Исследование возможности реализации среднечастотного широкополосного генератора качающейся частоты на структуре полуизолирующего арсенида галлия

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Показана принципиальная возможность получения качания частоты токовых колебаний в диапазоне низких и средних частот на основе возникающей в сильных электрических полях рекомбинационной неустойчивости тока в полуизолирующем арсениде галлия. В предложенном варианте конструкции экспериментального образца катодным контактом является мезаструктура, а анодным – точечный прижимной контакт. Перестройка частоты выходного сигнала осуществляется изменением интенсивности засветки лазерным диодом межконтактной области образца. Наличие практически линейного участка на зависимости частоты от интенсивности освещения, на котором также сохраняется постоянство амплитуды выходного сигнала, позволяет утверждать о возможности создания первичного генератора в составе генератора качающейся частоты (свип-генератора) на основе предложенного принципа.

Об авторах

Александр Иванович Михайлов

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского

ORCID iD: 0000-0002-4158-9195
SPIN-код: 2491-0488
410012, Россия, г. Саратов, ул. Астраханская, 83

Илья Олегович Кожевников

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского

ORCID iD: 0000-0001-8911-3084
SPIN-код: 5442-5056
Scopus Author ID: 56637928700
ResearcherId: ADC-2567-2022
410012, Россия, г. Саратов, ул. Астраханская, 83

Антон Васильевич Митин

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского

ORCID iD: 0000-0001-9638-427X
SPIN-код: 2659-3989
410012, Россия, г. Саратов, ул. Астраханская, 83

Список литературы

  1. Щука А. А. Электроника : учебное пособие / под ред. проф. А. С. Сигова. СПб. : БХВ-Петербург, 2006. 800 с.
  2. Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М. : Наука, 1972. 416 с.
  3. Пожела Ю. К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М. : Наука, 1977. 368 с.
  4. Федорченко А. М., Коцаренко Н. Я. Абсолютная и конвективная неустойчивость в плазме и твердых телах. М. : Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1981. 176 с.
  5. Кэррол Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах / пер. с англ. М. Е. Левинштейна, М. С. Шура ; под ред. Б. Л. Гельмонта. М. : Мир, 1972. 382 с.
  6. Левинштейн М. Е., Пожела Ю. К., Шур М. С. Эффект Ганна. М. : Сов. радио, 1975. 288 с.
  7. Шур М. С. Современные приборы на основе арсенида галлия / пер. с англ. ; под ред. М. Е. Левинштейна. М. : Мир, 1991. 632 с.
  8. Neumann A. Slow domains in semi-insulating GaAs // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90, № 1. P. 1–26. https://doi.org/10.1063/1.1377023
  9. Михайлов А. И., Митин А. В., Терентьева А. И. Особенности проявления ганновской и рекомбинационной неустойчивостей тока в высокоомных полупроводниках в условиях оптического воздействия // Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии : сборник статей / под общ. ред. А. И. Михайлова. Саратов : ИЦ «Наука», 2013. С. 130–153.
  10. Михайлов А. И., Митин А. В., Кожевников И. О. Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2014. Т. 17, № 4. С. 64–69.
  11. Михайлов А. И., Митин А. В., Кожевников И. О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Известия вузов. Радиоэлектроника. 2015. Т. 58, № 4. С. 59–64. https://doi.org/10.20535/S002134701504007X
  12. Винокуров В. И., Каплин С. И., Петелин И. Г. Электрорадиоизмерения : учебное пособие для радиотехн. спец. вузов / под ред. В. И. Винокурова. 2-е изд., перераб. и доп. М. : Высшая школа, 1986. 351 с.
  13. Zutavern F. J., Glover S. F., Swalby M. E., Cich M. J., Mar A., Loubriel G. M., Roose L. D., White F. E. DC–Charged GaAs PCSSs for Trigger Generators and Other High-Voltage Applications // Transactions on Plasma Science. 2010. Vol. 38, iss. 10. P. 2708–2715. https:// doi.org/10.1109/TPS.2010.2049663

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».