Влияние гамма-радиации на электрические свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15, легированных акцепторной примесью свинца

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Исследовано влияние гамма-радиации на электрические свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15, легированных 0.001–0.05 ат. % свинца, в интервале ~77–300 К. Высказано предположение, что в нелегированных образцах γ-облучение дозой ~1 Мрад создает дефекты донорного типа, приводит к росту концентрации носителей тока n и электропроводности σ. В образцах с 0.001 ат. % Pb радиационные донорные дефекты, компенсируя акцепторные центры свинца, уменьшают σ. Для образцов с концентрацией Pb ≥ 0.005 ат. % компенсация электронов проводимости осуществляется акцепторными центрами свинца, поэтому созданные γ-облучением новые электроны приводят к росту σ. Наблюдается удовлетворительная корреляция в зависимостях электропроводности σ, коэффициентов термо-эдс α и Холла RХ от содержания Pb и дозы γ-облучения.

Полный текст

ВВЕДЕНИЕ

Высокопрочные экструдированные материалы на основе системы Bi–Sb эффективны для создания низкотемпературных термо- и магнитотермоэлектрических преобразователей энергии [1–8]. При этом, с точки зрения перекрытия температурной области ~150–250 К, в которой известные полупроводниковые сплавы не сохраняют высоких значений термоэлектрической добротности, представляют интерес сплавы Bi–Sb с добавками примесей акцепторного типа, например олова, свинца и т.д. [9, 10].

Радиационные термоэлементы являются структурной единицей сенсоров, используемых при измерении энергетических параметров различного излучения в диапазоне длин волн от 0.1 до 100 мкм [11–15].

Под воздействием гамма-радиации происходит изменение спектра локализованных состояний, связанных структурными дефектами, которые приводят к изменению электрических свойств материала.

Выяснено, что эффективность дефектообразования и тип радиационных дефектов (РД) в сильной степени зависят от электронных параметров исходного материала, положения уровня Ферми. Показано, что при концентрации РД, превышающей концентрацию химических примесей (условия “сильного” облучения), имеет место закрепление уровня Ферми в стационарном положении Flim, характерном для каждого материала [12, 16, 17].

Образование РД в полупроводниковом материале можно рассматривать как процесс модифицирования материала [18–20]. Модифицирование электрических свойств и смещение уровня Ферми в состояние Flim при облучении гамма-квантами относятся к процессам самокомпенсации.

В работе [21] по результатам холловских измерений выявлено, что гамма-облучение кристаллов кремния n-типа проводимости при температуре жидкого азота (77.4 К) приводит к росту подвижности носителей тока. Эффект был объяснен введением при облучении акцепторных центров, частично нейтрализующих заряд ионных остовов.

Электронные преобразователи на основе твердых растворов системы Bi–Sb часто используются в условиях радиации. РД, созданные при γ-облучении, влияя на электрические и тепловые свойства полупроводниковых материалов, существенно изменяют и параметры приборов [10, 12, 14]. Поэтому исследование влияния РД на термоэлектрические свойства твердых растворов системы Bi–Sb актуально.

С целью изучения влияния γ-радиации на электрические свойства твердого раствора Bi0.85Sb0.15, легированного акцепторными примесями, получены экструдированные образцы этого состава с 0.001–0.05 ат. % свинца, исследованы зависимости их электрических свойств от дозы γ-излучения в интервале ~77–300К.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Технология получения экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15 состоит из нескольких операций.

Синтез. Поскольку термоэлектрические свойства низкотемпературных материалов существенно зависят от чистоты компонентов, висмут ВИ-0000 и сурьма СУ-0000 предварительно очищали от возможного поверхностного оксидного слоя в специальных ампулах. Синтез проводили прямым сплавлением компонентов в кварцевой ампуле, предварительно протравленной в растворе хромпика и промытой бидистиллированной водой. Ампула откачивалась до остаточного давления ~10–4 Па и отпаивалась. Синтез проводили при ~675К в течение 5 ч. Для улучшения гомогенности сплава ампулу с веществом в процессе синтеза постоянно подвергали качанию с помощью специального устройства.

Измельчение (дробление) проводилось в фарфоровой чашке со ступкой. С использованием специального сита отбиралась фракция с размерами зерен ≤ 630 мкм. Эксперименты показали, что дальнейшее уменьшение размеров зерен ухудшает термоэлектрические свойства материала [8].

Прессование брикетов велось при комнатной температуре и давлении ~400 МПа; диаметр брикетов ~30 мм.

Формирование ветвей термоэлементов осуществлялось методом экструзии. Технологические условия экструзии существенно влияют на свойства и однородность материала, а также механизм и кинетику процессов, протекающих в материале при послеэкструзионном отжиге. При благоприятном сочетании технологических параметров экструзия обеспечивает получение прутков, не содержащих макроскопических дефектов, с высокими механическими свойствами. При горячей экструзии за счет пластической деформации в образцах наряду с образованием текстуры одновременно возникают различные структурные дефекты, уменьшающие подвижность носителей заряда [6, 8, 22].

Экструзия проводилась на гидравлическом прессе марки МС-1000. Степень вытяжки ~25. Диаметр экструдированных прутков составлял 6 мм.

Оптимальные технологические параметры экструзии установлены нами экспериментально: температура экструзии Тэкс = 473К, давление экструзии Рэкс = 350 МПа, скорость пресса ν = 0.2 см/мин.

Послеэкструзионный отжиг. В зависимости от состава образца и условий экструзии оптимальная температура послеэкструзионного отжига может быть как ниже, так и выше температуры экструзии, но всегда выше максимальной температуры нагрева материала в ходе технологических воздействий. Длительность отжига в откачанных до давления 10–3 Па кварцевых ампулах составляла 2 ч при ~503 К.

Образцы твердого раствора Bi0.85Sb0.15, легированного свинцом, модифицировали γ-квантами источника 60Со дозами 1.0, 10 и 50 Мрад. Поглощенную образцом дозу определяли методом, описанным в [23]. Образцы для измерения размерами 0.2 × 0.4 × 1.5 вырезались из экструдированных прутков на электроискровой установке А207.40М. В процессе резки на поверхности образца образуется нарушенный слой, для удаления которого использовали раствор KOH + C4H6O6 + H2O [24].

Точечные контакты наносились сплавом Вуда с использованием флюса ФСКГЛ (CH5ON3 + HCl + C3H8O3) и имели размер ~0.5 мм. Электрические параметры σ, RХ и α измеряли в направлении экструзии по длине образца на постоянном токе зондовым методом [25, 26].

Для устранения паразитных ЭДС на зондах в случае определения σ измерения проводились в двух противоположных направлениях тока, а для устранения влияния асимметричности холловских контактов и других паразитных ЭДС, обусловленных гальваномагнитными и термомагнитными эффектами, измерения холловского напряжения UХ проводились в двух противоположных направлениях тока и магнитного поля. При этом поворотом криостата в магнитном поле достигалась максимальная величина холловского напряжения на образце. Магнитное поле изменялось с шагом 0.5 кЭ. Электропроводность и гальваномагнитные эффекты измерялись в изотермических условиях, а термо-ЭДС – в адиабатических условиях.

Для регистрации использовались измерительный цифровой универсальный измерительный прибор, цифровой вольтметр В7-21 и амперметр SM3D.

Исследовались необлученные и облученные образцы с различными дозами: 1, 10 и 50 Мрад. Исследованы удельная электропроводность (σ), коэффициенты термо-ЭДС (α) и Холла (RХ) в интервале ~77–300 К.

Погрешность при измерении электрических параметров не превышала ~ ±3%.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Полученные экспериментальные результаты о влиянии примесей свинца и γ-радиации на электрические параметры экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15 представлены на рис. 1 и 2. Видно, что γ-облучение по-разному влияет на электропроводность образцов с различными концентрациями свинца. При этом основное изменение σ образцов под действием облучения происходит при дозах до ~10 Мрад. Так, при ~77 К под действием γ-облучения дозой 1 Мрад σ нелегированного образца растет от 5230 до 8431 См/см, с ростом дозы облучения до 10 Мрад уменьшается до 4240 См/см, а при дозе до 50 Мрад, несколько возрастая, доходит до 4552 См/см. Легирование образца Bi0.85Sb0.15 0.001 ат. % Pb приводит к увеличению σ до 7353 См/см. В этом образце под действием γ-облучения дозой 1 Мрад σ, существенно (в ~3.5 раза) уменьшаясь, при дальнейшем росте дозы облучения до 10 Мрад в ~2.2 раза возрастает, а затем при росте дозы до 50 Мрад медленно увеличивается (~50%). Зависимости электропроводности образцов, легированных 0.005, 0.01 и 0.05 ат. % Pb, от дозы облучения почти идентичны: при малых дозах (до 10 Мрад) σ несколько растет, а с ростом дозы облучения существенно не меняется. Изменения σ под действием γ-облучения удовлетворительно коррелируют с изменениями коэффициентов термо-ЭДС и Холла. В необлученном образце, легированном 0.05 ат. % Pb, ниже температуры ~130 К (до ~77 К) знаки коэффициентов α и RХ положительные, т.е. образец имеет р-тип проводимости. При всех дозах облучения образцы твердых растворов Bi0.85Sb0.15, легированные до 0.05 ат. % Pb, в интервале ~77–300 К имеют n-тип проводимости, т.е. знаки коэффициентов α и RХ отрицательные.

 

Рис. 1. Зависимости электропроводности σ (а), коэффициента термо-ЭДС α (б), коэффициента Холла RХ (в) экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15, легированных 0 (1), 0.001 (2), 0.005 (3), 0.01 (4) и 0.05 ат. % Pb (5), от дозы облучения

 

Рис. 2. Температурные зависимости электропроводности σ (а, б), коэффициентов термо-ЭДС α (в, г) и Холла RХ (д, е) экструдированных образцов Bi0.85Sb0.15: а, в, д – необлученные образцы (1–5) и облученные дозой 1 Мрад (6–10); б, г, е – образцы, облученные дозой 10 Мрад (1–5), облученные дозой 50 Мрад и легированные 0 (6), 0.001 (7), 0.005 (8), 0.01 (9), 0.05 ат. % Pb (10)

 

Зависимости электрических параметров от дозы γ-облучения объясняются следующим образом. Предполагается, что γ-облучение создает в образцах твердого раствора Bi0.85Sb0.15 РД донорного типа. Поэтому при дозе 1 Мрад в нелегированном образце концентрация свободных электронов n и электропроводность σ растут. С увеличением дозы γ-облучения количество РД в нелегированном образце Bi0.85Sb0.15 существенно повышается и эти дефекты, объединяясь, создают более крупные электрически нейтральные дефекты. В результате концентрация электронов, созданных малыми дозами (до 1 Мрад), уменьшается. При этом за счет рассеяния носителей тока на крупных дефектах падает и их подвижность. Эти факторы приводят к уменьшению электропроводности в нелегированном образце Bi0.85Sb0.15, облученном γ-квантами при больших дозах.

Результаты изучения влияния γ-облучения на электрические свойства образцов Bi85Sb15<Pb> показывают, что сильно облученный образец имеет низкую концентрацию свободных носителей заряда, высокую концентрацию (плотность) связанного на дефектах заряда и степень компенсации радиационных доноров и акцепторов, приближающуюся к единице.

Примеси свинца в Bi0.85Sb0.15 образуют акцепторные центры. При концентрациях до 0.001 ат. % Pb эти центры, создавая определенное количество дырок, увеличивают суммарную концентрацию носителей тока и σ образцов. При концентрациях свинца ≥ 0.005 ат. % акцепторные центры компенсируют часть свободных электронов. В связи с этим при введении Pb в Bi0.85Sb0.15 электропроводность падает, и при концентрациях свинца ≥ 0.05 ат. % α и RХ образцов при ~77 К имеют отрицательный знак.

Для образца с 0.001 ат. % Pb РД, созданные γ-квантами с дозой 1 Мрад, компенсируя акцепторные центры свинца, уменьшают концентрацию дырок, суммарную концентрацию носителей тока и электропроводность. Увеличение удельного сопротивления в образцах Bi85Sb15<0.001 ат. % Pb>, облученных гамма-квантами при дозе в 1 Мрад, указывает на смещение уровня Ферми при облучении на, примерно ~Eg/2 за счет захвата свободных дырок на уровни РД. При больших концентрациях свинца (≥0.005 ат. % Pb) компенсация электронов осуществляется акцепторными центрами Pb, что приводит к уменьшению σ необлученного образца при ~77К до 1780 См/см. Созданные γ-облучением новые электроны проводимости приводят к росту σ образцов.

Облучение изменяет свойства материала аналогично легированию.

Полученные данные по влиянию γ-облучения на электрические параметры твердого раствора Bi0.85Sb0.15 с примесями свинца хорошо согласуются с результатами [8, 9, 11, 12, 20, 27–29].

Таким образом, зависимости электрических параметров экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15, содержащих акцепторные примеси свинца, от дозы γ-облучения удовлетворительно объясняются предположением донорного характера дефектов, созданных в образцах γ-облучением, и компенсацией акцепторных центров свинца этими дефектами.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

При низких дозах гамма-облучения твердого раствора Bi0.85Sb0.15<Pb> возникают РД, которые приводят к росту концентрации свободных электронов n, электропроводности σ и уменьшению коэффициентов термо-ЭДС α и RХ. С ростом дозы облучения концентрация количество РД растет, что приводит к их объединению, уменьшению концентрацию носителей тока и соответствующему изменению σ, α и RХ.

КОНФЛИКТ ИНТЕРЕСОВ

Авторы заявляют, что у них нет конфликта интересов.

×

Об авторах

М. М. Тагиев

Азербайджанский государственный экономический университет; Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики

Автор, ответственный за переписку.
Email: mail_tagiyev@mail.ru
Азербайджан, Баку; Баку

И. А. Абдуллаева

Институт радиационных проблем Министерства науки и образования Азербайджанской Республики

Email: mail_tagiyev@mail.ru
Азербайджан, Баку

Г. Д. Абдинова

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики

Email: mail_tagiyev@mail.ru
Азербайджан, Баку

Список литературы

  1. Земсков В.С., Белая А.Д., Рослов С.А. и др. Термоэлектрические свойства твердых растворов Bi–Sb // Изв. АН СССР. Металлы. 1978. № 1. С. 73–76.
  2. Грабов В.М., Комаров В.А., Каблукова Н.С. Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута и сплавов висмут-сурьма на подложках с различным температурным расширением // ФТТ. 2016. Т. 58. Вып. 3. С. 605–611.
  3. Koyano M., Yamanouchi M. Electronic Properties of Inhomogeneous Bi-Sb-Ni Composite Alloys // J. Phys.: Conf. Ser. 2009. V. 150. Р. 052128. http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/150/5/052128/meta
  4. Сидоренко Н.А., Дашевский З.М. Эффективные кристаллы Bi–Sb для термоэлектрического охлаждения при температурах T  180 K // ФТП. 2019. Т. 53. Вып. 5. С. 693-697. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47565.23
  5. Агаев З.Ф., Тагиев M.M., Абдинова Г.Д., Багиева Г.З., Абдинов Д.Ш. Теплопроводность экструдированных образцов Bi85Sb15 с примесями Gd и Pb // Неорган. материалы. 2008. Т. 44. № 2. С. 137–139.
  6. Тагиев М.М. Гальваномагнитные свойства легированных твердых растворов Bi0.85Sb0.15, модифицированных ZrO2 // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. №. 9. С. 1042–1044.
  7. Desai C.F., Maunik J., Soni P.H. et al. Vicker’s Microhardness of Bi1−xSbx (x=0.05–0.30) Crystals // J. Mater Sci. 2009. V. 44. № 13. P. 3504-3507. https://doi.org/10.1007/s10853-009-3470-3
  8. Тагиев M.M. Влияние размеров зерен и примеси свинца на термоэлектрические свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15 // Неорган. материалы. 2021. Т. 57. № 2. С. 119–124. https://doi.org/10.31857/S0002337X21020135
  9. Abdullayeva I.A., Tagiyev M.M., Abdinova G.D. Magnetothermoelectric Properties Bi85Sb15 Solid Solution Doped with Lead and Tellurium Impurities // Int. J. Tech. Phys. Probl. Eng. 2021. V. 13. № 3. P. 110–114.
  10. Иванова Л.Д. Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней // ФТП. 2017. Т. 51. Вып. 7. С. 948–951.
  11. Тагиев М.М., Абдуллаева И.А., Абдинова Г.Д. Влияние гамма-радиации на магнитотермоэлектрические свойства экструдированных образцов Bi0.85Sb0.15, модифицированных ZrO2 // Неорган. материалы. 2022. Т. 58. № 6. С. 589–595. https://doi.org/10.31857/S0002337X22060148
  12. Шупенев А.Е., Коршунов И.С., Ильин А.С. и др. Радиационные термоэлементы на основе теллурида висмута, получаемого методом импульсного лазерного охлаждения // ФТП. 2019. Т. 53. Вып. 6. С. 756–760. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47722.31
  13. Paulescu M., Vizman D., Lascu M., Negrila R., Stef M. Experimental Study of Proton Irradiation Effect on Silicon Solar Cells // AIP Conf. Proc. 2017. V. 1796. https://doi.org/10.1063/1.4972388
  14. Park S., Bourgoin J.C., Sim H., Baur C., Khorenko V., Cavani O., Bouerois J., Picard S., Boizot B. Space Degradation of 3J Solar Cells: I—Proton Irradiation // Progr. Photovot. Res. Appl. 2018. V. 26. № 10. P. 778–788. https://doi.org/10.1002/pip.3016
  15. Иванова М.М., Кечемцев А.Н., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., ГоршковА.П., Волкова Н.С., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Влияние импульсного и гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge // ФТП. 2018. Т. 52. Вып. 6. С. 651–655. https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45931.8670
  16. Брудный В.Н., Пешев В.В. Влияние электронного (зарядового) состояния Е-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 1. С. 22–28.
  17. Козюхин С.А. Химическое модифицирование материалов фазовой памяти на основе сложных халькогенидов // Журн. неорган. химии. 2021. Т. 66. № 2. С. 291–297. https://doi.org/10.31857/S0044457X21020100
  18. Брудный В.Н., Потапов А.И. Электрические свойства твердых растворов А IIIВV-А IIВ IVС2V, облученных ионами Н // ФТТ. 1983. С. 1347–1348.
  19. Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб.: Наука, 2003. 268 с.
  20. Tagiyev M.M., Abdullayeva I.A. Effect of γ-radiation on Magneto-Thermoelectric Properties of the Extruded Samples of Bi85Sb15 (Te) Solid Solution // Int. J. Mod. Phys. B. 2021. V. 35. № 7. P. 2150099-2150108. https://doi.org/10.1142/S0217979221500995
  21. Видалько Е. Н., Гайдар Г.П., Гирий В.А. Подвижность носителей тока в γ-облученных кристаллах кремния // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1986. Т. 22. № 4. С. 533–536.
  22. Zhi-Lei Wang, Takehiro Araki, Tetsuhiko Onda, Zhong-Chun Chen. Effect of Annealing on Microstructure and Thermoelectric Properties of Hot-Extruded Bi–Sb–Te Bulk Materials // J. Mater. Sci. 2018. V. 53. № 12. P. 9117–9130.
  23. Pikayev A.K. Dosimetry in Radiation Chemistry. M.: Nauka, 1975. 232 p.
  24. Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш., Салаев Э.Ю. Влияние обработки поверхностей термоэлектрических материалов на свойства термоэлементов, изготовленных из твердых растворов систем Bi2Te3-Bi2Se3 и Bi2Te3-Sb2Te3 // Изв. АН. СССР. Неорган. материалы. 1981. Т. 17. № 10. С. 1773–1776.
  25. Охотин А.С., Пушкарский А.С., Боровикова Р.П., Смирнов В.А. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. М.: Наука, 1974. 168 с.
  26. Бархалов Б.Ш., Тагиев М.М., Багиева Г.З., Абдинова Г.Д., Алиев Р.Ю., Магеррамова К.И. Влияние размеров зерен на термоэлектрические свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi0,5Sb1,5Te3 // Изв. вузов. Физика. 2019. Т. 62. № 4. С. 94–101. https://doi.org/10.17223/00213411/62/4/94
  27. Tagiyev M.M., Abdullayeva I.A. Influence of Gamma Radiation on Magnetoelectric Properties of Extruded Samples of Solid Solution Bi85Sb15 Modified ZrO2 // Int. J. Mod. Phys. B. 2022. V. 36. № 18. P. 2250103–2250112. https://doi.org/10.1142/S021797922250103X
  28. Суслов М.В., Грабов В.М., Комаров В.А., Демидов Е.В., Сенкевич С.В., Суслов А.В. Термоэдс тонких пленок Bi1-хSbх (0 ≤ х ≤ 0,15) на подложках из слюды и полиимида в температурном интервале 77-300К // ФТП. 2019. Т. 53. № 5. С. 593–596. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47544.02
  29. Грабов В.М., Урюпин О.Н. Влияние дендритной неоднородности на термоэлектрические свойства кристаллов Bi0.88Sb0.12 // ФТП. 2022. Т. 56. Вып. 2. С. 145–148. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51951.18

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Зависимости электропроводности σ (а), коэффициента термо-ЭДС α (б), коэффициента Холла RХ (в) экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15, легированных 0 (1), 0.001 (2), 0.005 (3), 0.01 (4) и 0.05 ат. % Pb (5), от дозы облучения

Скачать (204KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Температурные зависимости электропроводности σ (а, б), коэффициентов термо-ЭДС α (в, г) и Холла RХ (д, е) экструдированных образцов Bi0.85Sb0.15: а, в, д – необлученные образцы (1–5) и облученные дозой 1 Мрад (6–10); б, г, е – образцы, облученные дозой 10 Мрад (1–5), облученные дозой 50 Мрад и легированные 0 (6), 0.001 (7), 0.005 (8), 0.01 (9), 0.05 ат. % Pb (10)

Скачать (267KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».