Управление азотными дефектами в углеродных нанотрубках для автономных мемристивных систем

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследования последних лет показывает, что дополнительное введение гетероатомов в структуру УНТ позволяет изменять их электронные и физические свойства [1]. Большой интерес представляет процесс легирования УНТ атомами азота [2]. Внедрение азотных дефектов в решетку из углеродных атомов позволяет модифицировать структуру УНТ вплоть до проявления аномальных свойств, не свойственных для данного материала [3]. Было показано, что многостенные N-УНТ могут проявлять мемристивные, а также пьезоэлектрические свойства [4].

Управлять параметрами УНТ в процессе синтеза позволяет метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Добавление аммиака (NH3) к углеродсодержащему газу в процессе PECVD позволяет легировать УНТ непосредственно в процессе роста. При этом, концентрация легирующей примеси и тип создаваемых азотных дефектов оказывает значительное влияние на свойства УНТ. Мемристивные свойства УНТ уже достаточно исследованы [5], однако для применения их в автономных системах, необходимы дополнительные исследования параметров пьезоэлектрического модуля N-УНТ. Целью данной работы является исследование влияния потока аммиака на концентрацию, тип азотных дефектов и величину пьезоэлектрического модуля при выращивании УНТ методом PECVD.

В качестве образцов использовались подложки кремния (100), на которых были сформированы пленки буферного (Mo, 100 нм) подслоя и каталитического слоя (Ni, 15 нм). Выращивание УНТ проводилось при температуре 550 °С в атмосфере ацетилена (C2H2, 35 sccm) и NH3. Поток C2H2 сохранялся постоянным, а поток NH3 изменялся в соотношении C2H2:NH3 от 1:1 до 1:10.

На основе полученных РЭМ-изображений установлено, что с увеличением соотношения потоков C2H2:NH3 наблюдается увеличение плотности нанотрубок в массиве. Это происходит за счет более активного роста N-УНТ на мелких каталитических центрах никеля ввиду ускоренного процесса десорбции водорода и его связывания с ионами в плазме аммиака, что приводит к увеличению скорости роста нанотрубок на более мелких каталитических центрах. Таким образом, площадь каталитического центра является одним из лимитирующих факторов скорости роста и позволяет управлять аспектным соотношением и плотностью УНТ в массиве. Анализ РФЭС-спектров показал, что с увеличением соотношения потоков C2H2:NH3 от 1:1 до 1:10 также наблюдается нелинейное изменение концентрации легирующей примеси азота в N-УНТ от 8.4 до 12 ат. %. Это приводило к нелинейному изменению пьезоэлектрического модуля нанотрубок от 8.7 до 20.6 пм/В и изменению их мемристивных свойств. Установлено, что увеличение концентрации легирующего азота приводит к увеличению пьезоэлектрического модуля N-УНТ, являющегося источником мемристивного эффекта. Полученные результаты могут быть использованы при разработке энергоэффективных пьезоэлектрических наногенераторов на основе массива вертикально ориентированных N-УНТ для автономных мемристивных систем.

Полный текст

Исследования последних лет показывают, что дополнительное введение гетероатомов в структуру углеродных нанотрубок (УНТ) позволяет изменять их электронные и физические свойства [1]. Большой интерес представляет процесс легирования УНТ атомами азота [2]. Внедрение азотных дефектов в решётку из углеродных атомов позволяет модифицировать структуру УНТ вплоть до проявления аномальных свойств, не свойственных данному материалу [3]. Было показано, что многостенные легированные азотом УНТ (N-УНТ) могут проявлять мемристивные, а также пьезоэлектрические свойства [4].

Управлять параметрами УНТ в процессе синтеза позволяет метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Добавление аммиака (NH3) к углеродсодержащему газу в процессе PECVD позволяет легировать УНТ непосредственно в процессе роста. При этом концентрация легирующей примеси и тип создаваемых азотных дефектов оказывают значительное влияние на свойства УНТ. Мемристивные свойства УНТ уже достаточно исследованы [5], однако для применения их в автономных системах необходимы дополнительные исследования параметров пьезоэлектрического модуля N-УНТ.

Цель работы. Исследование влияния потока аммиака на концентрацию, тип азотных дефектов и величину пьезоэлектрического модуля при выращивании УНТ методом PECVD.

В качестве образцов использовали подложки кремния (100), на которых были сформированы плёнки буферного (Mo, 100 нм) подслоя и каталитического слоя (Ni, 15 нм). УНТ выращивали при температуре 550 °С в атмосфере ацетилена (C2H2, 35 sccm) и NH3. Поток C2H2 сохранялся постоянным, а поток NH3 изменялся в соотношении C2H2:NH3 от 1:1 до 1:10.

На основе полученных изображений, сделанных с помощью растровой электронной микроскопии, установлено, что с увеличением соотношения потоков C2H2:NH3 наблюдается увеличение плотности нанотрубок в массиве. Это происходит за счёт более активного роста N-УНТ на мелких каталитических центрах никеля ввиду ускоренного процесса десорбции водорода и его связывания с ионами в плазме аммиака, что приводит к увеличению скорости роста нанотрубок на более мелких каталитических центрах. Таким образом, площадь каталитического центра является одним из лимитирующих факторов скорости роста и позволяет управлять аспектным соотношением и плотностью УНТ в массиве. Анализ РФЭС-спектров (РФЭС — рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) показал, что с увеличением соотношения потоков C2H2:NH3 от 1:1 до 1:10 также наблюдается нелинейное изменение концентрации легирующей примеси азота в N-УНТ от 8,4 до 12,0 ат.%. Это приводило к нелинейному изменению пьезоэлектрического модуля нанотрубок от 8,7 до 20,6 пм/В, а также к изменению их мемристивных свойств. Установлено, что увеличение концентрации легирующего азота ведёт к увеличению пьезоэлектрического модуля N-УНТ, являющегося источником мемристивного эффекта. Полученные результаты могут быть использованы при разработке энергоэффективных пьезоэлектрических наногенераторов на основе массива вертикально ориентированных N-УНТ для автономных мемристивных систем.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Вклад авторов. Все авторы подтверждают соответствие своего авторства международным критериям ICMJE (все авторы внесли существенный вклад в разработку концепции, проведение исследования и подготовку статьи, прочли и одобрили финальную версию перед публикацией).

Источник финансирования. Исследование выполнено за счёт гранта Российского научного фонда № 22-79-10163 (https://rscf.ru/project/22-79-10163/) в Южном федеральном университете.

Конфликт интересов. Авторы декларируют отсутствие явных и потенциальных конфликтов интересов, связанных с публикацией настоящей статьи.

×

Об авторах

О. И. Ильин

Южный федеральный университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: oiilin@sfedu.ru
Россия, Таганрог

Д. Н. Хомленко

Южный федеральный университет

Email: oiilin@sfedu.ru
Россия, Таганрог

С. А. Хубежов

Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова

Email: oiilin@sfedu.ru
Россия, Владикавказ

Н. Н. Рудык

Южный федеральный университет

Email: oiilin@sfedu.ru
Россия, Таганрог

М. В. Ильина

Южный федеральный университет

Email: oiilin@sfedu.ru
Россия, Таганрог

Список литературы

  1. Li M., Zhang X., Jiang H., et al. Preparation and application of N-doped carbon nanotube arrays on graphene fibers // Nanotechnology. 2017. Vol. 28, N 38. P. 38LT01. doi: 10.1088/1361-6528/aa80d8
  2. Ayala P., Arenal R., Rümmeli M., et al. The doping of carbon nanotubes with nitrogen and their potential applications // Carbon. 2010. Vol. 48, N 3. P. 575–586. doi: 10.1016/j.carbon.2009.10.009
  3. Il’ina M.V., Il’in O.I., Guryanov A.V., et al. Anomalous piezoelectricity and conductivity in aligned carbon nanotubes // J Mater Chem C. 2021. Vol. 9. P. 6014–6021. doi: 10.1039/D1TC00356A
  4. Il’ina M.V., Il’in O.I., Osotova O.I., et al. Pyrrole-like defects as origin of piezoelectric effect in nitrogen-doped carbon nanotubes // Carbon. 2022. Vol. 190, N 312. P. 348–358. doi: 10.1016/j.carbon.2022.01.014
  5. Il’ina M.V., Il’in O.I., Blinov Y.F., et al. Memristive switching mechanism of vertically aligned carbon nanotubes // Carbon. 2017. Vol. 123. P. 514–524. doi: 10.1016/j.carbon.2017.07.090

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Эко-Вектор, 2023

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).