The effect of low doses of gamma radiation on the electrophysical properties of mesoporous silicon

D. I. Bilenko; V. V. Galushka; E. A. Zharkova; V. I. Sidorov; D. V. Terin; E. I. Khasina

doi:10.1134/S1063785017020031

The effect of low doses of gamma radiation on the electrophysical properties of mesoporous silicon

Авторлар: Bilenko D.I.¹, Galushka V.V.¹, Zharkova E.A.¹, Sidorov V.I.¹, Terin D.V.¹, Khasina E.I.¹
Мекемелер:
1. Chernyshevsky Saratov State University
Шығарылым: Том 43, № 2 (2017)
Беттер: 166-168
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7850/article/view/203355
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017020031
ID: 203355

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The effect of low exposure doses (5–40 kR) of gamma radiation on the electrical properties of structures based on a mesoporous silicon (SiMP) layer is investigated. It is demonstrated that the conductivity of the SiMP layer increases, the Fermi level shifts, and the trap density changes in gamma-irradiated Al/SiMP/p-Si/Al structures. Long-term stable switched-state memory in the region of the I–V curve hysteresis is revealed. This effect is controlled by the irradiation dose.