Аппаратная функция отклика детектора отраженных электронов и контраст химического состава образцов в сканирующей электронной микроскопии

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Приводятся формулы для расчета коэффициента отражения обратно рассеянных электронов в зависимости от материала (атомного номера Z), т.е. химического состава образца, и энергии первичных облучающих электронов EB. Приводится расчет детектируемого сигнала обратно рассеянных электронов в зависимости от Z, EB и функции отклика F полупроводниковых детекторов и детекторов на основе микроканальных пластин. Результаты расчетов сравниваются с результатами экспериментальных измерений. Проведен сравнительный анализ контраста изображений состава образцов, получаемого для различных типов детекторов при различных EB.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

Э. Рау

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Email: rau@phys.msu.ru
Ресей, Москва

С. Зайцев

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: zai336@mail.ru
Ресей, Москва

Әдебиет тізімі

  1. Reimer L., Scanning Electron Microscopy. Physics of Image formation and Microanalysis. 2-d ed. Berlin: Springer, 1998.
  2. Funsten H.O., Suszcynsky D.M., Ritzau S.M., Korde R. //IEEE Transactions on Nuclear Science. 1997. V. 44(6). P. 2561. https://doi.org/10.1109/23.650863
  3. Рау Э.И., Орликовский Н.А., Иванова Е.С. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46(6). С. 829.
  4. Wall B.L., Amsbaugh J.F., Beglarian A., Bergmann T., Bichsel H.C., Bodine L.I., Wilkerson J.F. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2014. V. 744. P. 73. https://doi.org/10.1016/j.nima.2013.12.048
  5. Зайцев С.В., Купреенко С.Ю., Рау Э.И., Татаринцев А.А. // ПТЭ. 2015. Т. 6. С. 51. https://doi.org/10.31857/S0032816223040092.
  6. Müller E., Gerthsen D. // Ultramicroscopy. 2017. V. 173. P. 71. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2016.12.003
  7. Rau E.I., Karaulov V.Y., Zaitsev S.V. // Rev. Sci. Instrum. 2019. V. 90(2). P. 023701. https://doi.org/10.1063/1.5054746
  8. Chen Z., Hu L., Zhang L., Shen J., Chen C. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2023. V. 70(3). P. 1109. http://dx.doi.org/10.1109/TED.2023.3236907
  9. Arnal F., Verdier P., Vincensini P.D. // Compt. Rend. Acad. Sci. 1969. V. 268. P.1526.
  10. Hunger H.J., Küchler L. // Phys. Status Solidi (a). 1979. V. 56(1). P. K45. https://doi.org/10.1002/pssa.2210560157
  11. Staub P.F. // J. Physics D: Appl. Phys. 1994. V. 27(7). P.1533. https://doi.org/10.1088/0022-3727/27/7/030.
  12. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. Москва: Наука, 1969.
  13. Fitting H.J. // J. Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 2004. V. 136(3). P. 265. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2004.04.003.
  14. Орликовский Н.А., Рау Э.И. // Известия РАН. Серия физическая. 2011. Т. 75. №9. С. 1305.
  15. Cazaux J., Kuwano N., Sato K. // Ultramicroscopy. 2013. V. 135. P. 43. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2013.06.002
  16. Timisch F., Inoue N. // Ultramicroscopy. 2018. V. 186. P. 82. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2017.12.001
  17. Sercel P.C., Lebens J.A., Vahala K.J. // Rev. Sci. Instrum. 1989. V. 60(12). P. 3775. https://doi.org/10.1063/1.1140489
  18. Kim H., Negishi T., Kudo M., Takei H., Yasuda K. // J. Electron Microscopy. 2010. V. 59(5). P. 379. https://doi.org/10.1093/jmicro/dfq012

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. a -Reflection coefficient of backscattered electrons as a function of atomic number Z, calculated by formula (2) for EB = 2 keV (curve 1) and EB = 20 keV (curve 2), as well as by formula (3) (curve 3). b -Reflection coefficient of backscattered electrons as a function of EB energy for different elements Z, calculated by formula (2).

Жүктеу (133KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Schematic representation of the experiment geometry when the SEM operates in the reflected electron (RE) detection mode: Sp - sample, D - semiconductor planar p-n detector with frontal layer thickness t.

Жүктеу (100KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Dependences of the IS signal on the EB energy for a number of massive samples with atomic number Z at the primary electron current IB = 1 nA.

Жүктеу (136KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Normalized values of the response function F as a function of EB energy for semiconductor detectors and for MCP detectors.

Жүктеу (124KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».