Мақаланы E-mail арқылы жіберу Influence of GaAs molecules on the photosensitivity of pSi–n(GaSb)1–x(Si2)x and nGaAs–p(InSb)1–x(Sn2)x heterostructures
- Авторлар: Usmonov S.N.1
-
Мекемелер:
- Physical–Technical Institute, Scientific Association “Physics–Sun”
- Шығарылым: Том 52, № 3 (2016)
- Беттер: 211-214
- Бөлім: Direct Conversion of Solar Energy into Electric Energy
- URL: https://journals.rcsi.science/0003-701X/article/view/149179
- DOI: https://doi.org/10.3103/S0003701X16030178
- ID: 149179
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
The spectral dependences of heterostructures pSi–n(GaSb)1–x(Si2)x (0 ≤ х ≤ 0.07) and nGaAs–p(InSb)1–x(Sn2)x (0 ≤ х ≤ 0.05) alloyed by GaAs molecules are studied. The ionization energy of GaAs molecules in the studied structures is assessed and its dependence on the width of the band gap and parameter of the lattice of the basic semiconductor are found.
Авторлар туралы
Sh. Usmonov
Physical–Technical Institute, Scientific Association “Physics–Sun”
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: sh_usmonov@rambler.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100084
Қосымша файлдар
