Email this article 
Влияние состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы трифторметана с кислородом и аргоном
- Authors: 1, 1, 1
-
Affiliations:
- Ивановский государственный химико-технологический университет
- Issue: Vol 57, No 2 (2023)
- Pages: 156-160
- Section: PLASMA CHEMISTRY
- URL: https://journals.rcsi.science/0023-1193/article/view/140012
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119323020092
- EDN: https://elibrary.ru/NHBCCL
- ID: 140012
Cite item
Full Text
Abstract
Проведен анализ влияния состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы трифторметана с кислородом и аргоном в условиях тлеющего разряда постоянного тока. Установлено, что приведенная напряженность электрического поля нелинейно изменяется с увеличением доли второго газа в смеси. Показано, что при доле кислорода 0.5 в смеси приведенная интенсивность излучения атомарного фтора проходит через максимум, в смеси с аргоном – возрастает и в диапазоне 0.2–0.8 практически не изменяется. В смеси с кислородом наблюдается резкий спад приведенной интенсивности излучения CF2 в диапазоне 0.2–0.5, а в смеси с аргоном в диапазоне 0.2–0.5 практически не изменяется.
Keywords
About the authors
Ивановский государственный химико-технологический университет
Author for correspondence.
Email: sap@isuct.ru
Россия, 153000, Иваново, просп. Шереметевский, 7
Ивановский государственный химико-технологический университет
Email: sap@isuct.ru
Россия, 153000, Иваново, просп. Шереметевский, 7
Ивановский государственный химико-технологический университет
Email: sap@isuct.ru
Россия, 153000, Иваново, просп. Шереметевский, 7
References
- Advanced plasma processing technology. New York: John Wiley & Sons Inc. 2008. 479 p.
- Nojiri K. Dry etching technology for semiconductors. Tokyo: Springer Internat. Publ. 2015. 116 p.
- Pivovarenok S.A., Bakshina P.I. // High Energy Chemistry. 2021. V. 55. № 3. P. 233.
- Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И. и др. // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 4. С. 29.
- Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И. и др. // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 8. С. 41.
- Дунаев А.В., Мурин Д.Б., Пивоваренок С.А. // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 2. С. 167.
- Pivovarenok S.A., Dunaev A.V., Murin D.B. et al. // High Temperature. 2011. V. 49. № 4. P. 491.
- Пивоваренок С.А., Королькова К.А. // Сборник тезисов докладов на III Всероссийской молодежной конференции “Успехи химической физики”. М.: Издательство “Граница”. 2016. С. 124.
- Пивоваренок С.А. // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. № 3. С. 231.
- Пивоваренок С.А. // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 4. С. 279.
- Рохлин Г.Н. Разрядные источники света. 2-е изд.; перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1991. 720 с.
- Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б. и др. // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2011. Т. 54. № 9. С. 48.
- Иванов Ю.А., Лебедев Ю.А., Полак Л.К. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии. М.: Наука. 1981. 143 с.
- Пивоваренок С.А., Мурин Д.Б., Ситанов Д.В. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 1. С. 43.
- Pearse R.W.B., Gaydon A.G. The identification of molecular spectra. Ed. 4th. New York: John Wiley & Sons, Inc. 1976. 407 p.
- Стриганов А.Р., Свентицкий Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизированных атомов. М.: Атомиздат., 1966. 899 с.
- Pivovarenok S.A., Murin D.B. // High Energy Chemistry. 2022. V. 56. № 3. P. 197.
- Proshina O., Rakhimova T.V., Zotovich A. et al. // Plasma Sources Sci. Technol. 2017. V. 26. P. 075005.
- Sugawara H., Ishihara Y., Saito R. et al. // Proc. of 27th ICPIG. (Eindhoven, The Netherlands), 2005. P. 18.
- Bose D., Rao M.V.V.S., Govindan T.R. et al. // Plasma Sources Sci. Technol. 2003. V. 12. P. 225.
- Yamamori Y., Takahashi K., Inomata T. // J. Phys. Chem. A. 1999. V. 103. P. 8803.
- Kim Y., Kang S., Ham Y.-H. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2012. V. 30. № 3. P. 031601-1.
- Kato S., Okuda I., Takahashi E. et al. // Plasma and Fusion Research. 2008. V. 3. P. 038-1.
Supplementary files
