The Stability Criterion of a Semiconductor Superlattice in the Drift–Diffusion Approximation

V. Ch. Zhukovskii; N. S. Prudskikh; S. E. Golovatyuk; V. D. Krevchik; M. B. Semenov; A. V. Shorokhov

doi:10.3103/S0027134918040173

The Stability Criterion of a Semiconductor Superlattice in the Drift–Diffusion Approximation

Авторлар: Zhukovskii V.C.¹, Prudskikh N.S.², Golovatyuk S.E.², Krevchik V.D.³, Semenov M.B.³, Shorokhov A.V.²
Мекемелер:
1. Department of Physics
2. Department of Theoretical Physics, Institute of Physics and Chemistry
3. Faculty of Instrument Engineering, Information Systems, Technology, and Electronics
Шығарылым: Том 73, № 4 (2018)
Беттер: 398-400
Бөлім: Condensed Matter Physics
URL: https://journals.rcsi.science/0027-1349/article/view/165026
DOI: https://doi.org/10.3103/S0027134918040173
ID: 165026

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

A criterion for the electric stability of a semiconductor superlttice placed in a longitudinal electric field has been obtained using the drift–diffusion approximation. It is demonstrated that the account for the contact ohmicity yields a stability criterion that is different from that related to the negative differential conductivity.