The Validity of the Results of High-Performance Modeling of SiO 2  Film Growth

V. G. Zhupanov; F. V. Grigoriev; V. B. Sulimov; A. V. Tikhonravov

doi:10.3103/S0027134917060248

The Validity of the Results of High-Performance Modeling of SiO₂ Film Growth

Авторлар: Zhupanov V.G.¹, Grigoriev F.V.², Sulimov V.B.², Tikhonravov A.V.²
Мекемелер:
1. Luch Research and Production Association
2. Research Computing Center
Шығарылым: Том 72, № 6 (2017)
Беттер: 558-562
Бөлім: Condensed Matter Physics
URL: https://journals.rcsi.science/0027-1349/article/view/164878
DOI: https://doi.org/10.3103/S0027134917060248
ID: 164878

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

This work is devoted to checking of the validity of the results of high-performance modeling of SiO₂ film growth. Modeling of the high-energy deposition process shows that the refractive indices of deposited SiO₂ films exceed the refractive index of a fused silica substrate. This is entirely supported by the analysis of spectrophotometric data obtained for practical thin films deposited using the respective deposition technique.