Features of Pore Nucleation in p-Si during Its Electrochemical Etching

E. N. Abramova; A. M. Khort; A. G. Yakovenko; Yu. V. Syrov; V. N. Tsygankov; E. A. Slipchenko; V. I. Shvets

doi:10.1134/S0012500819070012

Features of Pore Nucleation in p-Si during Its Electrochemical Etching

Авторы: Abramova E.N.¹, Khort A.M.¹, Yakovenko A.G.¹, Syrov Y.V.¹, Tsygankov V.N.¹, Slipchenko E.A.¹, Shvets V.I.¹
Учреждения:
1. MIREA—Russian Technological University
Выпуск: Том 487, № 1 (2019)
Страницы: 165-167
Раздел: Chemistry
URL: https://journals.rcsi.science/0012-5008/article/view/154458
DOI: https://doi.org/10.1134/S0012500819070012
ID: 154458

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Features of the formation of porous silicon layers during anodic etching of p-Si were considered. A fundamental difference between the mechanisms of the formation of nanostructured layers on p-and n-Si was shown.