Мақаланы E-mail арқылы жіберу X-ray dosimetric characteristics of AgGaS2 single crystals grown by chemical vapor transport
- Авторлар: Asadov S.M.1, Mustafaeva S.N.2, Guseinov D.T.2
-
Мекемелер:
- Nagiyev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry
- Institute of Physics
- Шығарылым: Том 53, № 5 (2017)
- Беттер: 457-461
- Бөлім: Article
- URL: https://journals.rcsi.science/0020-1685/article/view/158213
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168517050028
- ID: 158213
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
Using chemical vapor transport, we have grown AgGaS2 single crystals possessing large room-temperature X-ray induced conductivity and X-ray sensitivity coefficients, which allows the single crystals to be recommended for use as key elements of various uncooled and very fast X-ray detecting devices and systems.
Негізгі сөздер
Авторлар туралы
S. Asadov
Nagiyev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry
Email: solmust@gmail.com
Әзірбайжан, pr. Javida 113, Baku, AZ1143
S. Mustafaeva
Institute of Physics
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: solmust@gmail.com
Әзірбайжан, pr. Javida 113, Baku, AZ1143
D. Guseinov
Institute of Physics
Email: solmust@gmail.com
Әзірбайжан, pr. Javida 113, Baku, AZ1143
Қосымша файлдар
