Радиотехника и электроника

Предложена методика эмпирической оценки переходной характеристики антенны апертурного типа при ее возбуждении видеоимпульсом. Оценка проведена на основе сравнения напряжения возбуждения антенны и напряжения возбуждения излучающего раскрыва, которое вычислено по параметрам излученного импульса. Дана оценка энергетической эффективности заданной антенны как преобразователя электрической энергии в энергию излучения при вариации длины антенны, длительности и формы импульса ее возбуждения.

Предложен метод повышения чувствительности электродного датчика, предназначенного для измерения напряженности сверхнизкочастотного электрического поля в морской воде. Показано, что за счет выбора размера и места расположения электродов на плоском диэлектрическом обтекателе шум движения, обусловленный буксировкой, у такого датчика может быть уменьшен в несколько раз, а чувствительность датчика повышена.

Рассмотрены электродинамические свойства плазмы высокочастотного емкостного разряда с магнитным полем вдоль пластин конденсатора. Вычислен комплексный импеданс такой системы. На основе эквивалентной электротехнической схемы плазменного конденсатора проанализированы резонансные свойства разряда. Продемонстрирована роль ионов в устойчивости дрейфующего в скрещенных электрическом и магнитном полях потока электронов.

Экспериментально продемонстрирована возможность когерентного сложения хаотических радиоимпульсов в беспроводном канале. Описан способ получения хаотических радиоимпульсов, имеющих начальный участок с близкими по форме колебаниями. Хаотические радиоимпульсы формируются и излучаются независимыми конструктивно идентичными генераторами хаотических колебаний, каждый из которых модулируется последовательностью видеоимпульсов питания. Показано, что на выходе антенны, принимающей сигналы от двух излучателей, наблюдается когерентное сложение хаотических радиоимпульсов.

Рассмотрены особенности вычисления матриц погонных параметров и характеристик многопроводных линий передачи. Представлена методика расчета матриц первичных погонных параметров многопроводных линий передачи. Сформулированы критерии точности расчета емкостной матрицы. Отмечена необходимость точного учета взаимовлияния между проводниками линии передачи для корректной оценки искажений распространяемых в ней сигналов. Продемонстрировано влияние погонных параметров многопроводных линий передачи на отклики и глазковые диаграммы в конце их активных проводников. Изучено влияние расстояний от крайних проводников до границ поперечных сечений линий передачи на точность вычисления их емкостных матриц. С использованием метода моментов показано, что известные подходы к определению этих расстояний не всегда дают точные или экономичные результаты. На примере нескольких линий передачи с разным числом диэлектрических слоев и проводников, а также с экраном и без него определены минимальные значения этого расстояния, при которых удается добиться точного и экономичного расчета их емкостных матриц.

Предложен экран, поглощающий электромагнитное излучение, разработана микромашинная технология его изготовления на основе объемной микрообработки монокристаллического кремния, изготовлены экспериментальные образцы и исследованы их характеристики. Показано, что в диапазоне частот измерений 14.7…26.7 ГГц наблюдается плавный рост ослабления, вносимого поглощающим экраном, с ростом частоты до максимального значения 20…23 дБ на частоте около 20 ГГц, а затем плавный спад. Величина ослабления увеличивается по мере роста длины экрана и может достигать любых значений. Изготовленные образцы поглощающего экрана обеспечивают получение значительного ослабления в требуемом частотном диапазоне при малой толщине подложки и могут быть успешно применены в аппаратуре космического назначения с целью обеспечения электромагнитной совместимости.

Впервые показано, что при осаждении никеля на нагретую подложку из антимонида галлия возникает диффузия атомов сурьмы из подложки в растущую пленку и образуется пленка антимонида никеля, обладающая аксиальной текстурой с осью, перпендикулярной плоскости пленки вдоль направления (101).

Проанализированы механизмы обратимых и необратимых отказов, происходящих у полупроводниковых СВЧ-приборов, микросхем и микропроцессоров при воздействии мощных электромагнитных импульсов, следующих как одиночно, так и периодически. Показано, что у микропроцессоров отказы обоих видов порождаются электротепловыми неустойчивостями, которые развиваются в пренебрежимо малых объемах прибора. Объяснены зависимости пороговой энергии отказов от амплитуды, длительности и частоты следования импульсов. Результаты расчетов согласуются с экспериментальными данными.

Проведен обзорный анализ проблемных аспектов создания мощных наносекундных частотно-импульсных твердотельных лазеров для применения в различных технологических областях, в том числе в области электронной промышленности. Рассмотрены установки с различными способами накачки (ламповой и диодной) в частотном (порядка 100 Гц) варианте генерации в микронной области инфракрасного диапазона. Проанализированы возможности наращивания энергопотенциала воздействующих импульсов в схемах “задающий генератор-усилитель”, включая двухпроходовое усиление. Обсуждены возможности и перспективы применения лазеров с активными элементами (АЭ) на стекле, а также синтеза крупногабаритных монокристаллов граната с примесью редкоземельных элементов и оптической керамики для изготовления АЭ.