Прозрачные проводящие слои с высокой подвижностью свободных носителей заряда на основе оксида индия, легированного вольфрамом

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Повышение проводимости прозрачных проводящих слоев за счет увеличения подвижности свободных носителей заряда является одной из важнейших задач прозрачной электроники, так как ее решение способствует не только снижению тепловых потерь в слоях, но и расширению спектра используемого излучения в сторону ближней инфракрасной области. В настоящее время работы в этой области идут по нескольким направлениям, одним из которых является поиск новых составов слоев, позволяющих уменьшить количество вносимой примеси одновременно с увеличением эффективности ее ионизации. В настоящей работе исследовано влияние содержания кислорода в составе рабочего газа и температуры синтеза на морфологию и микроструктуру, электрические и оптические характеристики слоев, полученных при высокочастотном магнетронном распылении керамической мишени In 2 O 3 с добавлением WO 3 на уровне 1 вес.%. Установлено, что максимальная подвижность (59 см2/В٠с) и минимальное удельное сопротивление (7,8×10-4 Ом٠см) достигаются в слоях, синтезированных при 300°С в атмосфере чистого аргона. Для сравнения, в идентичных условиях, были получены слои на основе твердого раствора оксидов индия и олова, широко используемого при формировании прозрачных электродов в различных оптоэлектронных приложениях. Показано, что слои на основе оксида индия, легированного вольфрамом, сохраняют приемлемую прозрачность в широком диапазоне спектра, вплоть до 2000 нм и поэтому предпочтительнее для использования в устройствах, работающих в ближнем инфракрасном диапазоне, например, в преобразователях солнечной энергии или приборах ночного видения.

Об авторах

Ахмед Кадиевич Ахмедов

Институт физики им. Х.И. Амирханова - обособленное подразделение ФГБУН «Дагестанский федеральный исследовательский центр Российской академии наук

к.ф.-м.н., ведущий научный сотрудник Центра высоких технологий

Абил Шамсудинович Асваров

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ «Курчатовский институт»

к.ф.-м.н., старший научный сотрудник лаборатории роста тонких пленок и неорганических наноструктур

Эльдар Камильевич Мурлиев

Институт физики им. Х.И. Амирханова - обособленное подразделение ФГБУН «Дагестанский федеральный исследовательский центр Российской академии наук

младший научный сотрудник Центра высоких технологий

Замир Валериевич Шомахов

Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова

Email: shozamir@yandex.ru
к.ф.-м.н., директор института искусственного интеллекта и цифровых технологий

Список литературы

  1. Шомахов, З.В. Улучшение сенсорных характеристик бинарных и тройных оксидных наносистем / З.В. Шомахов, С.С. Налимова, А.А. Рыбина и др. // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. - 2023. - Вып. 15. - С. 879-887. doi: 10.26456/pcascnn/2023.15.879.
  2. Налимова, С.С. Газочувствительные композитные наноструктуры на основе оксида цинка для детектирования паров органических растворителей / С.С. Налимова, З.В. Шомахов, К.В. Герасимова, К.Н. Пунегова, А.М. Гукетлов, Р.М. Калмыков // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. - 2022. - Вып. 14. - С. 678-687. doi: 10.26456/pcascnn/2022.14.678.
  3. Шомахов, З.В. Наноструктуры станната цинка для газовых сенсоров с высоким быстродействием / З.В. Шомахов, С.С. Налимова, Б.З. Шурдумов, А.И. Максимов, В.А. Мошников // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. - 2022. - Вып. 14. - С. 726-735. doi: 10.26456/pcascnn/2022.14.726.
  4. Minami, T. Transparent conducting oxide semiconductors for transparent electrodes / T. Minami // Semiconductors Science and Technology. - 2005. - V. 20. - № 4. - P. S35-S44. doi: 10.1088/0268-1242/20/4/004.
  5. Liu, H. Transparent conducting oxides for electrode applications in light emitting and absorbing devices / H. Liu, V. Avrutin, N. Izyumskaya, Ü. Özgür, H. Morkoç // Superlattices and Microstructures. - 2010. - V. 48. - I. 5. - P. 458-484. doi: 10.1016/j.spmi.2010.08.011.
  6. Stadler, A. Transparent conducting oxides - an up-to-date overview / A. Stadler // Materials. - 2012. - V. 5. - I. 4. - P. 661-683. doi: 10.3390/ma5040661.
  7. Calnan, S. High mobility transparent conducting oxides for thin film solar cells / S. Calnan, A.N. Tiwari // Thin Solid Films. - 2010. - V. 518. - I. 7. - P. 1839-1849. doi: 10.1016/j.tsf.2009.09.044.
  8. Holman, Z.C. Infrared light management in high-efficiency silicon heterojunction and rear-passivated solar cells // Z.C. Holman, M. Filipic, A. Descoeudres et al. // Journal of Applied Physics. - 2013. - V. 113. - I. 1 - P. 013107-1-013107-13. doi: 10.1063/1.4772975.
  9. Bikowski, A. Analytical model of electron transport in polycrystalline, degenerately doped ZnO films / A. Bikowski, K. Ellmer // Journal of Applied Physics. - 2014. - V. 116. - I. 14. - P. 143704-1-143704-11. doi: 10.1063/1.4896839.
  10. Hosono, H. Ionic amorphous oxide semiconductors: Material design, carrier transport, and device application / H. Hosono // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2003. - V. 352. - I. 9-20. - P. 851-858. doi: 10.1016/j.jnoncrysol.2006.01.073.
  11. Akhmedov, A.K. Transparent conductive indium zinc oxide films: temperature and oxygen dependences of the electrical and optical properties // A.K. Akhmedov, E.K. Murliev, A.S. Asvarov, A.E. Muslimov, V.M. Kanevsky // Coatings. - 2022. - V. 12. - I. 10. - Art. № 1583. - 12 p. doi: 10.3390/coatings12101583.
  12. Morales-Masis, M. Low-temperature high-mobility amorphous izo for silicon heterojunction solar cells / M. Morales-Masis, S.M. De Nicolas, J. Holovsky, S. De Wolf, C. Ballif // IEEE Journal of Photovoltaics. - 2015. - V. 5. - I. 5. - P. 1340-1347. doi: 10.1109/JPHOTOV.2015.2450993.
  13. Swallow, J.E.N. Resonant doping for high mobility transparent conductors: the case of Mo-doped In2O3 /j.E.N. Swallow, B.A.D. Williamson, S. Sathasivam, et al. // Materials Horizons. - 2020. - V. 7. - I. 1. - P. 236-243. doi: 10.1039/C9MH01014A.
  14. Koida, T. High-mobility transparent conductive Zr-doped In2O3 / T. Koida, M. Kondo // Applied Physics Letters. - 2006. - V. 89. - I. 8. - P. 082104-1-082104-3. doi: 10.1063/1.2337281.
  15. Hashimoto, R. High mobility titanium-doped In2O3 thin films prepared by sputtering/post-annealing technique / R. Hashimoto, Y. Abe, T. Nakada //Applied Physics Express. - 2008. - V. 1. - № 1. - P. 015002-1-015002-3. doi: 10.1143/APEX.1.015002.
  16. Warmsingh, C. High-mobility transparent conducting Mo-doped In2O3 thin films by pulsed laser deposition / C. Warmsingh, Y. Yoshida, D.W. Readey et al. // Journal of Applied Physics. - 2004. - V. 95. - I. 7. - P. 3831-3833. doi: 10.1063/1.1646468.
  17. Akhmedov, A.K. A multi-position drum-type assembly for simulaneos film deposition at different temperatures in a single sputter cicle - application to ITO thin films / A.K. Akhmedov, A. Sh. Asvarov, A.E. Muslimov, V.M. Kanevsky // Coatings. - 2020. - V. 10. - I. 11. - Art. № 1076. - 9 p. doi: 10.3390/coatings10111076.
  18. Txintxurreta, J. Indium tin oxide thin film deposition by magnetron sputtering at room temperature for the manufacturing of efficient transparent heaters /j. Txintxurreta, E. G-Berasategui, R. Ortiz et al. // Coatings. - 2021. - V. 11. - I. 1. - Art. № 92. - 14 p. doi: 10.3390/coatings11010092.
  19. Kim, J.H. Rapid thermal annealed WO3 - doped In2O3 films for transparent electrodes in organic photovoltaics /j.H. Kim, Y.-H. Shin, T.-Y. Seong, S.-I. Na, H.-K. Kim // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2012. - V. 45. - № 39. - Art. № 395104. - 6 p. doi: 10.1088/0022-3727/45/39/395104.
  20. Newhouse, P.F. High electron mobility W-doped In2O3 thin films by pulsed laser deposition / P.F. Newhouse, C.-H. Park, D.A. Keszler, J. Tate, P.S. Nyholm // Applied Physics Letters. - 2005. - V. 87. - I. 11. - P. 112108-1-112108-3. doi: 10.1063/1.2048829.
  21. Sommer, N. Field emission at grain boundaries: modeling the conductivity in highly doped polycrystalline semiconductors / N. Sommer, J. Hüpkes, U. Rau // Physical Review Applied. - 2016. - V. 5. - I. 2. - P. 024009-1-024009-22. doi: 10.1103/PhysRevApplied.5.024009.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).