METHOD FOR CALCULATING THE NUMBER OF DARK ELECTRONS IN SOLID-STATE PHOTODETECTORS
- 作者: Volodin R.S.1, Kamyshev A.l.1, Fedyai E.A.1
-
隶属关系:
- Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского
- 期: 卷 5, 编号 203-204 (2025): Вопросы оборонной техники. Серия 16. Технические средства противодействия терроризму
- 页面: 137-142
- 栏目: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/2306-1456/article/view/310082
- ID: 310082
如何引用文章
全文:
详细
The physical processes determining the formation of dark electrons in solid-state photodetectors are considered. A technique is presented that allows one to determine the number of dark electrons in solid-state photodetectors. Temperature regimes and ranges are determined at which dark electrons are formed, both due to impurity ionization and due to thermal generation. Quantitative estimates of the number of dark electrons, the value of the accumulated charge and the dark current from such parameters as temperature, the width of the forbidden band of the material and the duration of the accumulation time interval are given. It is shown that a decrease in the level of dark electrons and the corresponding current to minimum values at a fixed accumulation time is achieved by optimizing the type of photodetector and operating temperatures.
作者简介
R. Volodin
Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского
编辑信件的主要联系方式.
Email: vka@mil.ru
канд. техн. наук, начальник лаборатории Военного института (научно-исследовательского)
俄罗斯联邦A. Kamyshev
Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского
Email: vka@mil.ru
канд. техн. наук, доцент, старший научный сотрудник лаборатории Военного института (научно-исследовательского),
俄罗斯联邦E. Fedyai
Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского
Email: vka@mil.ru
канд. техн. наук, докторант Военного института (научно-исследовательского),
俄罗斯联邦参考
- Тарасов В.В., Якушенков Ю.Г. Введение в проектирование оптико-электронных приборов: системный подход: учебник; под ред. Ю.Г. Якушенкова. М: Университетская книга, 2016. 488 с.
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн.; пер. с англ. В.А. Гергеля; под ред. Р.А. Суриса. Изд. 2-е. М.: Мир, 1984. 456 с.
- Спиридонов О.П. Физические основы твердотельной электроники: учеб. пособие. М.: Высш. шк., 2008. 191 с.
- Формозов Б.Н. Аэрокосмические фотоприемные устройства в видимом и инфракрасных диапазонах: учеб. пособие. СПб.: СПбГУАП, 2002. 120 с.
- Гудмен Дж. Статистическая оптика; пер. с англ. М.: Мир, 1988. 528 с.
- Приборы с зарядовой связью; под ред. М. Хоуза и Д. Моргана; пер. с англ. М.: Энергоиздат, 1981. 456 с.
- Соболев В.Д. Физические основы электронной техники: учебник для вузов. М.: Высш. шк., 1979. 448 с.
- Смирнов Ю.А., Соболев С.В., Титов Е.В. Физические основы электроники. СПб.: Лань, 2013. 560 с.
- Челпанов В.И., Родионов О.Ф. Жаростойкие телевизионные системы для наблюдения высокотемпературных процессов // Бурение и нефть. 2004. № 7–8. С. 42–44.
- Стрижнев К.В., Белоус Д.А., Баранов П.С. и др. Анализ количества темновых электронов твердотельных фотоприемников при высокой рабочей температуре // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Техника телевидения. 2017. Вып. 2. С. 31–39.
- Белоус Д.А. Чувствительность твердотельных фотоприемников в ближней инфракрасной области спектра при высокой температуре // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Техника телевидения. 2017. Вып. 2. С. 41−47.
- Камышев А.Л., Володин Р.С. Определение параметров вывода управляемого объекта в задачах сближения космических объектов на догонных и встречных курсах // Вопросы оборонной техники. Серия 16. Технические средства противодействия терроризму. 2023. № 5–6 (179–180). C. 11–18.
补充文件
