Epitaxial Growth of Fe3O4 Layers on the C-Plane of Sapphire by Pulsed Laser Deposition


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

We have studied the effect of substrate temperature and molecular oxygen pressure on the growth of thin (<180 nm) epitaxial Fe3O4(111) films on the C-plane of single-crystal sapphire (Al2O3(0001)) via pulsed laser evaporation. We have investigated the electrical properties, morphology, and structure of magnetite films grown under various conditions and the magnetic-field and temperature dependences of their resistivity. Fe3O4 has been shown to have a stable growth plateau (SGP) at pressures in the range (3–9) × 10–5 Torr and growth temperatures from 300 to 550°C. With increasing growth temperature, the SGP shifts to higher oxygen pressures. Analysis of the effect of film growth temperature indicates that optimal electrical characteristics and a more perfect crystal structure are ensured by elevated growth temperatures, above 400°C, whereas growth temperatures below 350°C make it possible to minimize the surface roughness of the films and improve their surface homogeneity. Annealing magnetite films under high vacuum above the growth temperature allows all of these requirements to be met.

Об авторах

I. Malikov

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: malikov@iptm.ru
Россия, ul. Akademika Osip’yana 6, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

V. Berezin

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences

Email: malikov@iptm.ru
Россия, ul. Akademika Osip’yana 6, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

L. Fomin

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences

Email: malikov@iptm.ru
Россия, ul. Akademika Osip’yana 6, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

G. Mikhailov

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences

Email: malikov@iptm.ru
Россия, ul. Akademika Osip’yana 6, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2019

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».