Broadband infrared photoluminescence of TlCdI 3  iodide doped with bismuth

A. N. Romanov; D. N. Vtyurina; E. V. Haula; D. P. Shashkin; N. A. Pimkin; M. S. Kuznetsov; I. S. Lisitsky; V. N. Korchak

doi:10.1134/S1990793117010092

Broadband infrared photoluminescence of TlCdI₃ iodide doped with bismuth

Авторлар: Romanov A.N.¹, Vtyurina D.N.¹, Haula E.V.¹, Shashkin D.P.¹, Pimkin N.A.², Kuznetsov M.S.², Lisitsky I.S.², Korchak V.N.¹
Мекемелер:
1. Semenov Institute of Chemical Physics
2. Giredmet
Шығарылым: Том 11, № 1 (2017)
Беттер: 83-86
Бөлім: Influence of External Factors on the Physicochemical Transformations
URL: https://journals.rcsi.science/1990-7931/article/view/198935
DOI: https://doi.org/10.1134/S1990793117010092
ID: 198935

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The Bridgman–Stockbarger method is used to prepare single-crystal TlCdI₃ samples doped with bismuth. The material exhibits a broadband photoluminescence in the near-IR range with a maximum intensity at a wavelength of 1175 nm. The properties of bismuth-doped TlCdI₃ were compared with previously studied chlorides and bromides containing Bi⁺ impurity centers. It is demonstrated that the luminescence center in TlCdI₃ is not the monovalent bismuth cation.