Photoluminescence of submicron-thick CVD (Gd  x  Y 1– x  ) 2 O 3 :Eu 3+  (11–14 at % Eu) films

V. V. Bakovets; S. V. Belaya; I. V. Korol’kov; E. A. Maksimovskii; M. I. Rakhmanova; P. A. Stabnikov; I. V. Yushina

doi:10.1134/S0020168517060012

Photoluminescence of submicron-thick CVD (Gd_xY_1–x)₂O₃:Eu³⁺ (11–14 at % Eu) films

Авторлар: Bakovets V.V.¹, Belaya S.V.¹, Korol’kov I.V.¹^,2, Maksimovskii E.A.¹, Rakhmanova M.I.¹, Stabnikov P.A.¹, Yushina I.V.¹
Мекемелер:
1. Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch
2. Novosibirsk National State Research University
Шығарылым: Том 53, № 6 (2017)
Беттер: 613-618
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/0020-1685/article/view/158237
DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168517060012
ID: 158237

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

(Gd_xY_1–x)₂O₃:Eu³⁺ (11–14 at % Eu) phosphor films ≤150 nm in thickness have been grown by Ln(dpm)₃ chemical vapor deposition on Si(100) substrates, and the chemical and phase compositions of the films have been determined. We have studied photoluminescence spectra of the films and the exact distribution of the Eu³⁺ activator ions over the cation sites of the solid solutions.