Dynamics of metal-semiconductor and reverse semiconductor-metal phase transitions in sms thin films induced by mechanical and thermal influences

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The article presents the findings of an investigation of SmS thin films phase transition dynamics, focusing on the semiconductor–metal transition induced by mechanical polishing and the reverse thermally induced metal–semiconductor transition. The results demonstrate that the reverse phase transition occurs during the sample cooling within the temperature range of 408–373 K. The change of phase and element composition of thin films is observed during the aforementioned phase transitions within the surface layer. The findings suggest that SmS thin films can be considered as structures with predictable and required phase transition dynamics, making them promising candidates for engineering functional materials and elements of pressure sensors operating over a wide range.

Авторлар туралы

I. Volchkov

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC “Kurchatov Institute”

Email: volch2862@gmail.com
Moscow, 119333 Russia

E. Baskakov

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC “Kurchatov Institute”

Moscow, 119333 Russia

D. Khairetdinova

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC “Kurchatov Institute”

Moscow, 119333 Russia

V. Kanevsky

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC “Kurchatov Institute”

Moscow, 119333 Russia

Әдебиет тізімі

  1. Каминский В.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. № 3. С. 423.
  2. Barla A., Sanchez J.P., Haga Y. et al. // Phys. Rev. Lett. 2004. V. 92. № 6. P. 066401. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.92.066401
  3. Banerjee D., Plekhanov E., Rungger I. et al. // Phys. Rev. B. 2022. V. 105. № 19. P. 195135. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195135
  4. Sousanis A., Smet P., Poelman D. // Materials. 2017. V. 10. № 8. P. 953. https://doi.org/10.3390/ma10080953
  5. Kaldis E., Wachter P. // Solid State Commun. 1972. V. 11. № 7. P. 907. https://doi.org/10.1016/0038-1098(72)91005-8
  6. Rogers E., Smet P.F., Dorenbos P. et al. // J. Phys. Condens. Mater. 2010. V. 22. № 1. P. 015005. https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/1/015005
  7. Sousanis A., Poelman D., Detavernier C. et al. // Sensors. 2019. V. 19. № 20. P. 4390. 10.3390/s19204390' target='_blank'>https://doi: 10.3390/s19204390
  8. Imura K., Matsubayashi K., Suzuki H.S. et al. // J. Phys. Soc. Jpn. 2009. V. 78. № 1. P. 104602. https://doi.org/10.1143/JPSJ.78.104602
  9. Jarrige I., Yamaoka H., Rueff J.P. et al. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. № 11. P. 115107. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.115107
  10. Kirk J.L., Vedam K., Narayanamurti V. et al. // Phys. Rev. B. 1972. V. 6. № 8. P. 3023. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.6.3023
  11. Виноградов А.А., Каминский В.В., Смирнов И.А. // ФТТ. 1985. Т. 27. № 4. С. 1121.
  12. Стрелов В.И., Баскаков Е.Б., Бендрышев Ю.Н. и др. // Кристаллография. 2019. Т. 64. № 2. С. 281. https://doi.org/10.1134/S0023476119020292
  13. Каминский В.В., Молодых А.А., Степанов Н.Н. и др. // Научное приборостроение. 2011. Т. 21. № 2. С. 53.
  14. Bronovets M.A., Volodin N.M., Mishin Y.N. // Mater. Lett. 2020. V. 267. P. 127467. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2020.127467
  15. Takenaka K., Asai D., Kaizu R. et al. // Sci. Rep. 2019. V. 9. № 1. P. 122. https://doi.org/10.1038/s41598-018-36568-w
  16. Yokoyama Y., Hasegawa H., Mizuno Y. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. № 24. P. 245143. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.245143
  17. Zhu K., Ding W., Sun W. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2016. V. 27. P. 2379. https://doi.org/10.1007/s10854-015-4035-7
  18. Sun W., Zhu K., Xu H. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2017. V. 28. P. 697. https://doi.org/10.1007/s10854-016-5578-y
  19. Andreev O.V., Ivanov V.V., Gorshkov A.V. et al. // Eurasian Chem.-Technol. J. 2016. V. 18. № 1. P. 55. https://doi.org/10.18321/ectj396
  20. Каминский В.В., Молодых А.А., Полухин И.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. № 11. С. 1.
  21. Каминский В.В., Сидоров В.А., Степанов Н.Н. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. № 2. С. 257.
  22. Пронин И.А., Якушова Н.Д., Димитров Д.Ц. и др. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. № 18. С. 11. https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.18.45028.16754
  23. Каминский В.В., Соловьев С.М., Шаренкова Н.В. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. № 23. С. 85. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47014.17235
  24. Volchkov I., Baskakov E., Strelov V. et al. // J. Rare Earth. 2022. V. 40. № 11. P. 1778. https://doi.org/10.1016/j.jre.2022.01.008
  25. Каминский В.В., Дидик В.А., Казанин М.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. № 21. С. 16.
  26. Калинин Ю.Е., Чуйко А.Г., Новиков Е.Г. // Альтернативная энергетика и экология. 2015. Т. 3. № 167. С. 28.
  27. Щенников В.В., Степанов Н.Н., Смирнов И.А. и др. // ФТТ. 1988. Т. 30. № 10. С. 3105.
  28. Imura K., Ikeo Y., Sakamoto K. et al. // New Phys.: Sae Mulli. 2023. V. 73. P. 1094. https://doi.org/10.3938/NPSM.73.1094
  29. Deen P.P., Braithwaite D., Kernavanois N. et al. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. № 24. P. 245118. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.245118
  30. Watanabe S. // J. Phys. Soc. Jpn. 2021. V. 90. № 2. P. 023706. https://doi.org/10.7566/JPSJ.90.023706
  31. Глушков В.В., Журкин В.С., Божко А.Д. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 116. № 11. С. 770. https://doi.org/10.31857/S1234567822230057
  32. Баскаков Е.Б., Стрелов В.И. // Кристаллография. 2021.Т. 66. № 6. С. 925. https://doi.org/10.31857/S0023476121060059
  33. Волчков И.С., Баскаков Е.Б., Стрелов В.И. и др. // ЖТФ. 2019. Т. 45. № 22. С. 12. https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.22.48641.17859

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».