To the Theory of Electron Passage in a Semiconductor Structure Consisting of Alternating Asymmetric Rectangular Potential Wells and Barriers


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Propagation of electron waves in a medium, whose properties vary only along a certain direction, is theoretically studied. The approach is based on the use of the single-electron stationary Schrödinger equation for the description of elastic scattering processes, including tunneling, of non-interacting spinless particles while maintaining their total energy.

Об авторах

V. Rasulov

Fergana State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: r_rasulov51@mail.ru
Узбекистан, Fergana

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Springer Science+Business Media New York, 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).