Thermal lithography of thin films of vanadium dioxide
- Авторы: Andreev V.N.1, Klimov V.A.1, Kompan M.E.1
-
Учреждения:
- Ioffe Physical Technical Institute
- Выпуск: Том 42, № 1 (2016)
- Страницы: 19-22
- Раздел: Article
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7850/article/view/196701
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016010028
- ID: 196701
Цитировать
Аннотация
A technique is proposed for making microareas with sharply different optical and electrical properties in thin films of vanadium dioxide. The technique is based on vacuum annealing of thin films, which results in a yield of oxygen from vanadium dioxide with the formation of an oxygen vacancy in it.
Ключевые слова
Об авторах
V. Andreev
Ioffe Physical Technical Institute
Email: v.klimov@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
V. Klimov
Ioffe Physical Technical Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: v.klimov@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
M. Kompan
Ioffe Physical Technical Institute
Email: v.klimov@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
Дополнительные файлы
