля влияют на динамику поляризации, намагниченности подрешеток, упругих смещений [10–15].

  1. ОПТОМАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ

Рассмотрим оптомагнитоэлектрический (ОМЭ) эффект. Слагаемое, связанное с этим эффектом, а именно giE=αijEE0j, дает вклад в энергию, равный wlE=αijEGiE0j, который подобен вкладу магнитоэлектрическому и существует в 58 магнитных классах [1, 16–18]. Среди них имеется 21 магнитный класс центроантисимметричных (ЦАС) антиферромагнетиков (АФМ), в частности Cr2O3 (класс симметрии 3¯ʹmʹ), где

wlE=α||EGzE0zαEGxE0x.

В этом случае выражение для СИ-поляризации имеет вид

PilE=(1/4π)(wlE/E0i)|E0

и, следовательно, получаем

PzlE=(1/4π)α||EGz,PylE=(1/4π)αEGy,PxlE=(1/4π)αEGx. (5)

Коэффициенты αE ~ 10–4 [17], эффективное поле G ~ 1 Э при интенсивности излучения I ~ 107 Вт/см2 [10]. В частности, гауссов пучок циркулярно-поляризованный и распространяющийся по оси z (E0y = –iE0x) производит эффективное магнитное поле

Gz=G0zw02/w2exp(2x2+y2/w2),

где G0z = |E0x|2 / 8π – поле в центре пучка, w0 – минимальный поперечный размер пучка, w2=w02+(2z/kw0)2, k – волновое число и, следовательно, создает поляризацию вдоль пучка.

Неоднородный ОМЭ-эффект, связанный со слагаемым giEn=αijkEnE0j/xk, дает вклад в энергию, равный wlEn=αijkEnGiE0j/xk с учетом того, что E0j/xk=E0k/xj и, следовательно, СИ-поляризация будет равна

PjlEn=(1/4π)(δwlEn/δE0j)|E0=(1/4π)αijkEnGi/xk.

Этот эффект существует в АФМ, в которых группа симметрии либо не содержит операцию инверсии времени вообще, либо эта операция входит в группу симметрии в комбинациях с пространственной инверсией или поворотами, и не существует в ЦАС АФМ. По симметрии ОМЭ-эффект подобен пьезомагнетизному эффекту и существует в 66 магнитных классах [1, 18]. Энергия АФМ класса симметрии 4ʹ/mmmʹ(MnF2, CoF2, FeF2) выражается соотношением

wlEn=α1En(GyE0x/z+GxE0y/z)α2EnGzE0x/y, (6)

а компоненты СИ-поляризации составляют

PxlEn=(1/4π)(α1EnGy/z+α2EnGz/y),PylEn=(1/4π)(α1EnGx/z+α2EnGz/x),PzlEn=(1/4π)α1En(Gy/x+Gx/y). (7)

В отличие от однородного ОМЭ, здесь гауссов пучок Gz создает поляризацию в поперечном сечении

PlEn=(α2En/πw2)Gz(iy+jx),

где ,  – базисные векторы. Распределение поляризации будет типа «седло» (антивихрь). Подобный поляризационный СИ-антивихрь будет в магнетиках симметрии 222, mm2, mmm, 4ʹ22, 4ʹmmʹ, ʹ4¯2mʹ, 4¯ʹ2ʹm, 23, m3, 4ʹ32, 4¯ʹ3mʹ, m3mʹ.

В магнетиках симметрии 422, 4mʹmʹ, 4¯mʹ, 4/mmʹmʹ, 62ʹ2ʹ, 6mʹmʹ, 6¯mʹ2ʹ, 6/mmʹmʹ энергия будет

wlEn=α15En(GxE0z/x+GyE0y/z)+α31EnGz(E0x/x+E0y/y)+α33EnGzE0z/z (8)

и, следовательно, поляризация будет

PxlEn=(1/4π)(α15EnGx/z+α31EnGz/x),PylEn=(1/4π)(α15EnGy/z+α31EnGz/y),PzlEn=(1/4π)(α15En(Gx/x+Gy/y)+α33EnGz/z). (9)

Гауссовой пучок создает поляризацию вида

PlEn=(Gz/πw2)[α31En(ix+jy)+α33'Enzk],

где α33'En=α33En2/k2w02(2x2+y2/w21).

В поперечном сечении распределение поляризации будет типа неустойчивого узла («еж»), в отличие от предыдущего примера. Компонента Pz изменяет знак на поверхности 2(x2 + y2) – w2 = 0, в частности, на оси пучка поляризация будет направлена к центру пучка. Следовательно, в магнетиках данной симметрии гауссов пучок наводит поляризационный скирмион. Также поляризационный СИ-скирмион будет в магнетиках симметрии 22ʹ2ʹ, mʹmʹ2, mʹm2ʹ, mmʹmʹ, 4, 4/m, 6, 6/m, 3, 3ʹ, 32ʹ, 3mʹ,mʹ. Кроме того, гауссов пучок с Gz наводит одновременно антивихрь и скирмион в магнетиках симметрии 2, m, 2/m.

Оптомагнитополяризованный (ОМП) эффект, связанный с giP=αijPPj, подобен ОМЭ-эффекту. Однако неоднородный ОМП, связанный с giPn=αijkPnPj/xk и энергией wlPn=αijkPnGiPj/xk, будет отличаться от ОМЭ, поскольку тензор αijkPn будет несимметричный. Энергию можно представить в виде суммы симметричной части, подобной ОМЭ-эффекту, и антисимметричной части

wlPn=αijkPnsGiPj/xk+MnlPnGn,

где MnlPn=αinPnCi – СИ-намагниченность, обусловленная неоднородной магнитоэлектрической связью,

αinPn=1/2enjkαijkPna, αjkPna=enjkαinPn,

где enjk – антисимметричный единичный тензор, C =rotP  – вихрь поляризации (электрический тороидный момент). Антисимметричное слагаемое энергии можно записать в виде CnIln, где Inl=αinPnGi – четное СИ-поле, сопряженное четному вектору C .

В кубических АФМ класса 432, 4ʹ32ʹ, 4¯3m, 4¯ʹ3mʹ, m3m, m3mʹ энергия равна wlPn=αPn GC и, следовательно, эффективное электрическое СИ-поле равно ElPn=αPnrotG. Гауссов пучок с Gz наводит вихрь эффективного электрического поля

ElPn=4/w2GzαPn(yixj).

Оптоантиферромагнитоэлектрический эффект, обусловленный слагаемым giLE=aijkLELjE0k и, следовательно, энергией wlLE=αijkLEGiLjE0k, существует в ЦАС АФМ. В этом случае СИ-поляризация равна

PkLE=(1/4π)αijkLEGiLj

и эффективное антиферромагнитное СИ-поле имеет вид

HjlLE=αijkLEGiE0k.

Например, в Cr2O3 энергия определяется по выражению

wlLE=α111LE(Gx(LxE0xLyE0y)Gy(LxE0y+LyE0x))α123LE(GxLyGyLx)E0zα231LE(GyE0xGxE0y)Lzα312LEGz(LxE0yLyE0x), (10)

а СИ-поляризация –

PxlLE=(1/4π)(α111LE(GxLxGyLy)+α231LEGyLzα312LEGzLy),PylLE=(1/4π)(α111LE(GxLy+GyLx)+α231LEGxLzα312LEGzLx),PzlLE=(1/4π)α123LE(GxLyGyLx). (11)

В СП с Gz компоненты поляризации будут нормальными к компонентам вектора АФМ. Этот эффект в АФМ с эквивалентными подрешетками будет подобным пьезоэлектрическому эффекту и существует в нецентросимметричных (НЦС) АФМ. В АФМ симметрии mm2(KNiPO4) энергия определяется по выражению

wlLE=Gz(α311LELxE0x+α322LELyE0y+α333LEL3E03)Gy(α223LELyE0z+α232LELzE0y)Gx(α131LELzE0x+α113LELxE0z),

а поляризация –

PxlLE=(1/4π)(α311LEGzLx+α131LEGxLz),PylLE=(1/4π)(α322LEGzLy+α232LEGyLz),PzlLE=(1/4π)(α333LEGzLz+α223LEGyLy+α113LEGxLx).

по сравнению с Cr2O3 здесь Распространяющая по оси z циркулярно-поляризационная волна наводит поляризацию с компонентами, параллельными компонентам вектора АФМ (P lLEm || Lm ),.

Нелинейный оптомагнитоэлектрический эффект, определяемый наличием слагаемого giHE=αijkHEH0jE0k и энергии wlHE=αijkHEGiH0jE0k, будет обратным к электромагнитнооптическому эффекту [19]. Этот эффект существует в НЦС-средах симметрии 2, m, 222, mm2, 4, 422, 4mm, 4¯2m, 32, 3m, 6, 622, 6mm, 6¯, 6¯m2, 2m, 23, 4¯3m, 432. Выражения для СИ-поляризации и намагниченности имеют вид соответственно

PklHE=(1/4π)αijkHEGiH0j,MjlHE=(1/4π)αijkHEGiE0k.

В гексагональных кристаллах симметрии 6¯ выражение для энергии имеет вид

wlHE=α1HE(Gx(H0yE0yH0xE0x)+GyH0xE0y+H0yE0x)++α2HE(Gy(H0xE0xH0yE0y)+GxH0xE0y+H0yE0x), (12)

выражение для СИ-намагниченности можно записать в виде

MxlHE=(1/4π)(α1HE(GyE0yGxE0x)+α2HE(GyE0xGxE0y)),MylHE=(1/4π)(α1HEGxE0y+GyE0x+α2HE(GxE0xGyE0y)),MzlHE=0, (13)

а для СИ-поляризации – в виде

PxlHE=(1/4π)(α1HE(GyH0yGxH0x)+α2HE(GyH0x+GxH0y)),PylHE=(1/4π)(α1HE(GxH0y+GyH0x)+α2HE(GxH0xGxE0y)),PzlHE=0. (14)

В кубических АФМ симметрии 432 СИ-поляризация и СИ-намагниченность имеют вид соответственно

PlHE=(1/4π)α123HE[G,H0],MlHE=(1/4π)α123HE[E0,G].

Если представить тензор αijkHE в виде суммы симметричной и антисимметричной по индексам jk частей

αijkHE=αijkHEs+αijkHEa,

то выражение для энергии приобретает вид

wlHE=αijkHEsGiH0jE0kJ0mlV0m,

где J0ml=αmiHEGi – светоиндуцированный «тороидный момент», αmiHE=1/2emjkαijkHEa – аксиальный тензор второго ранга, V0=E0,H0 – внешнее «поле», сопряженное тороидному моменту. В частности, в кристаллах кубической симметрии 23, 432 тензор αmiHE=αHEδmi и, следовательно, в скрещенных полях (V0z) излучение круговой поляризации с Gz наводит тороидный СИ-момент J0zl=αHEGz.

  1. ОПТОПЬЕЗОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ

Рассмотрим оптопьезомагнитный (ОПМ) эффект. Связанное с этим эффектом слагаемое, описываемое формулой giu=αijkuσjk, дает вклад в энергию wlu=αijkuGiσjk, подобный пьезомагнитной энергии [1, 20]. ОПМ-эффект существует в АФМ, в которых группа симметрии либо не содержит операцию инверсия времени вообще, либо она входит в группу в комбинациях с пространственной инверсией или поворотами, и не существует в ЦАС АФМ. В антиферромагнетиках MnF2, CoF2, FeF2 (класс симметрии 4ʹ/mmmʹ) энергия равна

wlu=α1u(Gxσyz+Gyσxz)α2uGzσxy

и, следовательно, компоненты СИ-деформаций равны

uyzl=α1uGx, uxzl=α1uGy, uxyl=α2uGz. (15)

На основе работы [20] можно считать, что величина коэффициентов равна αu ~10–6 Э/(дин/см2). Из (15) видно, что гауссов пучок Gz создает деформации в поперечном сечении пучка.

Неоднородный ОПМ-эффект является аналогом флексомагнитного эффекта [14, 21, 22] и обусловлен слагаемым giun=αijklunσjk/xl. Энергия при этом равна wlun=αijklunGiσjk/xl, a деформации ujkun=αijklunGi/xl. Тензор оптофлексомагнитного эффекта изменяет знак под действием операций временной и пространственной инверсии. Следовательно, эффект отсутствует в кристаллах, магнитная группа которых содержит операции обращения времени и пространственной инверсии. Однако этот эффект может существовать в кристаллах, магнитная группа которых содержит операцию центроантиинверсии (произведение операций инверсии во времени и в пространстве). К точечным магнитным группам, содержащим эту операцию, принадлежат следующие:

  • кубические mʹ3, mʹ3m, mʹ3mʹ;
  • тетрагональные 4/mʹ, 4ʹ/mʹ ,4/mʹmʹmʹ (Fe2TeO6), 4/mʹmm, 4/mʹmʹm;
  • гексагональные 6/mʹ, 6ʹ/m, 6ʹ/mmm, 6/mʹmʹmʹ, 6/mʹmm, ʹ3¯, 3¯ʹmʹ(Cr2O3), ʹm;
  • ромбические mʹmʹmʹ, mmmʹ (Cr2TeO6,Cr2WO6, V2WO6);
  • моноклинные 2/mʹ, 2ʹ/m;
  • триклинная 1¯ʹ.

Для кристалла Cr2O3 выражение для энергии записывается в виде

wlun=α33unGzσzz/zα11un(Gxσxx/x+σxy/y)+Gy(σyy/y+σxy/x)α12un(Gx(σyy/xσxy/y)+Gy(σxx/yσxy/x))α13un(Gxσzz/x+Gyσzz/y)2α88un(Gxσxz/z)+Gyσyz/z)α31unGz(σxx+σyy)/z2α55unGz(σxz/x+σyz/y)2α24un(Gy(σyz/yσxz/x)Gx(σxz/y+σyz/x))α42unGy((σyyσxx)/z)2Gxσxy/z)α72unGz((σyyσxx)/y2σxy/x), (16)

где при индексировании компонент тензора 4-го ранга αijklun были использованы следующие замены: 11 → 1, 22 → 2, 33 → 3, 23 → 4, 31 → 5, 12 → 6, 32 → 7, 13 → 8, 21 → 9. После использования указанных замен выражения для СИ-деформаций приобретают вид

uzzl=α33unGz/zα13un(Gx/x+Gy/y),uyyl=α11unGy/yα12unGx/xα31unGz/zα42unGy/zα72unGz/y,uxxl=α11unGx/xα12unGy/yα31unGz/z+α42unGy/z+α72unGz/y,uzyl=2α88unGy/z2α55unGz/y2α24un(Gy/yGx/x),uzxl=2α88unGx/z2α55unGz/x+2α24un(Gy/x+Gx/y),uyxl=(α11unα12un)(Gx/y+Gy/x)+2α42unGx/z+2α72unGz/x, (17)

а гауссов пучок Gz вызывает относительное изменение объема

uiil=(α33un+2α31un)Gz8z/k2w02w2(12x2+y2/w2).

При отдалении от оси пучка знак изменения объема поменяется.

  1. ОПТОФЛЕКСОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ

Обратный эффект Фарадея, связанный со слагаемым giH=αijHH0j и энергией wlH=αijHGiH0j, существует во всех средах [1], а СИ-намагниченность при этом составляет MjlH=(1/4π)αijHGi.

Существование оптофлексомагнитного эффекта связано со слагаемым

giHn=αijkHnH0j/xk,

где H0j/xk=H0k/xj, с соответствующей энергией

Этот эффект подобен пьезоэлектрическому эффекту и существует в НЦС-магнетиках следующих кристаллических групп: ромбических 222, тетрагональных 422, 42m, 4¯, ромбоэдрических 32, гексагональных 622, 6¯, 6¯m2 и кубических 23, 4¯3m, 432. Намагниченность при этом составляет

MjlHn=(1/4π)αijkHnGi/xk.

В гексагональных кристаллах симметрии 6¯ энергия определяется по выражению

wlHn=α1Hn(Gx(H0y/yH0x/x) +Gy(H0x/y+H0y/x))+α2Hn(Gy(H0x/xH0y/y)+Gx(H0x/y+H0y/x)), (18)

а выражения для компонент намагниченности имеют вид

MxlHn=(1/4π)(α1Hn(Gy/yGx/x)+α2Hn(Gy/xGx/y)),MylHn=(1/4π)(α1Hn(Gx/y+Gy/x)+α2Hn(Gx/xGy/y)),MzlHn=0. (19)

В магнетиках симметрии 23, 4¯3m энергия определяется выражением

wlHn=2α123Hn(GxH0y/z+GyH0z/x+GzH0x/y) (20)

и, следовательно, гауссов пучок с Gz наводит магнитный СИ-антивихрь –

MlHn=(1/πw2)α123HnGz(iy+jx).

Неоднородный ОМ-эффект, связанный со слагаемым

giMn=αijkMnMj/xk

и энергией

wlMn=αijkMnGiMj/xk,

существует в НЦС-магнетиках. Выделяя симметричную и антисимметричную части тензора, энергию можно записать как

wlMn=αijkMnsGiMj/xk+JnVnl,

где J=rotM – вихрь намагниченности (магнитный тороидный момент), Vnl=αinMnGi – магнитоэлектрическое СИ-поле,

αinMn=1/2enjkαijkMna,αijkMna=enjkαinMn.

В ферромагнетике с классом симметрии 23 энергия равна

wlMn=α1Mn(GxMy/z+GyMz/x+GzMx/y)α2Mn(GxMz/y+GyMx/z+GzMy/x) (21)

и эффективное магнитное СИ-поле –

HxlMn=α1MnGz/y+α2MnGy/z,HylMn=α1MnGx/z+α2MnGz/x,HzlMn=α1MnGy/x+α2MnGx/y. (22)

Гауссов пучок с Gz наводит поле типа антивихрь

HlMn=4/w2Gz(α1Mnyi+α2Mnxj).

В кубических магнетиках симметрии 432 энергия равна

wlMn=αMn(G,rotM)

и, следовательно, эффективное магнитное СИ-поле равно

HlMn=αMnrotG.

Световой луч с Gz наводит вихревое магнитное поле

HlMn=4/w2GzαMn(yixj)

подобно электрическому току.

Оптофлексоантиферромагнитный эффект, за который ответственно слагаемое giLn=αijkLnLj/xk и энергия wlLn=αijkLnGiLj/xk, существует в ЦАС АФМ [22], а также в НЦС АФМ с эквивалентными подрешетками.

  1. НЕОДНОРОДНЫЕ ОПТОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ КОТТОНА–МУТОНА

Оптомагнитные эффекты, обусловленные симметричной частью тензора диэлектрической проницаемости типа

εijs=aijknMMMkMl, εijs=αijknLLLkLl, εijs=αijknMLMkLl,

проявляются в виде СИ-изменений обменного поля, поля анизотропии, намагниченности подрешеток [8–15].

Неоднородные обратные эффекты Коттона–Мутона (К–М), описывающие слагаемые [21]

εijs=αijklnMMnMkMl/xn, εijs=αijklnLLnLkLl/xn,

и обратные эффекты К–М в электрическом поле, описывающие слагаемые

εijs=αijklnMMEMkMlE0n, εijs=αijklnLLELkLlE0n,

существуют в НЦС магнетиков, а обратные эффекты К-М в поле упругих напряжений

εijs=αijklnmMMuMkMlσnm, εijs=αijklnmLLuLkLlσnm

существуют в любых НЦС-магнетиках.

Оптомагнитные эффекты, описывающие слагаемые

εijs=αijklnMLnMkLl/xn, εijs=αijklnHLnÍ0kLl/xn,εijs=αijklnMLEMkLlE0n, εijs=αijklnHLEÍ0kLlE0n,

существуют в ЦАС АФМ и в НЦС АФМ с эквивалентными подрешетками.

ОМ-эффект К–М в неоднородном магнитном поле (εijs=αijklnLHnLkH0l/xn) и в поле линейно поляризованной по x волны в АФМ симметрии 3¯ʹmʹ(Cr2O3), 3¯ʹm, 3¯ʹ определяется энергией

wlLHn=Txxs[α11123LHn(LxH0y/zLyH0x/z)++α11132LHn(LxH0z/yLyH0z/x)+α11312LHnLz(H0x/yH0y/x)],

и, следовательно, СИ-намагниченность имеет вид

MxlLHn=(1/4π)(α11123LHn(TxxsLy)/zα11312LHn(TxxsLz)/y),MylLHn=(1/4π)(α11123LHn(TxxsLx)/zα11312LHn(TxxsLz)/x),MzlLHn=(1/4π)α11132LHn((TxxsLx)/y(TxxsLy)/x).

В однородном СП намагниченность определяется неоднородностями вектора антиферромагнетизма, в частности, MzlLHn=(1/4π)α11132LHnTxxsrotzL, в отличие от слабого ферромагнетизма [1, 3, 23].

В магнитном и электрическом поле и в поляризованном по z СП в магнетиках симметрии 3¯ʹmʹ, 3¯ʹm, 3¯ʹ энергия будет

wlHLE=Tzzs[α33312HLEH0z(LxE0yLyE0x)++α33231HLELz(H0yE0xH0xE0y)+α33123HLE(H0xLyH0yLx)E0z++α33111HLE(H0x(E0xLxLyE0y)H0y(LxE0y+LyE0x))] (23)

и, следовательно, СИ-намагниченность равна

Mzl=(1/4π)Tzzsα33312HLE(LxE0yLyE0x),Myl=(1/4π)Tzzs[α33231HLELzE0xα33123HLELxE0z+α33111HLE(LxE0y+LyE0x)],Mxl=(1/4π)Tzzs[α33123HLELzE0yα33111HLELyE0z+α33111HLE(E0xLxLyE0y)], (24)

а СИ-поляризация равна

Pzl=(1/4π)Tzzsα33312HLE(H0xLyH0yLx),Pyl=(1/4π)Tzzs[α33312HLEH0zLxα33231HLEH0xLzα33111HLE(H0xLy+H0yLx)],Pxl=(1/4π)Tzzs[α33312HLE)H0zLy+α33231HLEH0yLz+α33111HLE(H0xLxH0yLy)]. (25)

Гауссов пучок с линейно-поляризованным излучением наводит намагниченность, так же как циркулярно-поляризованным излучением.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Результаты описанных выше исследований представляют определенный интерес не только в гносеологическом плане, но и с точки зрения возможности их практического использования. При этом вряд ли стоит надеяться на однородные ОМ-эффекты, поскольку они проявляют себя лишь при большой интенсивности светового поля, в отличие от неоднородных ОМ-эффектов, которые могут проявлять себя и в слабом световом поле с достаточно сильной неоднородностью [21]. Рассмотренные выше эффекты можно использовать для управления магнитными и электрическими параметрами магнетиков путем СИ-наведения или изменения параметров за счет СИ-полей. Эффективные СИ-поля обладают несомненными преимуществами по сравнению с обычными полями, поскольку они локализуются в пределах светового луча, могут иметь очень малую длительность и не создают электромагнитных помех. Кроме однородных и неоднородных «обобщенных поляризаций» P, M, J, C, СП наводит неоднородные «поляризации» высшего порядка (например, полоидальные дипольные моменты, спиральные структуры).

Учесть временную дисперсию можно путем замены αi,n. на αωi,n. = ωαi,n./ω. Рассмотренные ОМ-эффекты будут слабыми из-за нелинейности и низких величин МО-констант. Поэтому они будут более заметными вблизи точек неустойчивости (статических и динамических) состояний, например, близи точек фазовых переходов и точек образования МО-солитонов и МО-каналов [10, 11, 15, 24].

Свет производит СИ изменений во всех подсистемах магнетика, а также нагревает магнетик. Поэтому приходится использовать короткие мощные импульсы в эксперименте. Мощный пучок излучения наводит квазистатические и динамические, однородные и неоднородные изменения в магнитной, поляризационной и упругой подсистемах, поэтому однозначная интерпретация будет нелегкой задачей.

ФИНАНСИРОВАНИЕ РАБОТЫ

Работа выполнена в рамках госзадания для Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН.

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

×

Об авторах

А. Ф. Кабыченков

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: lisovsky.f@yandex.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская обл., 141190

Ф. В. Лисовский

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: lisovsky.f@yandex.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская обл., 141190

Список литературы

  1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1992.
  2. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1979.
  3. Туров Е.А., Колчанов А.В., Меньшинин В.В. и др. Симметрия и физические свойства антиферромагнетиков. М.: Физматлит, 2001.
  4. Смоленский Г.А., Писарев Р.В., Синий И.Г. // Успехи физ. наук. 1975. Т. 116. № 2. С. 231.
  5. Звездин А.К., Котов В.А. Магнитооптика тонких пленок. М.: Наука, 1988.
  6. Ожогин В.И., Шапиро В.Г. Физические величины / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З.Мелихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.
  7. Питаевский Л.П. // ЖЭТФ. 1960. Т. 39. № 5. С. 1450.
  8. Pershan P.S., van der Ziel I.P., Malmstrom L.D. // Phys. Rev. 1966.V. 143. № 2. P. 574.
  9. Балбашов А.М., Зон Б.А., Купершмидт В.Я. и др. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. № 5. С. 304.
  10. Кабыченков А.Ф. // ЖЭТФ. 1991. Т. 100. № 10. С. 1219.
  11. Kabychenkov А. // Studies in Applied Electromagnetics and Mechanics. Non-linear Electromagnetic Systems / Ed. V. Kose, J. Sievert. Amsterdam: IOS Press, 1998. V. 13. P. 879.
  12. Иванов Б.А. // Физика низких температур. 2014. Т. 40. № 2. С. 119.
  13. Калашниковa А.М., Киммель А.В., Писарев Р.В. // Успехи физ. наук. 2005. Т. 185. № 10. С. 1064.
  14. Кабыченков А.Ф., Лисовский Ф.В. // ЖТФ. 2022. Т. 92. № 3. С. 453.
  15. Кабыченков А.Ф. // ФТТ. 2006. Т. 48. № 3. С. 485.
  16. Дзялошинский И.Е. // ЖЭТФ. 1957. Т. 37. №3. С. 881.
  17. Астров Д.Н. // ЖЭТФ. 1960. Т. 38. №3. С. 984.
  18. Birss R. Symmetry and Magnetism. Amsterdam: North-Holland Publ. Co, 1964.
  19. Кричевцов Б.Б., Писарев Р.В., Селицкий А.Г. // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т. 41. №6. С. 259.
  20. Боровик-Романов А.С. // ЖЭТФ. 1960. Т. 38. №4. С. 1088.
  21. Кабыченков А.Ф., Лисовский Ф.В. // ЖЭТФ. 2014. Т. 145. № 4. С. 733.
  22. Кабыченков А.Ф., Лисовский Ф.В. // ЖТФ. 2019. Т. 89. № 7. С. 1039.
  23. Дзялошинский И.Е. // ЖЭТФ. 1957. Т. 32. № 6. С. 1548.
  24. Кабыченков А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. № 1. С. 45.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».