Measurement of Photoelectrophysical Characteristics of Conductive Layers of CsPbBr3 Colloidal Quantum Dots

D. N. Pevtsov; Певцов Д. Н.; G. A. Lochin; Лочин Г. А.; A. V. Katsaba; Кацаба А. В.; S. B. Brichkin; Бричкин С. Б.

doi:10.31857/S0023119323030117

Измерение фотоэлектрофизических характеристик проводящих слоев ККТ CSPBBR₃

Авторы: Певцов Д.Н.¹^,2, Лочин Г.А.¹^,2, Кацаба А.В.²^,3, Бричкин С.Б.¹
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
2. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
3. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Выпуск: Том 57, № 3 (2023)
Страницы: 186-190
Раздел: ФОТОНИКА
URL: https://journals.rcsi.science/0023-1193/article/view/139976
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119323030117
EDN: https://elibrary.ru/KDYBIW
ID: 139976

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Синтезированы коллоидные квантовые точки перовскитов химического состава CsPbBr₃. Для этих частиц методом стационарной спектрофлуориметрии определены средний размер ансамбля частиц и полидисперсность образца. Из полученных частиц изготовлены проводящие слои и измерены их электрофизические характеристики. Установлен дырочный характер проводимости, измерены проводимость слоя (0.04 См/м), подвижность (0.8 см²/(В × с)) и концентрация свободных носителей заряда (3.01 × 10²¹ м^–3). В соответствии с литературными данными, полученное значение подвижности выше типичных получаемых значений на 1–2 порядка. Показано, что высокая полидисперсность имеет слабое влияние на электрофизические и транспортные характеристики в полученных слоях.

Ключевые слова

коллоидные квантовые точки, неорганические перовскиты, полевой транзистор, подвижность носителей заряда

Об авторах

Д. Н. Певцов

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр
проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”

Email: pevtsov.dn@phystech.edu
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, проспект ак. Семенова, 1; Россия, 141701, Московская обл., Долгопрудный, Институтский пер., д. 9

Г. А. Лочин

А. В. Кацаба

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева
Российской академии наук

Email: pevtsov.dn@phystech.edu
Россия, 141701, Московская обл., Долгопрудный, Институтский пер., д. 9; Россия, 119991, Москва, Ленинский проспект, д. 53

С. Б. Бричкин

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр
проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: pevtsov.dn@phystech.edu
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, проспект ак. Семенова, 1

Список литературы

Deschler F., Price M., Pathak S., Klintberg L.E., Jarasch D.-D., Higler R., Hüttner S., Leijtens T., Stranks S.D., Snaith H.J., Atatüre M., Phillips R.T., Friend R.H. // J. Phys. Chem. Lett. 2014. V. 5. P. 1421.
Чикалова–Лузина О.П., Вяткин В.М., Щербаков И.П., Алешин А.Н. // Физика твердого тела. 2020. Т. 62. Вып. 8. С. 1333–1338.
Ahmad S., Kanaujia P.K., Beeson H.J., Abate A., Deschler F., Credgington D., Steiner U., Prakash G.V., Baumberg J.J. // ACS Appl Mater. Interfaces. 2015. № 7. P. 25227.
Ye J., Byranvand M.M., Martínez C.O., Hoye R.L., Saliba M., Polavarapu L. // Angewandte Chemie. № 133(40). P. 21804–21828.
Zhang C., Wang S., Li X., Yuan M., Turyanska L., Yang X. // Advanced Functional Materials. № 30(31). P. 1910582.
Kim J., Hu L., Chen H., Guan X., Anandan P.R., Li F., Wu T. // ACS Materials Letters. № 2(11). P. 1368-1374.
Zhou S., Zhou G., Li Y., Xu X., Hsu Y. J., Xu J., Lu X. // ACS Energy Letters. № 5(8). P. 2614-2623.
Иванчихина А.В., Пундиков К.С. // Химия высоких энергий. Т. 54. № 5. С. 361–369.
Gilmore R.H., Lee E.M., Weidman M.C., Willard A.P., Tisdale W.A. // Nano letters. № 17(2). P. 893–901.
Chang Lu, Marcus W. Wright, Xiao Ma et al. // Chemistry of Materials. 2019. V. 31 № 1. P. 62–67.
Jorick Maes, Lieve Balcaen, Emile Drijvers et al. // J. Phys. Chemi. Let. 2018. V. 9. № 11. P. 3093–3097.
Tovstun S.A., Gadomska A.V., Spirin M.G., Razumov V.F. // J. Luminescence. 2022. V. 252. P. 119420.
Mandal A., Ghosh A., Senanayak S.P., Friend R.H., Bhattacharyya S. // J. Phys. Chem. Let. 2021. V. 12(5).
Aleshin A.N., Shcherbakov I.P., Kirilenko D.A. et al. // Phys. Solid State. 2019. V. 61. P. 256–262.