Аппаратная функция отклика детектора отраженных электронов и контраст химического состава образцов в сканирующей электронной микроскопии
- 作者: Рау Э.И.1, Зайцев С.В.1
-
隶属关系:
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
- 期: 编号 4 (2024)
- 页面: 143-148
- 栏目: ОБЩАЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ТЕХНИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0032-8162/article/view/279066
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0032816224040166
- EDN: https://elibrary.ru/NYCJZZ
- ID: 279066
如何引用文章
详细
Приводятся формулы для расчета коэффициента отражения обратно рассеянных электронов в зависимости от материала (атомного номера Z), т.е. химического состава образца, и энергии первичных облучающих электронов EB. Приводится расчет детектируемого сигнала обратно рассеянных электронов в зависимости от Z, EB и функции отклика F полупроводниковых детекторов и детекторов на основе микроканальных пластин. Результаты расчетов сравниваются с результатами экспериментальных измерений. Проведен сравнительный анализ контраста изображений состава образцов, получаемого для различных типов детекторов при различных EB.
全文:

作者简介
Э. Рау
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: rau@phys.msu.ru
俄罗斯联邦, Москва
С. Зайцев
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
编辑信件的主要联系方式.
Email: zai336@mail.ru
俄罗斯联邦, Москва
参考
- Reimer L., Scanning Electron Microscopy. Physics of Image formation and Microanalysis. 2-d ed. Berlin: Springer, 1998.
- Funsten H.O., Suszcynsky D.M., Ritzau S.M., Korde R. //IEEE Transactions on Nuclear Science. 1997. V. 44(6). P. 2561. https://doi.org/10.1109/23.650863
- Рау Э.И., Орликовский Н.А., Иванова Е.С. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46(6). С. 829.
- Wall B.L., Amsbaugh J.F., Beglarian A., Bergmann T., Bichsel H.C., Bodine L.I., Wilkerson J.F. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2014. V. 744. P. 73. https://doi.org/10.1016/j.nima.2013.12.048
- Зайцев С.В., Купреенко С.Ю., Рау Э.И., Татаринцев А.А. // ПТЭ. 2015. Т. 6. С. 51. https://doi.org/10.31857/S0032816223040092.
- Müller E., Gerthsen D. // Ultramicroscopy. 2017. V. 173. P. 71. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2016.12.003
- Rau E.I., Karaulov V.Y., Zaitsev S.V. // Rev. Sci. Instrum. 2019. V. 90(2). P. 023701. https://doi.org/10.1063/1.5054746
- Chen Z., Hu L., Zhang L., Shen J., Chen C. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2023. V. 70(3). P. 1109. http://dx.doi.org/10.1109/TED.2023.3236907
- Arnal F., Verdier P., Vincensini P.D. // Compt. Rend. Acad. Sci. 1969. V. 268. P.1526.
- Hunger H.J., Küchler L. // Phys. Status Solidi (a). 1979. V. 56(1). P. K45. https://doi.org/10.1002/pssa.2210560157
- Staub P.F. // J. Physics D: Appl. Phys. 1994. V. 27(7). P.1533. https://doi.org/10.1088/0022-3727/27/7/030.
- Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. Москва: Наука, 1969.
- Fitting H.J. // J. Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 2004. V. 136(3). P. 265. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2004.04.003.
- Орликовский Н.А., Рау Э.И. // Известия РАН. Серия физическая. 2011. Т. 75. №9. С. 1305.
- Cazaux J., Kuwano N., Sato K. // Ultramicroscopy. 2013. V. 135. P. 43. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2013.06.002
- Timisch F., Inoue N. // Ultramicroscopy. 2018. V. 186. P. 82. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2017.12.001
- Sercel P.C., Lebens J.A., Vahala K.J. // Rev. Sci. Instrum. 1989. V. 60(12). P. 3775. https://doi.org/10.1063/1.1140489
- Kim H., Negishi T., Kudo M., Takei H., Yasuda K. // J. Electron Microscopy. 2010. V. 59(5). P. 379. https://doi.org/10.1093/jmicro/dfq012
补充文件
